英特尔发布新型固态硬盘，助力数据中心升级

（文章来源：雷锋网）

英特尔宣布了两款应用于数据中心的固态硬盘：P4500和P4600，这是自推出首款NVMe SSD以来，其企业级PCIe SSD产品阵容最为重要的更新。率先推出的系列将包含容量为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。

根据英特尔官方的介绍，P4500和P4600是英特尔P3600和P3700系列的后继产品。P4500和P4600通过全新的SSD控制器和3D NAND闪存带来了一系列的性能提升，例如，比上一代快3.3倍的写入速度。

目前大多数英特尔PCIe SSD仍然使用的是20nm MLC NAND闪存，尽管P3500使用英特尔3D MLC替代了P3520，但是P4x00系列产品将使用的是英特尔的32层3D TLC NAND闪存。与英特尔20nm MLC的128Gb（16GB）相比，每芯片容量为384Gb（48GB）。因此，两款全新的产品在容量上有了大幅提升往哪给：P3x00产品的容量从400GB提高到2TB，新的P4500和P4600从 1TB，最初提供高达4TB，预计到年底将有8TB型号。

事实上，自从SLC被市场淘汰后，企业级SSD在过去几年中大都使用的是MLC NAND，但是从目前的市场可以看出，MLC NAND已经在向3D TLC NAND转型。3D NAND拥有很多优势，例如增加耐用性和降低功耗，但最重要的是，它提供了更低的定价和更高的密度。DC P4600和P4500是首款采用英特尔384Gb芯片的32位TLC NAND。

据了解，这两款新产品整合了英特尔的NAND、控制器、固件以及组件，而其控制器具有12个通道（每通道4个CE），用于连接闪存，虽然低于上一代控制器的18个通道，但仍远远高于客户端/面向消费者的NVMe控制器的通道数；此外，在速度方面也有大幅的提升：读取高达3280MB/s，写入为2100MB/s，4K随机读取702.5K IOPS，写入257K IOPS。

英特尔还表示，新的控制器比前几代更具可扩展性，因此未来我们很有可能在同一个平台上看到更高的容量。 当然，在雷锋网看来，P4500和P4600最大的新功能还是完全支持NVMe管理接口标准，这一特性可以让配备IPMI的服务器通过BMC完全访问驱动器的SMART数据和固件更新，而无需考虑服务器上运行的操作系统如何。

值得注意的是，英特尔宣布投资建设大连Fab68工厂并转产3D NAND，而现在英特尔已经计划在中国大连扩建Fab68工厂以扩大3D NAND的供给，进而满足最终用户的存储需求。
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