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电子发烧友网>存储技术>我国闪存核心技术获得成功,3D NAND进步实属不易

我国闪存核心技术获得成功,3D NAND进步实属不易

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如何检查相互竞争的模型并通过GPU获得成功

  在本文中,我们将演示如何检查相互竞争的模型(称为 challenger models ),并使用 GPU 加速,通过简单、经济高效且可理解的模型可解释性应用程序获得成功。当 GPU 加速在模型开发过程中被多次使用时,建模者的时间将通过在数十次模型迭代中摊销培训时间和降低成本而得到更有效的利用。
2022-04-06 17:33:41988

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100

长江正式打破三星垄断,192层3D NAND闪存实现年底量产

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:216521

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

各家3D NAND技术大比拼 被垄断的NAND闪存技术

随着密度和成本的飞速进步,数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此,与半导体行业的其他产品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206

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