MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-07-26 08:30:00
8872 
三星电子（Samsung Electronics）与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输（Spin Transfer Torque）磁性存储器（STT-MRAM）。两家公司也表示，预计
2016-08-01 11:04:32953 据台湾经济日报最新消息，联电（2303）与下一代ST-MRAM（自旋转移力矩磁阻RAM）领导者美商Avalanche共同宣布，合作技术开发MRAM及相关28纳米产品；联电即日起透过授权，提供客户具有成本效益的28纳米嵌入式非挥发性MRAM技术。
2018-08-09 10:38:123129 9月13日，晶圆代工厂联电宣布，手美商 Avalanche Technology，推出采 22 纳米制程生产的自旋转移矩磁性内存 (STT-MRAM)，将应用于航天等领域。9月12日，外媒报道，美国
2022-09-13 13:38:155194 
Everspin Technologies总部位于亚利桑那州钱德勒，主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者，Everspin所生产的MRAM产品包括40nm，28nm及更高工艺在内
2020-08-31 13:59:46
Everspin串口串行mram演示软件分析
2021-01-29 06:49:31
，这使其能够在耐久性方面提高多个数量级，从而提高了性能。Everspin Technologies 是设计制造离散和嵌入式MRAM和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，其市场和应用领域
2020-08-12 17:42:01
STT-MRAM万能存储器芯片
2021-01-06 06:31:10
求大神详细介绍一下STT-MRAM的存储技术
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技术的优点
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋转矩MRAM技术
2020-12-25 07:53:15
everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
2021-01-01 06:29:30
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
2021-02-24 07:28:54
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
开启下一波储存浪潮STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种常规存储器的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现，STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性。STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性，在芯片中提供非挥发性储存的功能。
2019-10-02 07:00:00
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引脚BGA封装。MR3A16ACMA35的优点与富士通FRAM相比，升级到Everspin MRAM具有许多优势：•更快的随机访问操作时间•高可靠性和数
2023-04-07 16:26:28
本文主要介绍描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。
2020-12-28 06:16:06
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能
2021-02-01 06:55:12
作者 MahendraPakala半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器(MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2019-07-16 08:46:10
萌新求助，求一个基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
2021-10-25 07:33:36
一般称为自旋阀或隧穿磁阻结(TMJTunneling Magneto-resistive Junction)。它对MRAM单元的存储功能起重要作用，例如写‘0’或写‘1'。宇芯有限公司自成立以来，我们
2020-10-20 14:34:03
耐久性。该算法如图6所示。 图6.智能写操作算法，显示动态组写和带写验证的多脉冲写。 MRAM数据可靠性 在基于自旋的STT-MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积
2020-07-02 16:33:58
近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。
2017-05-09 01:07:311346 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存储加速器提供了卓越的延迟确定性，可为Apache Log4J等应用程序启用低延迟写入缓冲区。
2018-11-23 05:55:003220 IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC
2019-04-22 15:51:321089 
Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。
2019-06-27 08:59:439837 群联电子宣布与Everspin策略联盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群联的企业级SSD储存解决方案。
2019-08-13 19:07:023313 通过使用较小的电流和电压来控制MTJ的磁对准，可以降低器件功耗。但是，自旋转移矩MRAM（STT-MRAM）的问题在于，当其写入速度很高时，其电压会使用大量功率迅速增加。
2020-02-29 17:26:502343 
2018年8月份AMD宣布将7nm CPU订单全都交给台积电，双方的合作关系这两年非常密切。与之相比，AMD的前女友GF公司现在与X86 CPU代工渐行渐远，现在他们宣称要做MRAM领域的领导者。
2020-03-07 09:42:182244 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)，包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器启用或FPGA，该公司也一直在通过其伙伴关系发展其生态系统。 Everspin的几个合作
2020-03-23 15:32:08646 MRAM是基于电子自旋而不是电荷的下一代存储技术。MRAM通常被称为存储器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特点，可以在单个芯片中替代当今使用的所有类型的存储器。 Everspin是全球唯一的磁性
2020-03-25 16:02:57820 ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中，电子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 Everspin是专业研发生产MRAM、STT-MRAM等半导体领先供应商，在包括40nm，28nm及更高的技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。 Toggle MRAM为许多行业提供服务，包括交通运输，航空航天和医疗，物联网及工业。Everspin与全球能源管理和自动化专家Schneider
2020-04-09 09:28:05680 Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 everspin在此生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发
2020-04-15 16:46:113245 
Everspin拥有包括40nm，28nm及更高技术节点在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。Everspin生产基于180nm，130nm
2020-04-30 16:26:21525 Everspin的合作伙伴CAES他们共同开发的Toggle MRAM在太空应用中的多功能性和性能。CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻
2020-05-14 12:01:15722 MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。Everspin代理商英尚微电子提供产品技术支持及解决方案。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球
2020-06-23 15:31:031004 （STT-MRAM）。这些技术提供了密集的位单元（“1T1R”），并通过改变单元的静态电阻来操作，这种电阻是通过材料的“Write1”和“Write0”脉冲电流和大小引起。当单元被访问时，读操作感知电阻大小，大大降低单元电流。理想情况下，两个电阻之间的比率非常高，以加速读取操作。
2020-06-30 11:01:334470 Everspin专注于制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。为云存储，能源，工业，汽车和运输市场提供了上亿只MRAM和STT-MRAM
2020-07-13 11:25:581037 行良好的MTJ设计和测试。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的，为汽车、工业和军事。云存储等行业等提供了大量可靠优质的MRAM，STT-MRAM存储芯片。Everspin一级代理商接下来介绍Everspin MRAM器件的
2020-07-17 13:56:10453 
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有600多项有效专利和申请的知识产权，在平面和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 的领先趋势来增强动力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。 STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章everspin代理宇芯电子要介绍的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造产量。 铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度
2020-08-05 14:50:52389 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，离取代一般存储器还有一段路要走，另一种比较可行的应用，是把STT－MRAM嵌入其他系统芯片，目前已有SRAM嵌入逻辑芯片的技术，而STT－MRAM记忆密度比SRAM更高，有助于提高逻辑芯片内的记忆容量。
2020-08-21 14:18:00593 新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。 自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM
2020-08-18 17:34:53712 
Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品应用在数据中心，云存储，能源
2020-08-17 14:42:142309 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。 在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验以及在平面内和垂直磁隧道
2020-08-28 14:19:13434 中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。Everspin一级代理英尚微电子提供产品相关技术支持。 MRAM涉及汽车应用。对于碰撞记录器，MRAM可以在事故发生时收集和存储更多数据，并帮助确定车辆事故或故障的原因。 使用传感器的汽车应用可以受益于MRAM。由于传感器连续地写入数据
2020-09-18 14:13:16698 Everspin MRAM内存技术是如何工作的？ Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 Everspin MRAM存储芯片如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 1. 非易失性存储器
2020-09-19 11:38:322609 的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战不断涌现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力，同时考虑了汽车应用的需求。要为嵌入式MRAM选择合适的内存测试和修复解决方案，设计人员需
2020-10-14 15:52:19536 
本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构，将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中，与传统芯片架构相比较，能够降低芯片漏电流，减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作
2020-11-20 15:20:24512 
自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。 自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向
2020-11-20 15:23:46791 。 后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有确定的磁场方向，它的磁矩在这里被称为自旋转移力矩或简称自旋转矩，即前面提到的STT。自旋极化电子流可以代替电磁线圈使微磁粒的磁场方向发生
2020-12-07 14:24:00665 在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。
2020-12-24 15:51:14614 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品
2021-01-16 11:28:23531 Everspin是设计制造MRAM到市场和应用程序的翘楚，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin是MRAM产品的长期可靠制造商，并在亚利桑那州钱德勒
2021-04-26 14:25:21479 
，该系统将被搭载在日本的一颗研究卫星发射进入太空。 在数据存储的可靠性和持久性方面，同类产品无法与Everspin的MRAM产品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat
2021-04-30 17:17:53325 Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达
2021-05-08 15:47:56713 
，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场
2021-06-08 16:37:17575 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:191926 在 MRAM 这类内存写入时，组件的穿隧氧化层会承受的庞大电压，使得数据的保存、写入耐久性，以及写入速度三者往往不可兼得，必须有所权衡。这意味着即使STT MRAM技术已经接近成熟，其受到的限制
2021-12-11 14:47:44519 Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯...
2022-01-25 20:15:003 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 自旋转移扭矩随机存取存储器（STT-RAM）技术希望用其下一代MRAM取代DRAM，最终取代NAND。它结合了DRAM的成本优势，SRAM的快速读写性能以...
2022-01-26 18:32:390 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 Everspin科技有限公司是全球领先的设计， 制造嵌入式磁阻 RAM （MRAM） 和自旋转移扭矩 MRAM （STT-MRAM） 的生产商，自从Everspin第一款产品进入市场，由于MRAM
2022-03-15 15:45:22527 MRAM可能是非易失性存储技术的下一个大事件。该技术利用了磁性材料的相对极性和电阻之间的关系。本质上，当两个磁铁靠近时，它们的电阻会发生变化，这取决于它们的磁极相对于另一个磁极的位置。
2022-07-25 16:04:33836 everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:581325 Everspin的xSPI STT-MRAM产品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数SPI兼容总线接口，时钟频率高达200MHz。这些持久存储器MRAM设备在单个1.8V电源
2022-12-08 16:07:20400 Netsol是一家成立于2010年的无晶圆厂IC设计和营销公司。在下一代存储器解决方案方面处于世界领先地位，特别是在STT-MRAM方面。凭借强大的开发能力，为广泛的应用程序提供定制/优化的内存
2023-01-31 15:53:37226 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限耐用性。医疗器械理想的存储器用于快速存储、检索数据和程序的应用程序，至少应用于数量引脚。它具有优异的性能和非易失特性。详情请洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 安全地获得备份。能够充分执行该作用的存储器，在工业设备中至关重要。Netsol的Parallel STT-MRAM 具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是合适的内存。适用于工业设备中的PC、PLC、HM
2023-02-27 15:48:17136 其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）审稿人：北京大学蔡一茂陈青钰https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
目前三星仍然是全球专利第一，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对MRAM的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调。
2023-11-22 14:43:53213 
鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
2024-01-18 14:44:00838 MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用自旋极化电流驱动。
2024-01-22 10:50:50123 
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