兆易创新国产DRAM最早2021年量产

北京兆易创新科技股份有限公司（下称：兆易创新）透露，该公司最早将于2021年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证，测试成功后将进行大批量产。

在此之前的9月30日，兆易创新发布的《非公开发行A股股票预案》（下称：《预案》）中介绍：该公司拟募集资金33.2亿元用于DRAM芯片研发及产业化项目。

值得一提的是，长鑫存储12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元，而紫光集团未来十年投资在DRAM领域的投资或高达8000亿元。

而上述长鑫存储项目由兆易创新和合肥产投合作开展。不过，今年9月23日，兆易创新公告称，该公司当时正筹划的上述募资与长鑫存储项目无关，“公司与合肥长鑫等项目实施主体以各自独立发展模式运营”。

目前，中国是DRAM芯片的全球最大市场，但三星、海力士、美光等企业在华占据主导地位，这也使得DRAM成为我国受外部制约最为严重的基础产品之一。

今年以来，兆易创新股价涨幅近230%。截至12月31日A股收盘，该公司股价报204.89元/股，总市值达658亿元。

DRAM芯片（资料图）

募资33.2亿研发DRAM

根据上述《预案》披露，兆易创新拟向不超过10名特定投资者非公开发行不超过6422.4万股（含本数），募集资金总额（含发行费用）不超过人民币43.2亿元。其中，本次募集的33.2亿元将用于DRAM芯片研发及产业化项目，剩余的10亿元将用于补充流动资金。

《预案》中介绍，兆易创新拟通过上述项目，研发1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片并实现产业化。

根据《预案》，兆易创新已组建由数十名资深工程师组成的核心研发团队，涵盖前端设计、后端产品测试与验证，该团队的核心技术带头人员从事DRAM芯片行业平均超过二十年。

12月27日，在回复证监会反馈意见时，兆易创新透露，其首款DRAM芯片计划于2020年展开流片试样，并将于2021年进行封装测试以及完成客户验证，测试成功后进行大批量产。除此之外，其多系列DRAM产品将在2025年之前陆续完成研发及量产。

上述《预案》指出，截至目前，DDR3、DDR4为最主流、最成熟的DRAM技术，2019年电子器件工程联合委员会（JEDEC）发布的DDR5技术标准讨论版，尚在不断完善更新中。

不同代际的DDR技术基本参数

在谈及本次募资研发DRAM芯片的目的时，《预案》中称，本次非公开发行是为发挥该公司在存储器领域的优势，实现高技术产品的进口替代，实现高端通用芯片自主可控，助力国家支柱产业的崛起。

另外，DRAM作为集成电路领域通用芯片，产品标准化，非常适宜于迅速扩张，项目完成后，该公司将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力，竞争力及行业地位将得到提升。

《预案》中还指出，兆易创新的Flash芯片下游客户与DRAM芯片的下游客户重合度较高，且大部分客户应用的系统架构同时包含Flash及DRAM，因此该公司在Flash领域的设计经验将对DRAM芯片设计产生重要的支持作用。

公告截图

长鑫年底交付、紫光布局重庆

中国作为全球最大的DRAM需求市场，国内市场一直被国外厂商垄断，各类型产品严重依赖进口。

根据赛迪顾问的数据，2018年，三星、海力士、美光三家企业的DRAM产品在中国市场的销售总额达到3340.6亿元，约占整个中国DRAM市场的97.6%。

但让人欣慰的是，据电子工程专辑（EETimes）12月3日报道，合肥长鑫存储已宣布成为中国国内第一家也是唯一一家DRAM生产商。

长鑫存储的代表向上述媒体表示，该公司已经完成合肥Fab 1及研发设施建设，月产能2万片，并计划在2020年第二季度将产能提高一倍，达到每月4万片，约占全球内存产能的3%。

长鑫存储厂房效果图 图自长鑫存储

9月30日，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆，首批芯片今年底将交付客户 。

值得一提的是，长鑫存储项目由合肥市产业投资控股集团（下称：合肥产投）和兆易创新合作开展。

2017年10月，兆易创新发布公告，宣布与合肥产投签署合作协议，研发19纳米制程的12英寸晶圆DRAM，预算为人民币180亿元，前者筹资20%。

按照产能的约定，该项目研发及生产的DRAM芯片优先供兆易创新销售并满足其客户的需求；该项目优先承接兆易创新DRAM的代工需求，为其产品的流片、生产提供支持。

今年4月，兆易创新再次公告，与合肥产投、长鑫集成签署《可转股债权投资协议》，以可转股债权方式对长鑫存储项目投资3亿元，履行前述合作协议中约定的部分筹资义务。

9月23日，兆易创新公告称，除了尚未转股的可转债债权外，该公司对上述项目尚无其他出资，其在该项目的后续筹资规模及投入方案尚未最终确定，也无收购合肥产投在项目权益的规划。

兆易创新同时强调，“公司与合肥长鑫等项目实施主体以各自独立发展模式运营”。

除了长鑫存储，紫光今年也开始加码DRAM。6月30日，紫光集团宣布成立DRAM事业群。该集团还计划于年底在重庆开工建设DRAM工厂，主要制造12英寸的DRAM存储芯片，预计2021年量产。

据台湾《经济日报》9月18日报道，紫光集团DRAM事业群CEO高启全表示，目前韩国和美国都不愿将技术授权给中国大陆厂商，因此中国要规避三大厂的专利，不是短时间可以达成的，得靠汇集更多优秀人才，希望五到十年能看到成果。

该报道还称，在政府支持下，紫光集团积极发力DRAM自主生产，内部已计划未来十年投资高达人民币8000亿元，全力推动并积极冲刺DRAM量产。

另外，2016年5月，福建晋华与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术。由晋华支付技术报酬金，开发出的DRAM技术成果，将由双方共同拥有。

然而，去年10月29日，美国商务部发布公告称，将福建晋华集成电路有限公司加入实体清单，对其采取限制出口措施。理由是：“福建晋华即将完成DRAM的量产，该技术可能源自美国。”

11月3日，晋华回应称，晋华公司始终重视知识产权保护工作，不存在窃取其他公司技术的行为。当时，据“DIGITIMES”报道，美国政府下达出口禁令后，晋华斥资60亿美元的半导体厂房直接停摆。

17亿收购思立微

值得一提的是，成立于2005年的兆易创新最初起步于闪存芯片设计行业，主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。

Web-Feet Research数据显示，2018年兆易创新的NOR Flash（代码型闪存芯片）产品全球销售额排名第五，市场占有率为10.9%。

观察者网注意到，在上述募资之前，兆易创新曾于今年6月和7月分别通过增发方式完成14.45亿元和9.78亿元融资。

去年1月，兆易创新发布的募资预案显示，该公司拟以89.95元/股发行股份及支付现金的方式，作价17亿元收购上海思立微100%股权，其中股份支付对价为14.45亿元，现金支付对价为2.55亿元。

同时，兆易创新拟采取询价方式定增配套募资不超10.75亿元，用于支付本次交易现金对价、14nm工艺嵌入式异构AI推理信号处理器芯片研发等项目以及支付本次交易相关的中介费用。

不过，兆易创新2018年10月16日发布公告，将募集资金金额从前次合计10.75亿元调减至9.78亿元。

公告截图

据介绍，思立微成立于2011年，主营业务为智能移动终端传感器SoC芯片和解决方案的研发与销售，提供包括电容触控芯片、指纹识别芯片、新兴传感及系统算法在内的人机交互全套解决方案。

兆易创新表示，本次交易系该公司对集成电路产业同行业优质企业的产业并购，旨在整合境内优质的芯片设计领域资产，获取智能人机交互领域的核心技术，拓展并丰富公司产品线，在整体上形成完整系统解决方案，并有助于强化该公司行业地位，做大做强我国集成电路产业。

今年5月31日，兆易创新发布公告，上述发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金事项之标的资产上海思立微100%的股权过户手续及相关工商变更登记已完成，该公司持有上海思立微100%的股权。

另外，观察者网查询“i问财”发现，兆易创新曾在2017年2月发布总计约68亿元的融资计划，但此后被停止实施。

该公司2月28日发布的融资预案显示，兆易创新拟以发行股份及支付现金的方式收购上海承裕等合计持有的北京矽成100%股权，同时向名建致真、上海承芯等10名特定投资者发行股份募集配套资金，用于支付本次交易的现金对价和中介机构费用。

但当年8月8日，兆易创新公告，北京矽成下属主要经营实体ISSI的某主要供应商认为，该公司此次重组后将成为其潜在有力竞争对手，要求ISSI与其签署补充协议，在此次交易完成时其有权终止相关供应合同。

“经评估，该事项将对北京矽成未来经营业绩造成较大不利影响。交易多方一致同意终止本次交易，并向中国证监会申请撤回重组相关文件。”公告中称。