在我们的项目中,时常会有参数或数据需要保存。铁电存储器的优良性能和操作方便常常被我们选用。FM25xxx FRAM存储器就是我们经常使用到的一系列铁电存储器,这一篇我们将讨论FM25xxx FRAM存储器的驱动设计、实现及使用。
2022-12-08 14:56:55
1116 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/81/E9/pYYBAGORiJuAXcFqAAC4orhlb3o462.jpg)
检测、各种工程机械倾角测量等行业中的推广和应用,要求倾角传感器采集到的大量数据能够在各种恶劣的工业控制环境和现场中得到有效的、完整的保存。海量数据存储器的使用解决了我们对大容量采集数据的存储;内置
2012-11-20 14:00:52
FRAM存储器提供即时写入功能,无限的耐用性和接近零的软错误率,以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣,因为其使用解决了这些缺点。这些吸引人的特性是锆钛
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存储,用10年的数据保存时间,在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件,工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2021-12-09 08:28:44
以及改进整个系统。而这正是我们采用 FRAM 的微控制器超越业界其他解决方案的优势所在。 FRAM 是一种非易失性 RAM,相较于其他非易失性存储器技术,可实现更快速的数据存储和几乎无限的寿命。 这
2018-09-10 11:57:26
紫外线)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM:电可擦除可编程ROM)。以上是大家在各种教材上看到的存储器的分类。问题是,ROM明明叫只读存储器
2012-01-06 22:58:43
硬磁材料、环状元件(4)光盘存储器激光、磁光材料2.按存取方式分类(1)存取时间与物理地址无关(随机访问)随机存储器在程序的执行过程中 可读可写只读存储器 在程序的执行过程中 只读(2)存取时间与物理地址有关(串行访问)顺序存取存储器磁带直
2021-07-29 07:40:10
首先讨论HDD及其功能,并比较储存(storage)和(memory)的不同特性。在接下来的专栏中,我们将专门讨论SSD,并探索在可预见的未来将持续发展的数据储存趋势。 储存 vs 存储器 电子数据
2017-07-20 15:18:57
存储器存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。随着技术的发展,CPU的速度变化迅速,但存储器的速度增加得较慢。这使得计算机的速度在很大程度上受限于存储器速度。为了解决这个问题,设计了
2022-01-19 06:35:54
技术的日趋成熟,存储器价格会回稳.然而就DRAM市场来说,谁也不知道DRAM的供货何时才会稳定下来.再来看市场需求状况,虽然有些存储器市场分段的市场需求正在增长,但是这些分段的增长幅度并不高,可见主要的问题是来自于供给侧.
2019-07-16 08:50:19
存储器:用来存放计算机中的所有信息:包括程序、原始数据、运算的中间结果及最终结果等。 只读存储器(ROM):只读存储器在使用时,只能读出而不能写入,断电后ROM中的信息不会丢失。因此一般用来存放
2017-10-24 14:31:49
`存储器:用来存放计算机中的所有信息:包括程序、原始数据、运算的中间结果及最终结果等。 只读存储器(ROM):只读存储器在使用时,只能读出而不能写入,断电后ROM中的信息不会丢失。因此一般用来存放
2017-12-21 17:10:53
操作时机可以为针对存储器的多个访问到达RAM的时间点。其中,上述RAM可以为装置的内存条。应当理解,装置在处理针对存储器的访问时,会先将该访问加载到RAM中,再发送给存储控制器,由存储控制器从存储器中提
2019-11-15 15:44:06
、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性静态存储器)等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势:存储器
2019-07-23 06:15:10
摘要:介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列
2014-04-25 13:46:28
EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
2020-12-21 07:04:49
问题一:位图都存储在哪了?都在程序存储器里吗问题二:能不能将位图存储到外部内存中?问题三:F429的程序存储器和数据存储器有多大?
2020-05-20 04:37:13
概述:FM25640是RAMTRON公司生产的一款64Kb的 FRAM 串行存储器。它具有100亿次的读写次数,掉电数据可保持10年。该器件支持SPI的模式0&3,最大可达到5 MHz的总线速度,结构容量为8192×8位。它采用8脚DIP封装。
2021-05-18 07:15:49
,与芯片系统实现互通互连。外部存储器始终被看作是 SL3 存储器,并可在 L1 和 L2 中缓存。接下来的我们将探讨在KeyStone 架构中实现的各种性能增强。 存储性能增强 C66x
2011-08-13 15:45:42
操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的,从而在部件使用寿命内支持无限的操作。图3:MRAM读写周期FRAM技术FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器(1T-1FC)架构,该
2022-11-17 15:05:44
MSP430G2553单片机里的ADC10MEM存储器怎么在IAR环境中说是只读存储器呢?怎么更改它的设置?
2013-11-26 17:22:09
SRAM接口。所有这些实现都以某种形式的8引脚封装提供。 SRAM和FRAM技术的常用功能 在最高级别上,SRAM和FRAM的基本功能是相同的-从Kilobits到即时存储在内存中的少量兆位的随机存取存储器的容量。该存储器没有特殊配置或页面边界,并且支持标准SPI物理引脚排列。
2020-12-17 16:18:54
125度的高温环境下运作,专为汽车产业设计,符合严苛的汽车行业标准规范。FRAM 能支持:安全气囊数据储存、事故数据记录器、新能源车 CAN 盒子、胎压监测、汽车驾驶辅助系统、导航与信息娱乐系统等应用中
2017-08-18 17:56:43
~0x13FFF。 在本文的设计中按照下表来分配FRAM存储器:根据上表的存储器空间规划可得出存储器分配图,如下图所示:图3.3 MSP430FR5969 FRAM 存储器分配MSP430FR5969
2019-06-13 05:00:08
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-25 16:51 编辑
虽然EEPROM和FLASH通常都被用于非易失性存储器(NVM)的最佳选择,在大多数应用中,铁电存储器(FRAM)为
2016-02-25 16:25:49
技术节点的新式存储器机制和材料。目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制,相变存储器(PCM)就是其中一个最被业界看好的非易失性存储器,具有闪存无法匹敌的读写性能和升级能力。在室温环境中,基于第六族
2019-06-26 07:11:05
随着电动汽车技术的发展,以及***的政策鼓励与扶持,电动汽车(混动+纯电动)以每年超过50%的速度高速增长,电池以及电池管理系统作为电动汽车的核心组件,其市场需求也获得相应的快速增长。本文将就电池管理系统对存储器的需求进行分析。
2019-07-30 06:46:09
功耗要求。”在类似如上所述的系统中,FRAM 可带来多种优势。 结合我们 FRAM MCU 的非易失性、写入速度和低功耗以及与 AES 模块及存储器保护单元的集成,使得诸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
数据存储器(记录仪)是一种超大容量的数据存储设备。采用嵌入式系统控制芯片,将串口RS-232输入的数据透明存储在SD卡中。 该数据存储器不需要用户对现有设备进行改造,实现数据实时存储。可选择锂电池
2012-04-06 16:56:54
Flash类型与技术特点有哪些?如何去选择uClinux的块驱动器?如何去设计Flash存储器?
2021-04-27 06:20:01
富士通FRAM存储器有哪些特点?富士通FRAM存储器在智能电表中有什么应用?
2021-07-11 06:09:49
如今,有多种存储技术均具备改变嵌入式处理领域格局的潜力。然而,迄今为止还没有哪一种技术脱颖而出成为取代微控制器(MCU)中闪存技术的强劲竞争者,直到FRAM的出现这种情况才得以改变。铁电
2019-08-22 06:16:14
汽车微控制器正在挑战嵌入式非易失性存储器(e-NVM)的极限,主要体现在存储单元面积、访问时间和耐热性能三个方面。在许多细分市场(例如:网关、车身控制器和电池管理单元)上,随着应用复杂程度提高
2019-08-13 06:47:42
的同等闪存存储器更小(具体取决于设计要求)。 同时,我们期待这一交叉点能在 1T-1C 操作和未来工艺技术的简化过程中得到改进。 3.此外,TI 目前尚未将汽车应用作为其嵌入式 FRAM 产品的目标
2018-08-20 09:11:18
富士通半导体(上海)有限公司供稿铁电随机存储器(FRAM) RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起,从而丰富了RFID应用。
2019-07-26 07:31:26
可从全新的地点获得更多的有用数据北京2011年5月4日电 /美通社亚洲/ -- 日前,德州仪器(TI)宣布推出业界首款超低功耗铁电随机存取存储器(FRAM)16位微控制器,从而宣告可靠数据录入和射频
2011-05-04 16:37:37
TPMS技术及轮胎定位原理是什么?如何解决TPMS轮胎换位和调换轮胎时的重新定位问题?怎么实现外置编码存储器轮胎定位技术?
2021-05-14 06:13:50
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别?特点?小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分,片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
MSP430FR2311这个单片机的fram存储地址是什么还有如何设置
2021-06-06 18:21:25
。 随着PCM存储单元压缩,发生状态改变的GST材料体积缩小,所以可使功耗变小或更高的写入性能。PCM技术的这种独一无二的特性使得其缩放能力超越其它存储器技术。PCM在嵌入式系统中的应用嵌入式系统中
2018-05-17 09:45:35
单片机中数据存储器片内的地址是00--7FH,程序存储器的片内地址是0000H--0FFFH,请问这两部分是不是有重叠?请具体详解!~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
最近抽空参加了2013富士通半导体的MCU/FRAM铁电存储器技术研讨会,演讲的是一个华裔日本人,赶脚讲的还是比较中肯滴,他说:“由于FRAM产品采用并行接口,I2C和SPI,采用8引脚SOP封装
2013-07-15 10:19:16
本文分别介绍了存储器的分类、组成、层次结构、常见存储器及存储器的选择,最后描述了计算机存储器的一些新技术。存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中全部信息,包括输入的原始数据
2021-09-09 07:47:39
~0x13FFF。在本文的设计中按照下表来分配FRAM存储器:地址范围容量功能说明0x4400~0x63FF8KB代码存储器保存用户代码0x6400~0xE3FF32KB数据存储器作为存储器
2019-06-12 05:00:08
网络存储器技术是如何产生的?怎样去设计一种网络存储器?
2021-05-26 07:00:22
继《谈谈汽车芯片安全-上篇》之后,本文针对芯片安全存储、FOTA、安全诊断、安全运行环境做了进一步阐述。1.安全存储1.1 OTP存储器一次性可编程存储器(On Chip One Time
2022-02-14 06:21:17
、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到,如果要写很多数据到Flash等传统存储器里,FRAM速度会更快而所需功耗却最低。从擦写数据次数来看,一般存储器写一万来次就到了极限,可FRAM可以在写了10
2021-11-24 07:19:40
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器
2020-05-07 15:56:37
远高于同等容量的EEPROM。在电子式电能表行业中,数据安全保存是最重要的。随着电子表功能的发展,保存的数据量越来越大,这就需要大容量的存储器,而大容量的EEPROM性能指标不是很高,尤其是擦写次数和速度影响电能表自身的质量。FM24C256在电能表中的使用,会提高电能表的数据安全存贮特性。
2019-07-11 06:08:19
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57
);而NVRAM的价格问题又限制了它的普及应用。因此,工程人员在设计电能表的存储模块时,往往要花很大的精力来完善方案,才能使电表数据准确无误的写入存储器中。由于所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能
2014-04-25 11:05:59
的重要组成部分。该电表周期性地捕获电力消耗和环境数据,并且在分配的时间间隙内,将数据存储到非易失性存储器中,从而可以计算和记录数据。每个周期的时间间隙结束后,智能电子式电表将信息上载到与供应基础设施
2021-07-12 07:26:45
介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808 为例说明并行FRAM 与8051
2009-04-15 09:48:25
66 铁电存储器FRAM 是具有低功耗、高写入速度、高耐久力的新型非易失性存储器,应用范围广泛。本文介绍FRAM 及其应用, 并给出FRAM 与MCS-51 单片机的接口电路和软件设计。
2009-05-13 16:25:45
25 介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808 为例说明并行FRAM 与8051
2009-05-16 14:19:53
10 铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:50
4172 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/4C/wKgZomUMM5KAfkM2AABvxpjW0Cc634.jpg)
铁电随机存储器(FRAM) RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感
2010-12-10 10:36:05
822 铁电随机存取存储器(FRAM)是一种非易失性的独立型存储技术,本文将论述FRAM的主要技术属性,同时探讨可充分展现FRAM优势的具体用例。
2012-10-08 15:34:55
1835 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/55/wKgZomUMPPOAdMNNAAAQEOltCEU599.jpg)
近几年,FRAM(铁电存储器)比较火,特别是在三表的应用中。网上也有不少对FRAM技术的讨论。这不,小编看到了一篇分享,是某网友总结的FRAM应用的心得,发布在这里供正在使用和将来要使用FRAM的筒子们参考~
2017-03-24 18:27:17
1915 FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢?
2017-09-17 16:34:22
9447 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/D0/wKgZomUMQJyAG5-MAAAa0KafXHw604.jpg)
选用存储器时主要考虑的指标包括安全性、使用寿命、读写速度、产品功耗和存储容量等。FRAM(铁电存储器)由于具有ROM的非易失性和RAM的随机存取特性,以及高速读写/高读写耐久性(高达1014
2018-06-02 02:46:00
14464 关键词:FRAM , 存储器 引言: FRAM存储器可为可穿戴电子产品带来低功耗、小尺寸、高耐用性与低成本。 正文: 铁电RAM(FRAM)存储器广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间
2018-09-28 15:56:01
270 有新的技术出来。除了主流的电荷捕获(charge trap)存储器外,还有铁电存储器(FRAM)、相变存储器(PRAM)、磁存储器(MRAM)和阻变存储器(RRAM)。
2019-01-01 08:55:00
11607 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/7E/9E/o4YBAFwcOg-AH4CaAAARNJwBLLQ843.png)
本文档的主要内容详细介绍的是PIC18F87K90单片机读写FRAM铁电存储器的方法存储器免费下载。
2019-01-23 16:41:25
32 FM24CL FRAM 存储模块
I2C接口 可排针或排座接入目标板 FRAM外扩存储
型号 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:53
1331 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/AC/D5/pIYBAF3CyKGAI1MIAAD5utwxrIk173.jpg)
高温存储器的详解及推荐 存储器根据不同的分类条件具有多种分类方式: 用途的不同可以分为内存(主存储器)和外存(辅助存储器) 存储介质的不同可分为磁表面存储器和半导体存储器 存储方式的不同可分为顺序
2020-03-16 15:15:44
1447 青岛智腾微电子主打的175度耐高温大容量存储器,具有高低温下快速读写,可靠高、能优良等特点。可长期工作在-45℃~175℃的恶劣环境中。它综合了高能和低功耗操作,能在没有电源的情况下保存数据
2020-03-14 10:11:14
632 高温存储器的详解及推荐 存储器根据不同的分类条件具有多种分类方式: 用途的不同可以分为内存(主存储器)和外存(辅助存储器) 存储介质的不同可分为磁表面存储器和半导体存储器 存储方式的不同可分为顺序
2020-03-23 11:41:21
941 相比于其他市场,汽车市场更为关注技术成熟度。目前FRAM在汽车行业的销售数量已超过8亿台,技术已相当成熟,汽车行业的客户完全可以对此放心无忧 为什么要在汽车中使用FRAM? 与EEPROM
2020-05-26 11:03:43
1080 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/BD/45/pIYBAF7HgtiAep6PAABMExCQVtI815.jpg)
125度的高温环境下运作,专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计,且符合严苛的汽车行业AEC Q100标准规范。希望通过该全新产品系列拓展其汽车市场的各种应用,并支持产品创新的研发项目。 FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长
2020-06-02 14:00:09
941 FRAM器件提供非易失性存储,用10年的数据保存时间,在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件,工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2020-09-19 11:56:48
1727 FRAM是一种铁电存储器,它使用铁电膜作为电容来存储数据,即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速读写,高读写耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:31
1634 新型的存储器既具有RAM的优点,又有非失易失性特征,同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM
2020-10-30 16:47:12
802 “永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能,可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM(磁性只读存储器)和 FRAM(铁电 RAM)都具有相似的性能优势:低电压运行,长寿命和极高的速度。它们
2020-12-14 11:30:00
38 燃料消耗。而在一些收集存储数据的系统,系统的电压可能变化不定或者突然断电,FM20L08 就是针对这些系统可以用来直接替换异步静态存储器(SRAM)而设计的存储器,也是 Ramtron 现有的最大容量的铁电存储器(FRAM),能够进行无限
2020-11-25 11:45:00
20 铁电存储器(FRAM,ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器(DRAM)的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存)结合起来。
2020-12-03 11:53:16
6108 相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,由262,144字×16位非易失性存储单元组成,这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据,而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02
824 ![](https://file.elecfans.com//web1/M00/E9/90/pIYBAGBsG8uAW0JMAADzJrW2FhU171.png)
新能源汽车的核心技术,是大家所熟知的动力电池,电池管理系统和整车控制单元。而高性能存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件。无论是BMS,还是VCU,这些系统都需要实时和连续地对当前状态信息进行
2021-05-04 10:18:00
377 ![](https://file.elecfans.com//web1/M00/EC/2C/pIYBAGB_0PiAFkbOAAB1t9tKmUs689.jpg)
富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM, 富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器,FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域,以及医疗
2021-04-26 15:49:16
689 ![](https://file.elecfans.com//web1/M00/EC/62/o4YBAGCFMwaAdivKAACSj-35Uxg934.jpg)
开发和量产及组装程序。富士通代理商宇芯电子本篇文章简单介绍一下为何可以说FRAM车规级是满足汽车电子可靠性和无延迟要求的优先存储器选择。 为什么这么说?这就要从FRAM的产品特性开始说起。FRAM的学术名字叫做FERAM,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,
2021-05-11 17:17:09
704 ![](https://file.elecfans.com//web1/M00/EE/74/o4YBAGCaS5iAEtj6AARbHTSZgyI984.png)
FRAM是一种新型存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点,与EEPROM、FLASH相比,FRAM的读写更快、寿命更长,FRAM已经应用于IC卡和MCU中,预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点,符合科创板属性,目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
2021-05-11 17:32:20
2107 FM25CL64B-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8,192×8位,可使用行业标准的串行外围设备接口(SPI)总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:04
1683 富士通FRAM是新一代非易失性存储器,其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种
2021-06-28 15:50:41
2599 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/04/3C/pYYBAGDZf1KAH25gAAAvJSLJC84888.jpg)
富士通FRAM(铁电RAM)是新一代非易失性存储器,性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器,功耗更低,速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储
2021-06-28 15:52:46
1394 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/04/39/poYBAGDZf9SAOvwPAAAvIkMp5Ps225.jpg)
FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
2021-07-27 10:29:28
1158 FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器(如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要用于数据保存的备用电池,具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:09
1055 FRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器 (如EEPROM、闪存)相比,FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度
2021-10-28 10:26:56
2565 本篇文章宇芯电子主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况,以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。
2022-01-26 18:30:08
6 什么是FRAM? FRAM(铁电随机存取存储器)是一种非易失性存储器,它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM(只读存储器)和RAM(随机存取存储器)的特性,具有写入速度更快
2022-03-02 17:18:36
766 铁电存储器称FRAM或FeRAM,FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质,利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。 FRAM结构图 FRAM技术特点: 非易失性:断电
2022-11-10 17:00:14
1785 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/79/8A/poYBAGNsvZ-AEjMRAACPPyCtw_M206.jpg)
FRAM存储器提供即时写入功能,无限的耐用性和接近零的软错误率,以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣,因为其使用解决了这些缺点。
2022-11-25 14:19:41
327 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/7D/A8/poYBAGOAXqmAWZtnAADSf5NDrWE007.jpg)
FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
2021-07-15 16:46:56
697 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/08/55/pYYBAGDv9fyAAFKpAACQP-UgGKE625.jpg)
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