MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-07-26 08:30:00
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三星电子（Samsung Electronics）与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输（Spin Transfer Torque）磁性存储器（STT-MRAM）。两家公司也表示，预计
2016-08-01 11:04:32953 0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
存储器(DRAM)类似的高密度，而且还具有读取无破坏性、无需消耗能量来进行刷新等优势，因为磁体没有漏电(leakage)之说。MRAM 与闪存（FLASH)同样是非易失性的，它还具备了写入和读取速度相同
2020-11-26 16:23:24
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
求大神详细介绍一下STT-MRAM的存储技术
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM万能存储器芯片
2021-01-06 06:31:10
STT-MRAM技术的优点
2020-12-16 06:17:44
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
存取速度分类)：1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差强人意的分类为(按易失性分类)：1、易
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存储器4.1概述存储器可分为那些类型现代存储器的层次结构，为什么要分层一、存储器分类1.按存储介质分类（1）半导体存储器TTL、MOS易失（2）磁表面存储器磁头、载磁体（3）磁芯存储器
2021-07-29 07:40:10
1. 存储器理解存储器是计算机结构的重要组成部分，存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存储器的分类存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据，从不同的角度对存储器可以做不同的分类。1、按存储介质分半导体存储器（又称易失性存储器）：体积小，功耗低，存取时间短，电源消失的时候，所存的信息也随之消失。磁表面存储器（...
2021-07-26 08:30:22
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
写入每个数据字节。这意味着，系统存储器密度增长时，工程师不必担心页面缓冲区大小的变化。就写入耐久性而言， MRAM可以支持100亿次写操作，远远超过 EEPROM 的 100万次以及闪存的10万次。因此
2018-05-21 15:53:37
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
125°C下的数据保存时间超过10年。 图7.对3500Oe磁场的灵敏度降低了1E6倍。 关键词：MRAM相关文章：非易失性存储器MRAM的两大优点宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
SRAM的非易失性单元基于SONOS技术。他们利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的优势通过将电荷捕获在夹层氮化物层中来存储数据。FN隧道技术的主要优势在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
2021-02-24 07:28:54
间流逝而消失，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次，在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。 Everspin MRAM特点•消除备用电池和电容器•非易失性
2020-08-31 13:59:46
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
当系统运行了一个嵌入式实时操作系统时（RTOS），操作系统通常都是使用非易失的存储器来运行软件以及采集数据。存储器的选择面很广阔，其中包括电池供电的SRAM（静态随机访问储存器），各种各样的闪存以及串口EEPROM（电可擦的，可编程的只读存储器）。
2019-06-28 08:29:29
自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2020-12-31 07:15:20
存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。半导体存储器的分类* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小
2019-06-26 07:11:05
本文主要介绍描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。
2020-12-28 06:16:06
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能
2021-02-01 06:55:12
在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器(MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2019-07-16 08:46:10
常用存储器存储器的种类RAM存储器非易失性存储器存储器的种类易失性存储器： 掉电数据会丢失读写速度较快内存非易失性存储器：掉电数据不会丢失读写速度较慢机械硬盘RAM存储器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
萌新求助，求一个基于嵌入式STT-MRAM的架构方案
2021-10-25 07:33:36
存储器分类按不同分类标准可作不同的分类。按存储介质不同可分为半导体存储器（易失或非易失）、磁表面存储器（非易....
2021-07-26 06:22:47
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-15 14:26:57
”。 铁电存储器就是利用了这种非易失性。 虽然EEPROM或闪存也会根据元件内的存储区域是否有电荷来记忆数据，但FRAM是根据极化的方向来记忆数据的，所以两者具有不同的记忆方式。 FRAM的特长FRAM
2020-05-07 15:56:37
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57
的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入,最关键是
2021-11-10 08:28:08
The PM004M is Mbit of SPI/QPI (serial/quad parallel interface) MRAM device. This device
2022-07-05 16:48:31
半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 （MRAM） 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2018-05-29 15:42:002282 
在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存储加速器提供了卓越的延迟确定性，可为Apache Log4J等应用程序启用低延迟写入缓冲区。
2018-11-23 05:55:003220 IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33:543981 
Everspin 近日宣布，其已开始试生产最新的 1Gb STT-MRAM（自旋转移力矩磁阻）非易失性随机存取器。
2019-06-27 08:59:439837 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)，包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道
2020-04-15 17:27:05844 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器
2020-04-25 11:05:572584 
（STT-MRAM）。这些技术提供了密集的位单元（“1T1R”），并通过改变单元的静态电阻来操作，这种电阻是通过材料的“Write1”和“Write0”脉冲电流和大小引起。当单元被访问时，读操作感知电阻大小，大大降低单元电流。理想情况下，两个电阻之间的比率非常高，以加速读取操作。
2020-06-30 11:01:334470 存储器芯片。Everspin总代理宇芯电子可提供技术支持和产品解决方案。 MRAM可能是当今最有前途的下一代非易失性存储技术。Toggle MRAM和STT-MRAM已经进入市场，在许多应用中获得了
2020-07-13 11:25:581037 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术
2020-08-04 17:24:263389 ）STT-MRAM位单元的开发方面均处于市场领先地位。本篇文章everspin代理宇芯电子要介绍的是如何最大限度提高STT-MRAM IP的制造产量。 铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度
2020-08-05 14:50:52389 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，离取代一般存储器还有一段路要走，另一种比较可行的应用，是把STT－MRAM嵌入其他系统芯片，目前已有SRAM嵌入逻辑芯片的技术，而STT－MRAM记忆密度比SRAM更高，有助于提高逻辑芯片内的记忆容量。
2020-08-21 14:18:00593 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓非易失性是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整，此功能与Flash闪存相同;而随机存取是指处理器读取资料时，不定要从头开始，随时都可用相同的速率，从内存的任何
2020-09-21 13:50:342782 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构，将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中，与传统芯片架构相比较，能够降低芯片漏电流，减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作
2020-11-20 15:20:24512 
来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。 STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术，可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器，微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791 在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。
2020-12-24 15:51:14614 仍让它无法满足高速RAM应用必须兼具高速写入、无限耐久性，以及可接受的数据保存能力之需求。 STT-MRAM（也称为STT-RAM或有时称为ST-MRAM和ST-RAM）是一种高级类型的MRAM设备。与常规设备相比，STT-MRAM可实现更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相对于
2021-12-11 14:47:44519 本文由everspin代理宇芯电子介绍关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯...
2022-01-25 20:15:00
3 Everspin是设计制造MRAM、STT-MRAM的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 一些自旋电子存储器已经面世。MRAM（磁性随机存储器）已经商业化，在某些情况下可以取代电子存储器，但它是基于铁磁开关的。
2022-07-22 17:05:141596 everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
2022-11-17 14:23:282461 
STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:581325 Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限耐用性。医疗器械理想的存储器用于快速存储、检索数据和程序的应用程序，至少应用于数量引脚。它具有优异的性能和非易失特性。详情请洽英尚微。
2023-02-23 14:49:59136 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55163 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462548 其数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
2023-05-12 16:31:39268 Spin-transferTorqueMagnetoresistiveRandomAccessMemory（STT-MRAM）审稿人：北京大学蔡一茂陈青钰https://www.pku.edu.cn
2022-03-25 10:48:47318 
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