单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse),即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时,在单次脉冲(工作到关断)状态下,所能承受的最大能量消耗,单位是焦耳(J),其值越大,器件在电路中遭遇瞬间过电压或过电流情况时越不容易损坏。
2025-05-15 15:32:14
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下面开始今天的正文,看见小小怎么辛苦的份上,滑到底下,给个素质三连? 缓存雪崩 缓存雪崩是指在某一个时间段内,缓存集中过期失效,如果这个时间段内有大量请求,而查询数据量巨大,所有的请求都会达到存储层
2020-10-16 15:22:55
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当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。
2023-04-15 17:31:58
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当功率器件PN结的反向电压增大到某一数值后,半导体内载流子通过碰撞电离开始倍增,这一现象与宏观世界中高山雪崩是很像的,所以我们称之为雪崩击穿。
2023-11-23 16:22:27
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本推文包含两个部分,一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系,一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真,和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32
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在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53
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当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后,芯片最终会损坏,然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
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查询数据,获取数据后并加载到缓存;缓存失效:数据更新写到数据库,操作成功后,让缓存失效,查询时候再重新加载;缓存穿透:查询数据库不存在的对象,也就不存在缓存层的命中;缓存击穿:热点key在失效的瞬间
2021-01-05 17:57:21
)。 当二极管受到高反向电压时,它会经历雪崩击穿。 耗尽层上的电场因反向偏置电压而增加。 入射光进入p+区域,并在电阻性很强的p区被进一步吸收。这里形成了电子-空穴对。 这些夫妇的分离是由
2023-02-06 14:15:47
时,此时源端的载流子注入到耗尽层中,被耗尽层中的电场加速达到漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点,这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而
2019-02-12 13:59:28
求大神相助,Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那,当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
高并发架构系列:Redis缓存和MySQL数据一致性方案详解
2019-03-27 15:55:25
在了解雪崩击穿和齐纳击穿的区别之前我们还是要先搞懂什么叫击穿!击穿就是电介质在足够高的电场强度作用下瞬间失去介电功能的现象。是电介质击穿形式之一。在电场作用下,电介质内少量自由电子动能增大,当电场
2022-03-27 10:15:25
什么是电容击穿?电容器被击穿的条件是什么?电容击穿是开路还是短路?电容击穿的原因是什么?如何避免介质击穿?
2021-06-18 09:59:11
分立电池检测解决方案
2021-02-26 08:38:00
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR,同时标注了测量条件,通常有起始温度25C,最高结温150C或者175C,以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率,这些测量的条件
2017-09-22 11:44:39
基于Blackfin的解决方案 针对ADSP-BF706 BLACKFIN+处理器的EVWSS软件架构基于SigmaDSP的解决方案
2021-01-21 06:25:57
业内首个signoff驱动的PrimeECO解决方案发布
2020-11-23 14:28:15
使用NVRAM的简单解决方案
2021-01-13 06:56:35
如何遥开内外网穿透的问题 --- MCU做简单外网代理 上头要求研究如何让一个在某一内网里的MCU所召开的会议让外网EP(公网或其他能到达公网的EP)参加进来.我提出了两个方案:1. 把原有
2021-11-03 06:29:17
`<p> 挖掘mos管被击穿的原因及解决方案 一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上
2018-11-05 14:26:45
发射端:功率100W内用电端:功率0.5W内距离:50米内,有一次墙体穿透能有这种解决方案不?
2015-07-17 14:04:04
非接触式红外线测温仪受外界环境影响大,现求购能穿透表皮测体内温度的方案或产品。本人QQ764878673
2011-08-10 17:35:12
面试常问,缓存三大问题及解决方案!
2019-06-28 16:41:57
功率MOSFET雪崩击穿问题分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
2009-07-06 13:49:38
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雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思
在材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样,通过空
2010-02-27 11:49:25
3814 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:13
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2012-08-10 13:26:37
21 基于BCH算法的高速缓存纠检错方案研究
2017-01-07 20:32:20
0 雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。
2018-08-20 09:05:09
22852 半导体中的雪崩效应是引起pn结击穿的一种机制。加反向偏压的PN结,其空间电荷区内有很强的电场。
2018-08-20 10:04:18
10995 MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?
2019-05-20 17:21:00
36881 使用Redis 哨兵模式或者Redis 集群部署方式,即便个别Redis 节点下线,整个缓存层依然可以使用。除此之外,还可以在多个机房部署 Redis,这样即便是机房死机,依然可以实现缓存层的高可用。
2019-09-13 11:37:00
27268 《涨知识啦7》---雪崩击穿的判断条件:两系数,一积分 大家好,上周小赛收到童鞋的留言,不知道怎么判断器件是否达到雪崩击穿?那么本周小赛就给大家细致地讲解一下如何去判断雪崩击穿的条件。各种电子器件
2020-04-07 15:54:16
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缓存的主要手段有:浏览器缓存、CDN、反向代理、本地缓存、分布式缓存、数据库缓存。
2020-06-13 12:04:40
5390 设计一个缓存系统,不得不要考虑的问题就是:缓存穿透、缓存击穿与失效时的雪崩效应。 缓存穿透 缓存穿透是指查询一个一定不存在的数据,由于缓存是不命中时被动写的,并且出于容错考虑,如果从存储层查不到数据
2021-02-08 11:40:00
3460 IGBT关断时,如果关断过快,di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51:27
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众所周知,对于传统的二极管来说,雪崩击穿是一种常见的由载流子碰撞主导的击穿方式。然而,除了雪崩击穿外,还存在另一种造成功率二级管电流瞬间增大的效应,即齐纳击穿。齐纳击穿是在强电场和隧道效应的作用下
2021-06-10 16:11:53
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一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流,因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28:22
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在博文 利用LED来作为单光子雪崩检测器[2] 中介绍了 油管上Robotix的LED单光子现象[3] 。 对于LED反向SPAD效应之前没有注意过, 下面通过实验来观察手边 一些LED反向击穿过程是否会出现单光子脉冲现象。
2023-01-31 17:29:00
2405 功率器件作为电力电子装置的核心器件,其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题,雪崩能力其中一个很重要的指标,如何理解雪崩,单次雪崩和重复雪崩是如何定义的,以及雪崩会带来哪些危害
2023-02-06 13:54:24
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当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离,从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30:07
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今天给大家介绍一下如何在SpringBoot中解决Redis的缓存穿透、缓存击穿、缓存雪崩的问题。
2023-04-28 11:35:19
1197 解决方案 对空值进行缓存 设置白名单 使用布隆过滤器 网警 雪崩解决方案 进行预先的热门词汇的设置,进行key时长的调整 实时调整,监控哪些数据是热门数据,实时的调整key的过期时长 使用锁机制 击穿解决方案 进行预先的热门词汇的设置,进行key时长的调整 实时调整,监控
2023-05-23 09:54:00
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EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。
2023-05-24 09:51:30
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10.1.1碰撞电离和雪崩击穿10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端第10章功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP
2022-04-02 11:05:59
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01 反 向雪崩击穿 一、背景介绍 根据 Using LED as a Single Photon Detector [1] 所介绍的红色LED的单光子雪崩反向击穿电流效应, 在博文
2023-06-30 07:35:04
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就Java而言,其常用的缓存解决方案有很多,例如数据库缓存框架EhCache,分布式缓存Memcached等,这些缓存方案实际上都是为了提升吞吐效率,避免持久层压力过大。
2023-07-29 11:21:07
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在日常的电源设计中,半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题,本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制,以及在设计应用中注意事项。
2023-09-19 11:44:38
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电压(即电子从N型到P型流,空穴从P型到N型流)时,电流开始猛增。反向击穿的形式有多种,下面将进行详细介绍。 1. 雪崩击穿 雪崩击穿是PN结的一种常见反向击穿形式。在PN结中,正电子和电子在p区和n区之间运动,并且它们相互碰撞后会发生电离
2023-09-21 16:09:47
4366 为什么PN结的雪崩击穿和齐纳击穿在温度升高的情况下,击穿电压变化方向相反? PN结是半导体器件中最基本的组成部件之一,广泛应用于电力、电信、信息处理等领域。PN结的雪崩击穿和齐纳击穿是PN结失效
2023-09-21 16:09:51
6122 什么是雪崩击穿?单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同?雪崩击穿失效机理是什么? 雪崩击穿是指在电力系统中,由于过电压等原因导致绝缘击穿,进而引发设备失效的一种故障现象。在电力系统中,绝缘是保证设备正常运行
2023-11-24 14:15:36
4416 何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点? PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时,PN结将发生击穿现象,电流迅速增大,导致结电压快速降低。击穿是指在正向或反向电压
2023-11-24 14:20:27
5307 使用Redis或AmazonElastiCache来作为缓存加速已经是业界主流的解决方案,二者各有什么优势?又有哪些区别呢?文况速览:Redis是什么?RedisEnterprise
2023-11-26 08:06:20
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作者最近在开发公司项目时使用到 Redis 缓存,并在翻看前人代码时,看到了一种关于 @Cacheable 注解的自定义缓存有效期的解决方案,感觉比较实用,因此作者自己拓展完善了一番后分享给各位。
2023-11-28 10:44:14
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崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象,它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、雪崩击穿 物理机制 雪崩击穿是指在高电场作用下
2023-12-30 17:06:00
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缓存预热就是系统上线后,提前将相关的缓存数据直接加载到缓存系统。
2023-12-25 09:41:02
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雪崩击穿(Avalanche Breakdown)是半导体器件中一个关键的物理现象,特别是在PN结二极管和各种类型的功率晶体管中。当这些器件的反向电压超过一定的临界值时,会突然有大量电流流过原本
2024-02-23 17:06:03
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雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗? 雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念,它是指当高压电力系统中的绝缘体遭受较高电压的冲击时,导致电流通过绝缘体并破坏其原本的绝缘性
2024-03-26 16:12:17
5525 雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。
2024-04-09 17:06:03
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电流。但是,故障不是永久性的。当这个大的反向偏置被移除时,二极管将恢复到正常状态。二极管的击穿可以有两种类型:(a)齐纳击穿和(b)雪崩击穿。
2024-05-05 14:38:00
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PN结发生齐纳击穿是一种特殊的物理现象,它在特定的条件下发生,允许电流在低于雪崩击穿电压的情况下流过PN结。
2024-05-29 17:33:23
2924 击穿大致可以分为电击穿、热击穿和局部放电击穿三类。 一、电击穿 定义:电击穿是一个复杂的电子过程,可以通过本征击穿理论和“雪崩”击穿理论等多种描述方法来解释。本征击穿理论关注材料的内在特性,而“雪崩”击穿理
2024-06-09 17:06:00
3843 雪崩耐量是功率器件性能评估的关键指标,那么什么是雪崩耐量呢?即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿能力
2024-08-15 16:29:45
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雪崩二极管(Avalanche Diode)是一种特殊的二极管,其工作特性主要基于雪崩击穿效应。这种器件在电子领域中具有广泛的应用,其独特的特性和作用使其在多种电路设计中发挥关键作用。
2024-09-23 18:12:02
3145 功率放大器测试解决方案分享——交流电场薄膜击穿研究
2024-10-18 08:00:48
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缓存击穿,Redis中的某个热点key不存在或者过期,但是此时有大量的用户访问该key。比如xxx直播间优惠券抢购、xxx商品活动,这时候大量用户会在某个时间点一同访问该热点事件。但是可能
2024-10-23 13:54:09
867 在电子与电气工程领域,雪崩失效与过压击穿是两种常见的器件失效模式,它们对电路的稳定性和可靠性构成了严重威胁。尽管这两种失效模式在本质上是不同的,但它们之间存在一定的联系和相互影响。本文将深入探讨雪崩失效与过压击穿的发生顺序、机制、影响因素及预防措施,为技术人员提供全面、准确的技术指导。
2025-01-30 15:53:00
1271 内网穿透技术凭借其便捷的互联互通能力,已成为众多个人用户与企业实现跨网络访问的主流解决方案。相较于传统专线网络,内网穿透方案无需依赖公网IP资源,部署流程简单高效,且方案灵活性显著,能快速适配多样化
2025-05-13 11:28:04
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无论是个人想要远程访问家中的设备,还是企业实现高效的远程办公与资源共享,内网穿透都是关键所在。然而,传统的内网穿透方案却问题重重,企业急需新的选择。 1. 传统方案 ① 公网IP:成本高、风险
2025-05-15 14:14:07
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在内网穿透部署中,哪怕是老手也可能踩坑!今天整理了6大高频错误场景+实战解决方案,帮你少走弯路,效率翻倍 1.端口映射失败:访问显示「连接超时」 ❌错误原因: 本地服务未启动或端口被占用 防火墙
2025-05-20 12:14:48
607 用户疯狂查询数据库中不存在的数据,每次查询都绕过缓存直接打到数据库,导致数据库压力骤增。
2025-08-20 16:24:14
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