中国上海,2022年6月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品
2022-06-07 13:49:202650 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器,可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451311 Vishay Intertechnology宣布,推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT,可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。
2018-03-07 13:57:098754 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 m,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:005407 首先说一下电源IC直接驱动,下图是我们最常用的直接驱动方式,在这类方式中,我们由于驱动电路未做过多处理,因此我们进行PCB LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度,增加走线宽度,尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置,从而达到减少寄生电感,消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后,设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中,我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求,然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出双通道螺线管驱动器IC“TB67S112PG”,其可实现高压低导通电阻驱动。该产品于今天开始批量生产。
2019-09-27 09:16:031766 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出新型3相无刷电机驱动器“TB67B000AHG”,能满足空调、空气净化器、除湿器和吊扇等家用电器的需求。
2019-09-30 15:38:382374 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款通用电源IC---“TB9045FNG”,该器件通过多路输出实现汽车应用的功能安全[1]。这款新型IC提供四种供货版本,输出电压为1.1V至1.5V。量产已于本月开始。
2019-12-10 15:04:361211 东芝推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。
2021-11-30 15:24:191319 东芝电子宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 中国上海, 2023 年 2 月 28 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC[1]---“TB9083FTG”,该IC适用于电动转向助力
2023-02-28 14:17:30418 出货。 新产品是 东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品 ,其封装支持栅极驱动信号
2023-09-04 15:13:401134 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
你好,我正在寻找这两个MOSFET的驱动器IC,FDD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的逻辑由CPLD产生,为3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。这些
2018-10-25 14:27:53
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
东芝推出了TZ1041MBG,希望满足市场对能够支持多个外部传感器的物联网设备日益增长的需求,其提供一个利用蓝牙的扩展集线器功能的多功能通信环境。
2020-05-18 06:20:47
中国上海,2023年2月28日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”,该IC适用于电动转向助力系统(EPS
2023-02-28 14:11:51
中国上海,2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
(潮光光耦网整理编辑)2012-07-05 Data sheet: TLP2955, TLP2958由于线路板的尺寸进一步缩小,使得线路板在工业设备和家电领域中以更高要求的紧密度进行封装,这也
2012-07-05 15:47:01
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
芯片面积和尺寸的IC,为了提高系统效率并放宽驱动器内的热调节要求,RDS(ON) 值越低越好。时 序栅极驱动器时序参数对评估其性能至关重要。包括ADuM4120在内的所有栅极驱动器的一个常见时序规格
2021-07-09 07:00:00
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时,还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别:内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身(芯片)的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
近日,惯性传感器模块制造商XSENS宣布,随着该公司推出新款兼容RTK的惯导产品,新一代高性价比的惯性传感器产品将具备厘米级定位能力。 基于常规卫星定位信号使用RTK(实时动态定位)扩展功能
2020-07-07 09:01:12
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比,SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
驱动器。该新款IC采用紧凑的MLPQ48封装,与以前的产品相比可以缩小一半的电路板尺寸。IRS2093提供了误差放大器、PWM比较器、栅极驱动器和可靠的保护电路。新款器件除了具有频率高达800kHz的仿真
2011-03-05 21:49:31
,对于高功率同步整流器电源,需要电阻来偏置LED和光电晶体管,需要栅极驱动器IC来提供光耦合器无法提供的高峰值电流。对于先进的紧凑型电源,光耦合器解决方案的尺寸显得过大。ADuM3220 4 A栅极驱动
2018-10-15 09:46:28
索尼系列 收购图片ic 收购摄像模组 收购收购摄像头,收购LCD驱动IC,深圳回收芯片,高价求购芯片,回收东芝IC,收购东芝IC!!!优势回收以下东芝ic型号:TH58BYG3S0HBAI6
2021-07-17 16:26:38
器,能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流,并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器,可轻松用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器,但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先,是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
安国半导体主要是在u***主控 sd卡这方面处于领先地位,现在为扩大经营范围 特推出新款触摸按键 价格比义隆合泰都更有优势 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以过要是感兴趣的话可以 联系***
2013-10-08 15:48:39
V或5 V逻辑电平提升到15 V或更高的电压,以便驱动MOSFET的栅极。遗憾的是,为了驱动高电流同步整流器电路,可能需要一个单独的高电流栅极驱动器IC。还有一点需要考虑:脉冲变压器不能很好地处
2017-04-05 14:05:25
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
芯讯通推出新款超小尺寸5G模组SIM8202G-M2
2020-12-18 06:51:55
SiC-MOSFET用作开关而专门设计的电源用IC。这意味着SiC-MOSFET的栅极驱动与Si-MOSFET是不同的。您可能马上会问“有什么不同呢?”,在介绍电源IC之前,先来了解一下SiC-MOSFET
2018-11-27 16:54:24
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39:53
。 TI的产品组合包括具有行业领先的高速导通传播延迟的栅极驱动器。参见表1。 类别设备描述开启传播延迟高速驱动器UCC27517A4A / 4A高速低侧栅极驱动器13nsUCC276114A / 6A
2019-03-08 06:45:10
Sipex公司推出新款线性恒流LED驱动器——SP7615。该器件专为驱动高输入电压轨(最高电压为+16V)上的多个串联LED而设计。SP7615适合于中型尺寸的LCD模块背光
2006-03-13 13:07:46668 功率MOSFET的隔离式栅极驱动电路
2009-04-02 23:36:182182 Richtek推出新款纯BUCK架构的HB LED高质量驱动IC-RT8453
立遄科技应市场需求推出单纯的BUCK架构的HB LED高质量驱动IC-RT8453。相较于目前市面
2009-05-20 15:43:281109 利用低端栅极驱动器IC进行系统开发
低端栅极驱动器IC是专用放大器,普遍用于电源设计中,根据来自PWM控制器的输入信号开关接地参考MOSFET和 IGBT。对于低于100~200W
2009-12-12 09:46:16751 Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器,设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC
美国国际整流器公司(IR)上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,
2011-03-02 10:19:301341 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术
2011-06-16 09:35:042537 Allegro宣布推出新款汽车级三相MOSFET预驱动器IC,专为在电动助力转向系统中常见的BLDC电动机、发动机风扇、变速箱作动器和液压泵设计
2011-08-15 08:46:381191 东芝新推出一系列采用小型SO8封装的IC光电耦合器TLP2451是一款使用图腾柱输出的IGBT / MOSFET栅极驱动光电耦合器
2012-03-13 11:08:413462 东芝光耦 IGBT/MOSFET,List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011092 东芝最新推出低电流驱动5 Mbps逻辑IC耦合器: TLP2955, TLP2958
2012-07-05 10:51:143387 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品,包括经过最佳化的μPA2766T1A,做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10939 新近,东芝公司(Toshiba Corporation)推出新款单通道单刀双掷(SPDT)总线开关IC,支持PCI Express Gen3 (8Gbps),可在-3dB时实现11.5GHz的宽广带宽。
2013-04-01 11:11:34930 10 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5,该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271040 东京—东芝公司今天宣布面向汽车应用推出有刷电机[1]预驱动芯片(IC)—TB9052FNG。样品出货将于8月启动,而量产计划于2015年3月启动。
2014-08-08 13:09:091536 东京—东芝公司今天宣布推出“TC78H610FNG”。“TC78H610FNG”是东芝公司H桥[1]驱动器芯片(IC)系列的最新产品,适用于低电压有刷直流电机,如用于电池驱动设备、相机设备和家用电气设备的电机,量产出货即日启动。
2014-08-08 13:34:061396 东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布推出适用于步进电机的一款双单极电机驱动器芯片(IC)TB67S158。
2014-09-03 14:09:071617 东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨对轨输出栅极驱动光电耦合器,用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。
2014-10-08 18:19:061449 东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比,IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用,因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET,新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代,还有什么是高效率不能解决的呢?
2018-09-13 15:54:155102 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今天宣布,面向直流有刷电机和步进电机推出双H桥驱动器IC系列的新产品“TC78H653FTG”,该新品可提供移动设备、家用电子产品及USB驱动器等干电池供电设备所需的低电压(1.8V)和大电流(4.0A)。
2018-12-25 15:33:021475 MOSFET栅极驱动的振荡现象
2019-04-18 06:16:0024537 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出新款通用电源IC---“TB9045FNG”,该产品通过多路输出实现汽车应用的功能安全。
2019-12-24 17:27:263846 来源:罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等,因为MOSFET有个栅极电容,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分;驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 东芝面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。
2021-02-25 14:14:40951 ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已向市场推出了“TCK12xBG系列”负载开关IC,其静态电流[1]显著降低,额定输出电流为1A。这些新型IC采用小型WCSP4G封装,将支持产品开发者研发
2022-01-16 10:12:545262 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”,这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压,并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。
2022-02-12 09:18:511289 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能,并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
2022-06-09 10:00:301636 近日,东芝研发出新款4.5-kV双栅极反向传导注入增强型栅极晶体管(RC-IEGT)。经测试证实,相比于传统单栅极结构,该产品在导通关断时的总功耗(开关损耗)可降低24%。
2022-06-30 17:09:381097 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出其步进电机驱动IC产品线的新成员“TB67S549FTG”。这是一款采用小型封装的步进电机驱动IC,内置恒流控制功能,无需借助外部电路元件。新款驱动IC有助于节省电路板空间,适用于办公自动化和金融设备等工业设备。该产品于今日开始出货。
2022-08-26 10:58:31671 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线,推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
2022-08-31 17:58:551219 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53480 本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流 是mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0335 新品速递 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC
2023-02-02 11:10:02906 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率器件。
2023-02-02 11:09:39991 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分,在逆变器控制MCU,及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。
2023-02-02 11:10:21898 新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC
2023-02-10 16:58:26187 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中,驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC[1]---“TB9083FTG”,该IC适用于电动转向助力系统(EPS)、电动制动系统和线控换档系统等应用。产品于今日开始批量出货。
2023-03-02 16:06:451798 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态抑制(CMTI)和150Mbps的高速数据速率。该系列六款产品于今日开始支持批量出货。
2023-05-10 09:37:18600 传统栅极驱动器的实现需要隔离栅极驱动器和单独的隔离电源,在系统组装时,驱动器、电源和FET之间的连接可能会带来不必要的噪声,并产生电磁干扰(EMI),从而降低系统性能。而要减轻这些影响可能会带来更多设计复杂性,增大项目进度时间和成本,以及解决方案的体积和重量。
2023-07-13 09:47:40361 介绍
在设计电源开关系统(例如电机驱动器或电源)时,设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求?什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器?以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。
2023-09-07 09:59:32734 驱动光耦产品线,近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC,内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器,光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526 MOSFET栅极电路电压对电流的影响?MOSFET栅极电路电阻的作用? MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中,栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 也越来越突出。 用于MOSFET栅极驱动IC应用的负载开关恰恰可以配合电源管理IC动态关闭非活动电路区块,在降低功耗、节省电力的同时提高可靠性。根据需求和产品的不同,除了开关功能外,负载开关IC还可以提供过压及欠压保护、热关断、反向
2023-11-06 12:20:02241 ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB栅极驱动器IC。该器件可实现纳秒 (ns) 级的栅极驱动速度,因此非常适合高速 GaN 功率器件开关。 通过对氮化镓技术的全面
2023-11-14 15:04:58438 东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)近日宣布,其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源,展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
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