加州,埃尔塞贡多: 2022年4月22日:纳微半导体今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo全新发布的首款折叠屏旗舰vivo X Fold
2022-04-24 10:45:243432 2022年1月18日,纳微半导体正式宣布,其新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手机所标配的120W超快闪充迷你充电器中。
2022-01-19 09:29:022551 GaNFast™功率芯片为一加ACE手机实现超快充,电量从1%到100%只需充电17分钟 加利福尼亚州埃尔塞贡多 2022年8月11号讯 - 纳微半导体(纳斯达克股票代码: NVTS),氮化
2022-08-12 16:36:508132 的RAM将不会满足所需,宏旺半导体ICMAX LPDDR4X 8GB满足5G时代手机、平板和超薄笔记本对运行内存的要求, 大容量国内行业领先单颗8GB,可提供每秒34.1GB的数据传输速率,同时最大
2019-08-17 10:10:01
65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比,氧化镓的禁带宽度远高于后两者,其禁带宽度达到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
今日,国内原创耳机品牌1MORE 万魔耳机在上海发布了首款电竞耳机——1MORE Spearhead 电竞头戴式耳机。活动现场,华语流行天王暨“1MORE创意官”也亲临现场,与之一起开启“1MORE的电竞时代”。
2020-05-20 06:06:16
你的运动轨迹,同时将数据同步到手机端生成地图,支持微信运动模式,与好友共享运动乐趣!F1智能手表是一款可以打电话的智能电话手表,就像手机一样独立插卡及自由拨打,接听电话,短信接收等功能,实现就算不带
2018-05-18 11:32:23
(IGBT),现在出现了氮化镓(GaN)晶体管,可让切换电源的体积大幅缩小。 例如,Navitas半导体推出尺寸最小的65W USB-PD (Type-C)电源转换器参考设计NVE028A,正是
2018-10-23 16:12:16
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
手机快充是如何实现的?
2021-09-26 07:17:28
手机电池充不进电去,测电池电压为0V,怎么处理一下呀
2014-08-05 21:06:31
,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54
;这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围;随着小米65W的充电器的发布,快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会,使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
65W 双口氮化镓充电器可以同时对两台设备进行 PD 快充,支持手机 + 手机、笔记本 + 手机等不同设备搭配使用。侦测到两台设备同时供电需求时,智能调整输出功率为45W + 18W,实现双口同时快充
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作,布局和控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能,确保了氮化镓功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会,从而极为有效地缩短了产品上市
2023-06-15 15:32:41
`从研发到商业化应用,氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新,其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响,并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
板上看出,得益于使用合封氮化镓器件,芯片无需辅助散热措施即可满足27W的连续输出,并且合封将控制器和开关管集成在一颗芯片内,初级的元件也十分精简,可满足高性价比的氮化镓快充设计。钰泰半导体
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例:高密度手机充电器•应用实例:高性能电机驱动器•应用示例;高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术,瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品,这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多:半导体器件可靠性更高,氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多,即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同,我们可以将成本做到很低,在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代,需要的器件越来越多,价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室测试对象:氮化镓半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
由于换了三星手机,之前的充电器都不支持快充了,一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在开发中。微控制器和数字信号处理器(DSP),也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构,而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料,已经可被使用了。
氮化镓功率芯片
2023-06-15 15:53:16
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
运行时的电性能和效率要比传统的硅材料高得多。对于已被实际使用的碳化硅半导体和氮化镓半导体来说,其耐受电压(高于标称电压,用于保持可靠性的基础电压)的需求是不同的。例如,碳化硅耐电压大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
行业标准,成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配,基站功放使用氮化镓。氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
有庞大的半导体需求, 是另二个发展的亮点。至于智能手机,则在短短几个月内就成了过气明星,不再是台积电的成长动能之一,意味着2018年来自智能手机的半导体需求将会明显趋缓,也就是今年的手机市场将会非常没有
2018-01-29 15:41:31
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述:NV6127是一款升级产品,导通电阻更小,只有 125 毫欧,是氮化镓功率芯片IC。型号2:AON6268丝印:6268属性:分立半导体产品 - 晶体管封装:DFN-8参数FET 类型:N 通道
2021-01-13 17:46:43
朋友叫我做一块板子,要求输入5V电压,输出30路5V1A,每一路输出有单独开关。没想到这块板子他是拿去给手机充电的,充电过程中充坏了几个手机,检查说是手机电路板漏电烧了,我一时也想不明白为什么会充坏
2020-12-07 17:07:48
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案,或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题,尽管不排除芯片可能存在不适用的领域,但是大部分时候是应用层面的问题,和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
,DPAK MOSFET的优势在于组件厚度和封装工艺的简便性。在此参考设计中,FPC级使用两个并联的IPD50R280CE,LLC级使用2个IPD50R1K4CE。 120W TV电源参考设计之主要组件
2018-11-30 17:19:29
,DPAK MOSFET的优势在于组件厚度和封装工艺的简便性。在此参考设计中,FPC级使用两个并联的IPD50R280CE,LLC级使用2个IPD50R1K4CE。 120W TV电源参考设计之主要组件
2018-10-10 15:09:08
的测试,让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题,泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课,氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
大幅降低电流在保护板上的损耗,随着手机充电功率达到200W,电池端的电流达到20A。传统硅MOS温升明显,甚至需要辅助导热措施来为其散热。使用氮化镓代替硅MOS之后,可以无需导热材料,降低快充过程中
2023-02-21 16:13:41
、努比亚、魅族在内的六款氮化镓快充充电器。加上华为在P40手机发布会上,也发布了一款65W 1A1C氮化镓快充充电器,成为第七家入局氮化镓快充的手机厂商。从各大知名手机品牌的布局来看,氮化镓快充普及趋势
2021-04-16 09:33:21
2C1A二合一氮化镓超极充、绿联140W 2C1A氮化镓充电器,英集芯的其它系列快充芯片已被小米、华为、三星等大品牌的产品使用,性能质量获得客户的高度认可。
输出VBUS开关管均来自威兆半导体
2023-06-16 14:05:50
,其中第一梯队有英诺赛科、纳微、EPC等代表企业。其中英诺赛科是目前全球首家采用8英寸增强型硅氮化镓外延与芯片大规模量产的企业,也是跻身氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表。
2019-07-05 04:20:06
,以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1:氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体,于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,如果不妥,请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 编辑
氮化镓作为第三代半导体器件,凭借其优异的性能,在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌,茂睿芯一直潜心研发
2021-11-12 11:53:21
的独特性意味着,几乎所有这些材料都不能用作半导体。不过,透明导电氧化物氧化镓(Ga2O3)是一个特例。这种晶体的带隙近5电子伏特,如果说氮化镓(3.4eV)与它的差距为1英里,那么硅(1.1eV)与它的差距
2023-02-27 15:46:36
半导体(Navitas)今日市值也就9.4亿美元,而且包括了第三代半导体的另一重要组成部分、收购自GeneSiC的碳化硅业务(想要更多了解的读者可以参考《从纳微看半导体产业并购》)。仅有氮化镓业务
2023-03-03 16:48:40
会产生热量。这些发热限制了系统的性能。比如说,当你笔记本电脑的电源变热时,其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量,并且降低了它的效率。由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料,它的发热量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
设备、网联汽车、 PC和可穿戴设备,并带来卓越体验。骁龙品牌标识醒目地出现在车队的2023款赛车——梅赛德斯-AMG F1 W14 E PERFORMANCE的车身上,这款车于今日在英国银石赛道亮相
2023-02-16 09:48:03
DU28120T射频功率 MOSFET 晶体管 120W,2-175MHz,28V数字金属氧化物半导体 射频功率 MOSFET 晶体管 120W,2-175MHz,28V 数字
2022-11-29 10:41:01
2021年1月11日晚,iQOO正式发布了iQOO 7手机,这是今年第一款骁龙888旗舰机,还带来了120W超级快充,15分钟即可充满。
2021-01-12 10:05:432157 小米、紫米近日接连发布 33W 氮化镓充电器,以 5W 充电头的小巧体积实现了 33W 快充。据微博 @数码闲聊站 爆料,小米即将发布 120W GaN 氮化镓充电器,可以给小米 10 Ultra
2021-02-28 11:34:284005 纳微半导体今日宣布,小米正式发布新款智能手机小米 Civi,配备采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的 55W 氮化镓充电器。
2021-10-08 11:45:091905 随着发布会预告更新,可见我们即将迎来22年度的首批新品发布热潮,上周三星S22系列发布,这两日Redmi与红魔纷纷发布新机。一边是RedmiK50电竞版,一边是游戏手机红魔的最新系列,不知谁才会
2022-02-17 17:59:362834 为热爱狂奔的人,总会在同一赛道上迎面拥抱,极速相遇。K50电竞版新伙伴,正式官宣。
2022-02-19 14:12:062106 随着3月的到来,手机厂商加速了新机发布的节奏,Redmi今天官宣了K50宇宙“超大杯”的性能表现,让网友们期盼的搭载天玑9000的K50超大杯终于开始预热了!根据Redmi红米手机官微公布的信息来看
2022-03-11 14:36:271735 近期,关于联发科天玑9000旗舰芯量产终端的消息越来越多,大量的粉丝和用户都在关注着各大手机厂商。就在昨天,红米公布了Redmi K50超大杯的实测成绩,实属惊艳!60分钟《原神》测试,59帧温度
2022-03-11 17:04:021448 天玑9000的红米K50 Pro和全球首发天玑8100的红米K50正式发布。下面就让我们来看看这两款手机都有哪些亮点。 联发科天玑9000与天玑8100组成天玑战队,为红米 K50 Pro和红米 K50带来“狠”超想象的强劲性能和出色能效,搭配三星2K直屏、OIS光学防抖相机、VC液冷立体散
2022-03-18 13:15:244082 “豪横高性能、恐怖低功耗”,这是Redmi官方在Redmi K50系列发布会上对于天玑9000芯片的夸赞。多年来,对于旗舰芯片、手机来说,高性能和低功耗之间似乎总是有着天生的矛盾,旗舰手机为用户带来
2022-03-21 09:12:306861 近期发布会非常多,也好久没有分享拆解类内容,今天小e翻出了疫情前拆解的Redmi K50电竞版,大致整理出了拆解步骤,这次就来看看关于Redmi K50 电竞版的拆解吧! 作为电竞版手机,需要性能
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2022-04-18 16:51:29744
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