比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。 目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。 譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三星电子各自将制造技术与64层堆栈和QLC（四层单元）技术相结合，该技
2019-08-10 00:01:00
7050 9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会
2019-12-13 10:46:0711441 资料来源：Kioxia Kioxia（原为东芝存储）有望创建3D NAND闪存的后继产品，与QLC NAND闪存相比，该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元
2019-12-23 10:32:214222 Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:005791 7月24日国外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436006 目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 西数公司日前表示今年会试产512Gb核心容量的64层堆栈3D NAND闪存，单颗核心容量就达到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盘更容易了。
2017-02-07 14:21:31750 据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 目前东芝已经提出了创纪录的96层堆叠3D闪存——第四代BiCS闪存。它的内部是如何工作的？一颗闪存芯片又是,如何演变成我们能看到的闪存颗粒？
2017-09-20 09:39:1424679 BiCS5采用了广泛的新技术和创新的制造工艺，是西部数据迄今为止最高密度、最先进的3D NAND。
2020-02-10 19:46:29853 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:162883 Kioxia（铠侠）和西部数据宣布，双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑，也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。 Kioxia首席技术
2021-02-20 15:30:152151 的层数也不同，铠侠、西数使用的BiCS技术，堆栈层数并不是最高的，但是存储密度不错，这次162层相比之前的112层闪存提升了10%的密度。
2021-02-20 10:02:322320 Semiconductor。 X-NAND 相信去年的闪存峰会上，除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的技术分享外，大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为NAND闪存和DRAM内存开发创新架构的厂商，其去年推出的X-NAND第二代技术，允许3D NAND闪存
2023-05-08 07:09:001984 
3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
的存储成本。在认识到不断缩小的光刻技术的扩展局限性之后，需要一种新的方法来增加每个设备的密度，同时降低每 GB 的相对成本，此时便出现了3D NAND FLASH。16nm制程以上的闪存如28nm多属
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能占到3D NAND产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示
2022-02-03 11:41:35
NAND技术时代，创新的X4架构成功投入商用，西部数据现在将X4架构应用于先进的64层3D NAND。随着闪存技术的发展，NAND Flash架构设计已从SLC过渡到MLC，现在TLC已成为了主流
2022-02-04 10:27:01
1.4规范，112L BiCS5 3D TLC ，DRAM-less控制器， 性能方面，顺序读写速度最高可达3500 MB/秒、2900 MB/秒，随机写入和读取的最大值分别为 450K IOPS
2022-01-25 08:48:08
SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK
2022-01-26 08:35:58
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
亲爱的大家，任何人都可以让我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND闪存。我的客户正在设计他的7020定制板，并有兴趣知道所支持的并行NAND闪存的最大密度。问候钱德拉以上来自于谷歌翻译以下
2019-02-27 14:22:07
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品，可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
的96层3D闪存使用的是新一代BiCS4技术，QLC类型的核心容量高达1．33Tb，比业界标准水平提升了33％，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2．66TB。 国内崛起撬动全球
2021-07-13 06:38:27
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性，您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台，由于速度需求，不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
至 2015 年之间， NAND的市场复合年增长率将达到 7%。技术方面，内存密度因采用 25nm 及以下制程技术，让制造商能进一步扩大优势。领先的 NAND 闪存制造商开始用 20-30nm 范围
2014-04-22 16:29:09
衍生了一些新的技术，来助力其闪存产品向3D方向发展。其中，就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等。三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取
2020-03-19 14:04:57
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。
2017-05-06 01:03:11633 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 东芝日前发布世界首个基于QLC（四比特单元） BiCS架构的3D NAND闪存芯片。对于闪存技术的未来发展而言，这可谓是相当重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 
目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选？
2017-08-01 10:21:1393396 
层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND
2018-05-28 16:25:4847895 美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865 
今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 昨日长江存储正式公开了其突破性技术——XtackingTM。据悉，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 为了满足这种需求而迅速发展起来的。目前关于U-BOOT的移植解决方案主要面向的是微处理器中的NOR 闪存，如果能在微处理器上的NAND 闪存中实现U-BOOT的启动，则会给实际应用带来极大的方便。 U-BOOT简介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多种架构的处理器，也支持Linux、Net
2018-09-21 20:06:01485 东芝公司近日发布了BENAND产品。该产品基于单层存储单元（SLC）NAND闪存，并且内嵌错误纠正功能（ECC）。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。BENAND在东芝公司最先进
2018-10-08 17:11:001940 至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数
2018-10-08 15:52:39395 支持64层3D QLC后，现已全面支持最新96层3D NAND闪存颗粒。此次发布的96层3D TLC NAND闪存固态硬盘解决方案，客户无需修改硬件，为客户快速量产提供了极大的便利性。联芸科技最新发布
2018-11-19 17:22:316838 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
在本周的活动上，西数谈到了其新的低延迟闪存NAND。该技术旨在实现3D NAND和DRAM之间的性能。LLF闪存将具有微秒级的延迟，采用SLC或者MLC颗粒。
2019-03-25 14:44:563061 目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
2019-05-16 10:18:143302 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 根据Tom‘s Hardwared的报道，东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存，以及PLC的NAND开发。
2019-08-26 16:15:583539 ，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking®可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
2019-09-03 10:07:021051 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 有关国产闪存技术的发展与突破，相信很多人都在翘首期待，希望我们能够拥有自己的先进闪存产品，而当长江存储成功发展出来3D NAND存储Xtacking架构技术的时候，我们知道，真正的国产存储即将出现了！
2019-10-31 11:37:07882 作为NADN闪存技术的发明者，铠侠（原来的东芝存储）在新一代闪存研发上再次甩开对手，率先推出了Twin BiCS FLASH闪存技术，有望成为PLC闪存的最佳搭档。
2019-12-18 14:54:123344 在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-08 10:34:135022 在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-10 14:23:27640 前几天西数、铠侠(原东芝存储)各自宣布了新一代BiCS5技术的3D闪存，堆栈层数也从目前的96层提升到了112层，IO接口速度提升40%，同时QLC型闪存核心容量可达1.33Tb，目前是世界最高水平的。
2020-02-04 15:23:07749 
根据消息报道，西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布，他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功，第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产，今年下半年可能会实现商业化量产。
2020-02-04 16:25:344317 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:342726 首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557 追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代，跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进，并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术。而3D NAND闪存技术也从最初的32层堆叠，发展到了目前最新一代的高达128层堆叠。
2020-04-14 15:28:031730 
长江存储科技有限责任公司宣布，128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:224866 西部数据公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成
2020-07-24 15:09:131525 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。
2020-11-10 14:56:592809 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571857 的应用效能。 据了解，176层3D NAND闪存是美光第二代替换闸（Replacement Gate）架构，是目前全球技术最为先进的NAND节点，相较于前代3D NAND相比，美光176层3D NAND闪存
2020-11-12 16:02:552599 北京时间11月13日消息，内存和存储解决方案供应商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，一举刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的重大
2020-11-13 17:42:261872 日前，TechInsights高级技术研究员Joengdong Choe在2020年闪存峰会上作了两次演讲，详细介绍了3D NAND和其他新兴存储器的未来。
2020-11-19 16:11:182910 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 NAND应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的3D NAND将如何发展？如何正确判断一款3D NAND的总体效率？ 在2020年的闪存
2020-12-09 10:35:492766 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:373659 的层数也不同，铠侠、西数使用的BiCS技术，堆栈层数并不是最高的，但是存储密度不错，这次162层相比之前的112层闪存提升了10%的密度。 这样一来，从112层提高到162层使得芯片的面积减少了40%，在同样的300mm晶圆上可以多生产70%的容量，直接大幅降低了闪存成本。 除
2021-02-19 18:03:412179 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。
2021-02-20 10:40:582012 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
全球存储市场对高密度 NAND 闪存的需求不断增长。目前，这一需求已通过许多发展得到满足，不仅体现在当今闪存控制器的功能上，而且尤其是在过去十年中一直处于存储讨论和发展中心的 3D NAND 架构
2022-07-28 10:12:491704 
在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 来源：KIOXIA铠侠中国 为展示先进闪存技术的持续创新，铠侠株式会社与西部数据公司今日（3月31日）发布了他们最新的3D闪存技术的细节，该技术目前正在备产中。该3D闪存采用先进的微缩和晶圆键合技术
2023-04-04 16:39:43491 众所周知，铠侠公司发明了NAND Flash。公司凭借其领先的三维（3D）垂直闪存单元结构BiCS FLASH，让公司闪存的密度在市场中名列前茅。与此同时，铠侠还是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。
2023-04-14 09:17:03798 字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前
2023-06-10 17:21:001983 随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351206 
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:21865 中芯国际方面表示：“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点，已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07266 增加3D（三维）NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间，新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26245 
在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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