9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 资料来源:Kioxia Kioxia(原为东芝存储)有望创建3D NAND闪存的后继产品,与QLC NAND闪存相比,该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元
2019-12-23 10:32:214222 电子发烧友网讯: 在28纳米产品和新平开发软件平台Vivado发布后,赛灵思并没有停止新工艺开发的脚步。日前赛灵思宣布了其20纳米的产品规划。 赛灵思全球高级副总裁、亚太区执行总
2012-11-14 10:43:401136 三星电子近日宣布,正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash,并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺,为量产和商用打下了坚实基础。
2013-05-23 09:05:161636 10nm新工艺难产,Intel不得不临时增加了第三代的14nm工艺平台Kaby Lake,但即便如此进展也不快,Intel甚至将其描述为“2017年平台”(2017 Platform)。
2016-07-11 09:44:081243 台积电和三星都将在明年规模量产10nm新工艺,高通、苹果、三星、联发科的下一代处理器自然都会蜂拥而上,抢占制高点,据说第一个将是联发科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591048 全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 10:03:292569 `无线充电时代,第五届手机外壳(2.5/3D玻璃、氧化锆陶瓷)新材料新工艺论坛2018. 04. 20,深圳5G通信呼之欲出,无线充电时代开始来临;苹果、三星已采用,预计2018年无线充电将在
2018-01-22 11:11:41
7nm新工艺的加持:RX 5500 XT可轻轻松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产,这也是该领域的制造工艺首次进军到
2022-01-22 07:59:46
THGBMFT0C8LBAIG闪存芯片THGBMHT0C8LBAIG 为满足5G、云计算、IoT、AI以及智能驾驶等领域所带来的不断增长的数据存储需求,铠侠宣布将在日本岩手县现有的K1工厂旁预留
2022-01-26 08:35:58
吗? NAND闪存与Xilinx Spartan 6兼容吗?有人可以帮助我,谢谢。格拉迪斯以上来自于谷歌翻译以下为原文According to the datasheet, The Spartan 6
2019-05-21 06:43:17
韩国三星电子日前宣布,位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术,生产用于服务器等的NAND闪存(V-NAND)。三星电子希望在IT(信息技术)设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品,可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
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2021-12-28 19:29:41
时间回到2018年第一季度,三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40%,但是第一季度过后NAND价格就开始暴降,据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50%,而根据分析师表示,未来每年
2021-07-13 06:38:27
FPGA在系统中表现出的特性是由芯片制造的半导体工艺决定的,当然它们之间的关系比较复杂。过去,在每一节点会改进工艺的各个方面,每一新器件的最佳工艺选择是尺寸最小的最新工艺。现在,情况已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性,您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台,由于速度需求,不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
)有限公司(以下简称“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工艺的TD-SCDMA射频(RF)芯片,一举弥补了中国TD-SCDMA产业链发展的短板。随后,锐迪科宣布“推出全球首颗支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
应用行业:LED显示屏、U盾、电子称、数显卡尺、万用表工艺介绍:之前邦定板工艺有两种:一种是沉金:优点是上锡好,缺点是不耐磨;另外一种工艺是镀金,优点是耐磨,好邦定,缺点是上锡弱;邦定新工艺可以实现上锡好的同时大大降低成本,可以降低20%的成本,还可以提升良率QQ:2414764046
2019-04-09 10:07:14
最近更新了一下PDK文件,发现用的新的文件仿真以前做的一些模块,一些指标都变了对里面的MOS管进行仿真,发现老工艺库的单管本证增益比新工艺库的还要高。这是什么情况有人遇到过这样的问题吗
2021-06-25 06:47:35
内存卡,全国求购闪迪内存卡。帝欧还回收ssd固态硬盘,回收服务器内存条,回收硬盘,回收cpu,回收芯片,回收传感器,收购连接器,收购钽电容,回收sd卡,收购tf卡。回收工厂库存ic,大量收购工厂库存ic
2021-07-29 19:32:37
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2021-10-15 19:14:40
传统烟草制丝线是以品牌配方的模式组织生产 ,为适应分组加工新工艺在制丝线中的应用 ,要求在品牌配方的基础上 ,引入模块的概念 ,因此传统制丝线的控制程序已不能满足分组加
2009-04-11 10:00:2312 本文介绍了解决微型 MEMS 无缝互连的创新工艺。
2009-11-26 15:32:4216 韩国三星电子公司周一说,它和苹果电脑公司就合资生产NAND闪存芯片的谈判已告失败。NAND闪存芯片是苹果最新便携音乐播放
2006-03-13 13:05:36389 我国研制出废旧电池处理新工艺
北京科技大学及有关科研单位经20多年研究攻关,研制出国内首创的废旧电池物理分选─化学处理新工艺。应用这一新工艺建成
2009-10-28 11:15:42703 三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术,据三星公司
2009-12-02 08:59:23533 新工艺验证规格服务汽车电子市场
中国市场的汽车生产量逐年提升,从2008年到2013年期间,中国车用电子市场的年复合成长率为17.5%,同一时间全球的成长率只有8%
2009-12-18 13:34:18564 Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 英特尔大连厂十月投产 65纳米工艺生产芯片组
英特尔近日宣布,其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。
2010-02-08 09:17:52808 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布,继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品,并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081045 IMFT宣布25nm NAND闪存二季度开售
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚
2010-03-23 11:58:41600 国内光伏企业启用零污染节能新工艺
3月24日早间消息,总部设在保定的太阳能公司英利绿色能源宣布,今年扩展400兆瓦产能,将总产
2010-03-24 08:35:08482 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在:
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型,其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 英特尔今天宣布发布使用新型HET-MLC NAND闪存芯片的 SSD 710型号,MLC就是多层单元封装,HET则代表着高耐久性技术(High Endurance Technology),是为了解决闪存类型与寿命之间的矛盾而诞生的。
2011-09-15 09:28:331450 AMD考虑改变传统的工艺策略,不再一味盲目追新。现在我们谈谈20nm和14nm。我认为我们在亚原子世界中行走得确实很艰难。转换到新工艺所带来的价格优势已经开始模糊
2011-12-18 14:21:13807 据《日刊工业新闻》报道,由于移动设备的需求持续增加,东芝(微博)最早计划今年夏天兴建一座新的NAND闪存芯片工厂。
2012-04-04 18:32:05670 MOSAID Technologies今天宣布,他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的 NAND闪存芯片,让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。
2012-04-06 09:53:211268 东芝(微博)公司计划将NAND闪存芯片的产量削减30%,为2009年以来首次减产。
2012-07-24 09:08:06793 据台媒报道,苹果将会采用新工艺,进一步降低MacBook Pro和MacBook Air设备的零件厚度。
2012-09-27 10:07:46955 在白色LED模块需求以照明用途为中心不断高涨的情况下,日本爱德克公司(IDEC)针对将组合蓝色LED元件和黄色荧光材料实现白色光的模块(伪白色LED模块),开发出了新的制造工艺(图1)*1。新工艺
2013-03-04 10:43:241435 东京—东芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,该公司在闪存峰会(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND闪存和存储产品。
2014-09-03 11:40:13849 设计参考手册(Design Rule Manual,DRM) 与SPICE认证,相比于原16纳米FinFET制程,可以使系统和芯片公司通过此新工艺在同等功耗下获得15%的速度提升、或者在同等速度下省电30%。
2014-10-08 19:10:45663 3月7日消息,虽然东芝是NAND闪存芯片的发明者,但三星目前已经是NAND芯片行业的领跑者,并且其优势在不断扩大。
2017-03-07 15:53:451320 智能硬件是以平台性底层软硬件为基础,以智能传感互联、人机交互、新型显示及大数据处理等新一代信息技术为特征,以新设计、新材料、新工艺硬件为载体的新型智能终端产品及服务。
2017-10-09 14:08:271954 作为台积电最有竞争力的竞争对手,三星联手IBM打造5nm新工艺叫板台积电。
为了实现这个壮举,就必须在现有的芯片内部构架上进行改变。研究团队将硅纳米层进行水平堆叠,而非传统的硅半导体行业的垂直堆叠构架,这使得5nm晶体管的工艺有了实现可能,而这一工艺将有可能引爆未来芯片性能的进一步高速发展。
2018-01-20 19:56:276887 据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2019-04-17 16:32:345462 2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市,领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片,其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价,迄今已经连跌了6个季度。
2019-05-12 09:37:222630 据报道,法国研究机构Leti of CEA Tech研发出一个生产高性能氮化镓Micro LED显示屏的新工艺。相比现有方法,这项新工艺更简单且更高效。
2019-05-17 15:14:172720 东京日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC),该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 在日本的2019 VLSI Symposium超大规模集成电路研讨会上,台积电宣布了两种新工艺,分别是7nm、5nm的增强版,但都比较低调,没有过多宣传。
2019-07-31 15:28:322593 和以往间隔多年推出一代全新工艺制程不同,目前两大晶圆代工厂台积电及三星都改变了打法,一项重大工艺制程进行部分优化升级之后,就会以更小的数字命名。作为韩系芯片大厂龙头的三星在工艺制程方面非常激进
2019-08-26 12:29:002622 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 AMD今年推出了7nm工艺的锐龙、霄龙及Radeon显卡,三大业务全线升级新工艺了,这是Q3季度AMD业绩大涨的关键。
2019-10-31 15:32:332358 但其实在芯片代工方面,还有很多其他不同的工艺和厂商。例如硅锗和SOI等就是其典型代表。另外,还有如MEMS、砷化镓等第三代半导体等工艺也是市场关注的热点。尤其是在即将到来的物联网和5G时代,这些新工艺的关注度正在升温。
2019-12-26 15:22:16970 长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功,型号为X2-6070,并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:062793 无论消费者还是企业机构,大多数人在谈到闪存时,首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲,NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度,使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 11:12:161889 全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 11:12:191922 全 球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 11:12:341883 2020第四届国际新材料新工艺及色彩(简称CMF)展将于2020年11月24日-11月27日在深圳国际会展中心举行,展会以跨界创新,纵向落地为主题,重磅推出5G终端及基站功能材料、消费电子外观效果
2020-09-18 11:13:528483 我们都知道,构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营,今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道,专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储,将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 责任编辑:xj 原文标题:突破!一种5G陶瓷滤波器创新工艺,解决介质陶瓷粉体制备的痛点! 文章出处:【微信公众号:5G半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
2020-09-28 10:02:242054 据国外媒体报道,在 5nm 工艺大规模投产之后,台积电将投产的下一代重大芯片制程工艺,就将是 3nm,目前正在按计划推进,计划在 2021 年开始风险试产,2022 年下半年大规模投产。
2020-10-30 05:43:06689 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术,达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后,自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571857 存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨头美光11月10日正式宣布,将向客户交付176层TLC NAND闪存。 这使得美光成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。 176层NAND支持的接口速度为 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 从96层NAND闪存芯片开始,海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片,已经发展到第三代。从制造上来说,其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:342755 1月28日消息,今日,小米笔记本官方微博再次为RedmiBook Pro预热。 官方表示,手感、质感俱佳,不负期待,新工艺不想放手,这次真的很Pro。 根据此前预热信息来看,新一代RedmiBook
2021-01-28 15:56:181748 众所周知,三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位,占有30%以上的份额。但是,由于竞争对手开始表现出更好的工艺,它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:372217 原定于2021年9月1-3日在深圳举办的“2021第5届国际新材料新工艺及色彩(简称CMF)展览会”将延期至2021年9月27-29日继续在深圳国际会展中心(宝安6号馆)举办,我司将随后公布更具体的相关信息。
2021-09-02 16:22:152080 重要通知:猎板PCB表面处理新工艺-镍钯金于官网正式上线! 在前几天推出的文章中,小编提到了猎板的新工艺镍钯金(也叫化镍钯金、沉镍钯金),这是一种最新的PCB表面处理技术,由于该工艺对工厂的制程能力
2021-10-14 16:00:313095 著名的电源半导体技术公司深圳市锐骏半导体有限公司最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。
2022-03-12 17:57:131195 为了突破露点仪的工艺天花板,奥松电子的研发工程师们创造性地采用了半导体的加工方式,实现了在极小的体积上,瞬间达到所需要的高温,实现了节能、抗污和高效等目标。运用这一新工艺,实现了新的效果。
2022-08-19 15:51:161206 在NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 在NAND闪存的应用中,编程/擦除周期存在限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 新工艺电磁流量计在传统电磁 流量计制造的基础上做了哪些改进?
2023-02-07 13:51:47541 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 研究团队聚焦集成电路领域“卡脖子”技术,研发了一种可以应用于高端电子产品、适应5G通信高频高速信号传输速率,且具有自主知识产权的PCB高精密表面修饰新工艺。
2023-04-25 10:49:37362 闪存存储设备:NAND芯片作为主要的闪存存储媒介,被广泛用于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器、内存卡(如SD卡、MicroSD卡)和闪存盘等。
2023-06-28 16:25:495232 国产划片机确实开创了半导体芯片切割的新工艺时代。划片机是一种用于切割和划分半导体芯片的设备,它是半导体制造过程中非常重要的一环。在过去,划片机技术一直被国外厂商所垄断,国内半导体制造企业不得不
2023-07-03 17:51:46479 DOH新工艺技术助力提升功率器件性能及使用寿命
2024-01-11 10:00:33120
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