美光科技(Micron)16日宣布进一步推动DRAM产品的革新,其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y nm相比,该公司将使用1z nm节点来改善
2019-08-20 10:22:367258 10nm。研发部门正在努力扩展该技术,并最终将其替换为新的存储器类型。 但是,到目前为止,还没有直接的替代方法。并且,在采用新解决方案之前,供应商将继续扩展DRAM并提高性能,尽管在当前1xnm节点体制下将逐步增加。并且在未来的节点上,部分但不是全部DR
2019-11-25 11:33:185883 在历经16nm/14nm闸极成本持续增加后,可望在10nm时降低。虽然IBS并未预期工艺技术停止微缩,但预计试错成本(cost penalty)将出现在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之际。
2015-06-23 10:39:271246 市场传出,DRAM龙头三星半导体计划减产三成标准型DRAM,产能转为生产行动式记忆体(Mobile DRAM),以因应苹果新机出货,同时通知OEM厂8月起不再调降标准型DRAM售价。法人预期,盘跌近七个月的DRAM价格可望止跌回升,华亚科、南亚科及华邦电等DRAM族群营运可望再起。
2015-08-03 07:55:21451 DRAM大厂三星预定明年第1季率先量产1x(18奈米)DRAM,另一大厂SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)也将于明年跟进,三大DRAM厂明年进入1x奈米大战;台厂除南亚科(2408)也预约1x制程技术外,其余均专注利基型记忆体,避开战火。
2015-12-31 08:20:551296 Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒,加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路,继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3 记忆体颗粒,成为业界领先。
2016-04-06 09:04:56673 据三星官网新闻,韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒,10nm级(10nm~20nm之间)工艺制造,可实现与20nm级4GB
2016-10-20 10:55:481662 南亚科、华亚科与华邦电等DRAM厂,受DRAM需求增加与价格上扬影响,第3季运营全面获利,业界预期第4季DRAM供给将持续短缺,报价也将续涨,DRAM厂获利成长可期,法人预期以南亚科最具爆发成长性。
2016-10-31 15:45:35375 年,32GB DDR4模组价格可望涨逾300美元,南亚科直接受惠,明年上半年20奈米DDR4产能已全卖光。 DRAM价格今年涨了一整年,但2018年看来仍是DRAM市场大好年。在供给端来看,包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂明年的投资仍集中在1x/1y奈米的制程微缩,旧有厂内挤出空间
2017-12-25 08:56:387745 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,回顾2017年第四季,其中北美数据中心的需求持续强劲,即使原厂透过产品线调整,但仍无法有效纾解市场供给吃紧的状况。Server
2018-03-12 16:55:00772 4月20日,DRAM大厂南亚科宣布,将在新北市泰山南林科技园区兴建一座双层无尘室的 12 吋先进晶圆厂,采用自主研发的 10nm制程技术,规划建置 EUV 极紫外光微影生产技术,月产能约 4.5 万片,计划今年底动工、2024 年开始第一阶段 1.5 万片量产,总投资额达新台币 3000 亿元。
2021-04-20 14:14:438144 DRAM厂南亚科总经理李培瑛表示,第4季DRAM需求相对于上半年转趋保守,预估产品单价会下滑约5%,也因此下修今年资本支出约12.5%,来到210亿元(新台币,下同)。
2018-10-17 10:36:161212 2月份DRAM与NAND Flash价格持续上涨,DRAM上涨最主要的动力来自于服务器/数据中心正在快速布建5G基础建设的需求持续强劲。
2020-03-10 10:39:541182 3月25日消息 三星电子(Samsung Electronics)宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-26 09:12:563600 ,不过,公司也于去年重返PCDRAM市场,并以切入毛利率较高的服务器用DRAM为目标,经过一年多努力,南亚科在成功以20nm产生8GbDDR4DRAM、并获手机厂导入产品后,决定将服务器用DDR4DRAM交予北美和中国大陆客户验证,并订于今年重返服务器市场。 此外,有消息称,南亚科服务
2020-04-07 10:27:045633 研究机构此前公布的数据显示,虽然一季度主要DRAM厂商的销售额环比下滑,但全球DRAM产品的价格却有上升。由于居家经济对相关设备的需求依然强劲,对DRAM的需求也依然会保持强劲,DRAM的合约价格,在今年三季度仍将继续上涨。
2020-06-02 09:41:583625 9月14日,台资动态随机存取记忆体(DRAM)厂南亚科技今天宣布,自15日起暂停供货华为,未来将依照相关规定向美方申请恢复供货。
2020-09-15 09:43:092715 。 南亚科董事长吴嘉昭指出,今年预期DRAM市场售价止跌回升,整体产业可望走出谷底,并迈向成长。南亚科将投入更多的研发资源,加速开发10纳米级制程技术与DDR5产品,同时规划新厂扩建,未来将以符合市场需求为目标,逐步增加产出。 对于今年营运计划
2021-04-26 13:57:353249 随着半导体产业技术的不断发展,芯片制程工艺已从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升级到到现在比较主流的10nm、7nm,而最近据媒体报道,半导体的3nm工艺研发制作也启动
2019-12-10 14:38:41
想了解DRAM 的EFA测试,以及她的测试程序如何,学习的技巧等
2020-11-13 13:53:41
电路,导致电容会漏电和缓慢放电,所以需要经常刷新来保存数据问题3:我们通常所说的内存用的是什么呢?这三个产品跟我们实际使用有什么关系?答:内存(即随机存贮器RAM)可分为静态随机存储器SRAM,和动态
2012-08-15 17:11:45
、SDRAM、EDO RAM都属于DRAM(Dynamic RAM),即动态内存。所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图: [/hide]
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-10 15:49:11
。根本原因不在三星、SK宣称的市场因素,目前DRAM市场价格并不差,反倒是NAND的价格还在持续滑落中。扩大价格低落的产品线,不是拿石头砸自己的脚吗?同时也不是媒体所猜测的国内DRAM产能陆续释放,国内
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成,DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析:由题得,16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得
2022-03-02 06:18:45
。这就是为什么如果两个市场都使用相同的外部硬件,那么最快的CPU可以和拥有10年历史的CPU一样慢的原因。这也是为什么在升级系统时,设计师必须了解导致系统速度下降的原因。这就是选择RAM至关重要的地方
2020-09-25 08:01:20
先准备在DVSDK的基础上移植u-boot,由于更换了DDR,因此要修该DDR的参数,但我找不到dram_init函数在哪一个文件里:搜索了一下有下面几个文件比较像,但我不知到时哪一个,请各位帮忙
2020-08-17 11:19:18
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称,三星此次试制出了20nm工艺的DRAM,并表示可以“采用同样的方法,达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
通过 ODT 同时管理所有内存颗粒引脚的信号终结,并且阻抗值也可以有多种选择,内存控制器可以根据系统内干扰信号的强度自动调整阻值的大小。”如题,DDR2和DDR3的ODT功能只存在DQ,DQS和DM中,而这三个信号不存在多颗粒共用情况,都是每片DRAM颗粒独立工作,怎么能起到抑制反射的作用呢?
2018-01-19 09:43:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别.
2012-12-20 15:19:20
使用NI的 FPGA,开辟了一个1294*1040大小的DRAM,在60HZ帧频下按地址一个MCK一个地址的刷新DRAM中的数据,也就是每个地址刷新时间不到17微秒,一开始出现一个数据都写不进去,我
2018-11-07 23:57:30
市场的35%。明年,至少两家中国集成电路供应商(睿力集成电路和晋华集成电路)将成功进入DRAM市场。尽管国产厂商的产能和制造流程最初不会与三星、SK 海力士或美光等公司匹敌,但看看中国的初创企业表现如何,将是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
操作。 另外,采用2个系统时钟是处理时钟相位偏移的对策,DDRSDRAM利用双向的选通信号实施时钟相位偏移的处理对策,而Direct Rambus DRAM预各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
[资讯] DRAM挺过7月 有望旺到后年动态随机存取内存(DRAM)价格年初以来维持强势,但封测厂强调,7月尔必达新增产能是否可以去化是重要观察期,一旦能顺利消化,DRAM产业荣景将能持续到明、后年
2010-05-10 10:51:03
芯片可以存储16384个bit数据,同时期可同时进行1bit的读取或者写入操作。DRAM地址引脚为7根,SRAM地址引脚为14根,这颗16K DRAM通过DRAM接口把地址一分为二,然后利用两个连续
2010-07-15 11:40:15
台积电与三星的10nm工艺。智能手机的普及,大大地改变了现代人们的生活方式,言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用,人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像
2018-06-14 14:25:19
存储器是怎样进行分类的?分为哪几类?为什么要对DRAM进行刷新?如何进行刷新?
2021-09-28 08:50:24
***地区厂商达17.9%。由于三星、海力士与美光等厂商在产能配置上着重于Flash颗粒以及CMOS Image Sensor等产品,2007年仅***地区厂商大量的扩充DRAM产品的产能,因此未来***地区厂商DRAM销售额比重仍将持续攀高。
2008-05-26 14:43:30
介绍初步无名飞控解(上)锁与遥控器简单设置无名科创自研飞控平台,经过武汉科技大学连续四届研究生师兄们参考国内外主流飞控(APM、Pixhawk、Autoquad、MWC、CC3D、无穷开、ANO
2019-08-01 11:38:45
成。业界人看好南亚科及华邦电第二季也获利跳增,第三季因价格持续看涨,营收及获利可望再写新高。无新产能,导致淡季变旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等记忆体大厂虽提高资本支出,但多数资金都用来进行
2017-06-13 15:03:01
是一个晶体管加一个电容,并用电容有无电荷来表示数字信息0和1,电容漏电很快,为了防止电容漏电而导致读取信息出错,需要周期性地给DRAM充电,故DRAM的充电速度比SRAM慢。另一方面,这种简单的存储
2019-09-18 09:05:09
`观点:受益于国内低端智能手机市场火爆,联发科销售量迅速增长,使中国***厂商首度拿下全球第三大智能机芯片厂商的荣誉。为占更多市场份额,联发科瞄向了东南亚平价智能型手机和平板计算机市场,近日与印尼
2012-10-12 16:55:49
近日,SIA发了个耸人听闻的新闻,说intel放弃了10nm工艺的研发,当然这肯定是假消息就是了,今天intel也出面辟谣。不过相信很多人也会觉得奇怪,那边TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
SoC芯片的自研,显然是想将手机的优势带入到更广泛的物联网终端领域。OPPO推出6nm的NPU芯片,也是考虑到通过自研芯片拉开和竞争对手的差距,给自家高端化手机提供差异化体验。国产替代的三个误区集成电路
2022-01-02 08:00:00
三星加速制程微缩 DRAM进入40纳米世代
三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩,积极导入40纳米制程,第4季已开始小幅试产DDR3,预计2010年下半40纳米将成为主流制程
2009-11-18 09:20:55466 南亚科扩建12寸厂 全球市占挑战10%
南亚科将逆势扩建旗下12寸厂,从现有3万片扩增至5万~6万片,成为此波DRAM景气复苏后,首家扩产的台系DRAM厂。值得注意
2010-01-22 09:52:57639 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory随机存贮器)是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问、访问所需时间基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模块,DRAM模块是什么意思
DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM",翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,
2010-03-24 16:17:211587 由于市场需求仍持续低迷,以现阶段DRAM总投片约1300K为基准来计算,至少需减产20%,才有机会让市场供需平衡,DRAM价格至少到明年第2季后才能见到春燕归来的迹象。
2011-08-28 10:19:10839 利基型记忆体包括Mobile DRAM、Specialty DRAM,与Graphics DRAM等3大类产品线,各产品线主要终端应用产品各自不同。加总Mobile DRAM、Specialty DRAM与Graphics DRAM等3大产品总市场需求,DIGITIMES预估
2011-10-28 09:39:003382 本月,三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产,再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033 三星是全球最大的DRAM芯片供应商,自己一家就占据了47.5%的份额,远高于SK Hynix和美光。不仅如此,三星在DRAM技术上也遥遥领先于其他两家,去年3月份就宣布量产18nm工艺的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572482 在 DRAM Storage Cell 章节中,介绍了单个 Cell 的结构。在本章节中,将介绍 DRAM 中 Cells 的组织方式。
2017-03-17 16:12:144417 Digitimes发布消息称,英特尔可以按计划在今年底首发10nm处理器,但仅限低功耗移动平台,预计是Core m或者后缀U系列的低电压版本。而就在上周,英特尔刚宣布,第一代基于10nm工艺制程Cannon Lake处理器已经完工,同时第二代10nm处理器Ice Lake也已经完成了最终设计。
2017-06-15 11:43:441317 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道,三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片,这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534 三星被人称为世界最赚钱的公司之一,三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:331472 三星的DRAM市场表现十分强劲,并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求,三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:38835 随物联网时代来临,数据中心、高速传输的5G受重视,研调单位指出,协助运算处理的DRAM与资讯储存的NAND Flash等需求也持续增温,南亚科(2408)日前表示,今年DRAM市场仍供不应求,带动存储器族群行情向上,旺宏(2337)在权证市场同受关注,昨(29)日登上成交金额之首。
2018-06-22 15:45:001233 内存厂南亚科24日举行股东会,展望今年整体市况,董事长吴嘉昭表示,预期今年DRAM位元需求将年增22%,位元供给将增加21%,DRAM整体仍是需求仍大于供给,今年营运状况不错。
2018-07-04 06:30:00605 DRAM大厂陆续洽谈第3季DRAM合约价格,维持小涨局面,推升全球本季DRAM产值将再改写新高,台系DRAM南亚科(2408)和华邦电等,预料今年将缴出逐季创新高佳绩。
2018-07-04 17:08:00581 12月20日,三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的生产,有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求,继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:25723 三星宣布推出基于10nm级(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM内存模组,用于高性能笔记本产品。新的内存模组容量达到32GB单条,频率2666MHz,结构上是由16个16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来,三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,5G和AI将是其主要应用领域。
2018-08-08 15:22:281050 7月10日报导,JP摩根目前对今明两年DRAM市场销售额、出货量预估较上个月高出5-6%。JP摩根分析师Harlan Sur指出,美光科技的年度销售额大约有30%来自服务器用DRAM。他预期服务器用DRAM将占整体产业销售额的四分之一、超越PC用DRAM成为第二大产品(仅次于移动设备用DRAM)。
2018-08-09 15:50:541052 4月25日,三星电子宣布已开始批量生产汽车用10nm级16Gb LPDDR4X DRAM。这款最新的LPDDR4X产品具备高性能,同时还显著提高需要在极端环境下工作的汽车应用的耐热性水平。这款
2018-08-23 15:48:262143 DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元,国际半导体产业协会SEMI预估,在三星电子、SK海力士(SK Hynix)持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能再
2018-08-27 17:05:531850 台塑集团旗下DRAM大厂南亚科技术能力大跃进,完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通过个人电脑(PC)客户认证,本月开始出货,为南亚科转攻利基型DRAM多年后,再度重返个人电脑市场,明年农历年后将再切入服务器市场,南亚科借此成为韩系和美系大厂之后,另一稳定供货来源。
2018-08-28 16:09:212734 由于DRAM市场正逐渐由供货吃紧转向供过于求,在需求前景不明且供给持续增加下,买方回补库存意愿偏低,DRAM价格可能终结连9季上扬态势,南亚科第4季营收恐难再创高。
2018-09-05 14:12:034161 DRAM大厂南亚科今昨日公布第3季财报,展望后市,南亚科总经理李培瑛不讳言,第4季DRAM需求相对前半年保守,预期单季平均销售单价可能下滑5%左右,PC需求为目前唯一表现趋缓的应用,且由于
2018-10-18 16:40:111089 三星电子今天宣布,开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763 19日出具调查报告指出,今年上半年DRAM市场仍供过于求,价格持续下跌,不仅本季价格跌幅将超过二成,下季仍持续看跌15%,相当于上半年累计跌价幅度超过三成,比市场原预期更悲观,华邦、南亚科等芯片厂,以及模组厂威刚、宇瞻等,营运将面临下修压力。
2019-02-22 09:20:122234 今年以来DRAM价格持续下跌,DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利,南亚科将朝向优化产品组合方向调整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外,南亚科已取得美光的1x/1y纳米制程技术授权选择权,并启动自主研发的10纳米世代制程研发。
2019-03-01 16:30:254125 DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示,近期服务器用DRAM需求已经反弹,此举将帮助第二季DRAM市况优于首季,下半年转好。
2019-03-05 17:30:134400 3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-21 16:43:083251 ,动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来仅仅16个月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明三星突破了DRAM的扩展极限。
2019-03-21 17:30:541444 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。
2019-03-24 11:36:163659 关键词:DRAM , DDR4 三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。量产时间
2019-03-29 07:52:01215 DRAM厂南亚科昨日举行股东会,总经理李培瑛会后受访表示,第2季DRAM市况已看到会比第1季好,第3季又会比第2季稍好,合约价跌幅会比现货价小;整体而言,随着旺季到来,下半年DRAM还是会比上半年好。
2019-05-31 16:58:212105 DRAM与NAND Flash持续维持下降走势。
2019-07-06 11:38:563485 三星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开发了第三代 10nm 制程工艺(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。
2019-09-27 17:23:291003 南亚科总经理李培瑛近日宣布,已完成自主研发10纳米级DRAM技术。
2020-01-13 15:16:102164 三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:572345 的工艺节点都不使用明确的数字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先进,或者说1xnm比较接近20nm,1αnm则更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片,尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5,相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40%,同时还能让功耗降低15%
2021-01-27 17:28:331589 DRAM作为PC必备器件之一,大家自然对DRAM较为熟悉。但是,大家知道DRAM存储具有哪些分类吗?大家了解DRAM控制器是如何设计出来的吗?如果你对DRAM以及本文即将要阐述的内容具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。
2020-10-31 11:51:193766 Intel正在各个领域实现从14nm向10nm的过渡:轻薄本上代还是14/10nm混合,现在已经完全是10nm;游戏本、服务器马上就都会首次尝鲜10nm;桌面则要等到明年底的12代最终实现交接。
2020-12-07 10:00:071764 据悉,南亚科技预计DRAM的价格一季度开始上涨,是因为市场供应紧张,供不应求所致,价格上涨的趋势将持续到二季度。
2021-01-12 10:57:221585 据etnews报道,SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM,不过并未透露
2021-01-20 18:19:202146 美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 2月22日消息,据国外媒体报道,英文媒体此前曾多次报道,DRAM的价格在今年一季度将上涨,二季度仍将持续,相关的厂商将从中获益。 在此前的报道中,英文媒体就提到,受市场供应紧张,供不应求推动,南亚
2021-02-22 16:28:011645 %。其中生产设备资本支出降幅约四成。 展望2022第四季度DRAM市场供需,南亚科表示,全球性总体经济面临衰退,受高通膨、升息、俄乌战争、封控等负面因素电子产品市场需求疲弱,部分终端客户库存逐步去化。 供应商库存增加,部分供应商调降资本支出,整体市
2022-10-19 14:16:081747 DRAM制造技术进入10nm世代(不到20nm世代)已经过去五年了。过去五年,DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此,本文总结和更新了DRAM的产品、发展和技术趋势。
2023-11-25 14:30:15538 部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:21550
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