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电子发烧友网>存储技术>Arasan推出NAND闪存全IP解决方案

Arasan推出NAND闪存全IP解决方案

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NAND闪存应用中的磨损均衡介绍

NAND闪存的应用中,编程/擦除周期存在限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

开放式NAND闪存接口规范说明书

本规范定义了标准化NAND闪存设备接口,该接口提供了设计的系统支持一系列NAND闪存设备,无需直接设计预关联。该解决方案还为系统提供了无缝利用在系统设计时可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

Arasan宣布立即推出第二代MIPI D-PHY

Arasan Chip Systems是移动和物联网SoC半导体IP的领先供应商,今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC设计的第二代MIPI D-PHY IP
2023-05-19 14:51:22570

基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%

基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,采用了232层3D TLC NAND闪存;速度提升很大,可以达到最高
2023-07-19 19:02:21865

Arasan发布无缝集成CANsec加速器IP的CAN-XL IP

汽车SoC半导体IP领域的顶级提供商Arasan推出了一个完全集成的解决方案:结合CANsec Acceleration IP的CAN-XL IP(适用于安全CAN总线事务)。 圣何塞2023
2023-08-04 11:05:24569

pSLC 闪存介绍:高性能和耐久性的闪存解决方案

在当今科技时代,数据存储需求急剧增长,NAND闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来,虚拟SLC(pSLC)闪存技术的引入,为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨pSLC闪存
2023-08-02 08:15:35793

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

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