电动汽车电池系统方面的耐久性，换个说法就是耐久性方面的考虑。原则上，就是需要在考虑使用时间、使用公里数、使用条件和使用环境等条件下，输入给电池系统一个等效的负荷环境。
2017-06-06 15:24:10
1963 FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5433资料下载内容包括：MAX5433引脚功能MAX5433功能和特性MAX5433应用范围MAX5433内部方框图MAX5433极限参数MAX5433典型应用电路
2021-04-02 07:32:20
0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表
2020-10-09 14:27:35
FRAM存储器提供即时写入功能，无限的耐用性和接近零的软错误率，以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣，因为其使用解决了这些缺点。这些吸引人的特性是锆钛
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2021-12-09 08:28:44
以及改进整个系统。而这正是我们采用 FRAM 的微控制器超越业界其他解决方案的优势所在。 FRAM 是一种非易失性 RAM，相较于其他非易失性存储器技术，可实现更快速的数据存储和几乎无限的寿命。 这
2018-09-10 11:57:26
传输数据。我们想知道是否需要对数据包采用前向纠错，因为我们不确定EEPROM的可靠性。该数据表引用了1,000,000个周期的“最大写入耐久性循环耐久性”。这个数字是否意味着在预期发生单个故障之前
2019-07-26 16:36:20
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb的数据可以>1M个循环。它在260°C
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
SRAM的非易失性单元基于SONOS技术。他们利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的优势通过将电荷捕获在夹层氮化物层中来存储数据。FN隧道技术的主要优势在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
和传统的SRAM直接替换。FRAM产品具有RAM和ROM优点，读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点，访问次数是有限的，超出限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron给出
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
。”高云半导体全球市场副总裁兼中国区销售总监黄俊先生表示，“GW1N系列器件可满足消费类电子、视频、安防、工业物联网、有线/无线通信等不同市场的智能连接、接口扩展等需求。通过GW1N系列产品，高云半导体可以向用户提供高安全性、单芯片、低成本、小薄封装等优势的最优化非易失性FPGA解决方案。”
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
连接器的基本性能可分为三大类：即机械性能、电气性能和环境性能。 另一个重要的机械性能是连接器的机械寿命。机械寿命实际上是一种耐久性（durability）指标。它是以一次啮合、分离为一个循环，以在规定的啮合、分离循环后连接器能否正常完成其连接功能（如接触电阻值）作为评判依据。
2019-10-08 14:28:18
写或读高耐久性闪存（在这种情况下，我读/写从0x7f0到0x7FF）。我正在使用最新版本的代码配置器生成的读/写函数。这听起来像是我遗漏的“常见”功能吗？谢谢，塞尔吉奥
2019-10-21 13:01:27
PSoC™ 6 中嵌入式闪存的正确最低耐久性是多少？
PSoC™ 6 的数据表声称闪光灯耐久性至少为 100k 次。
TRM 声称续航时间为 10k 个周期。
请参阅第 6.5 节 62x7 数据表
2024-02-26 06:46:06
据保留•无限的读/写耐力•无磨损•有竞争力的定价•稳定的制造业供应链•小尺寸BGA封装图1 引脚普通针MR3A16ACMA35是一个8Mb非易失性RAM，组织为512kx16，采用3.3V标称电源供电
2023-04-07 16:26:28
，比较是否一致，一致则计数”。然后重复测N次得到非易失性的有效读写次数。但是又不能直接拿STM32的引脚来驱动FRAM芯片的VCC，又不能老是手动断电上电这么来测，这下有点找不准方向了。想知道论坛里面各位大神有没有什么好的测试方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
嗨，哪里可以获得有关X射线辐射损伤的设备耐久性和X射线辐射损伤的KRads总剂量阈值的信息，我需要在这些设备上具有高度重要性的信息：1 .SPARTAN2 2.5V FPGA 150,000
2019-05-15 14:18:56
低功耗应用提高安全性。此外，它们还采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或闪存提供稳健统一的存储器架构，从而可简化安全系统设计。
2019-07-08 06:03:16
通信通道安全的加密数据（如安全密钥及密码等）等。最新低功耗微处理器(MCU)集成降低安全应用成本与功耗所需的高性能以及各种特性，可帮助开发人员为低功耗应用提高安全性。此外，它们还采用非易失性FRAM替代
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在类似如上所述的系统中，FRAM 可带来多种优势。 结合我们 FRAM MCU 的非易失性、写入速度和低功耗以及与 AES 模块及存储器保护单元的集成，使得诸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
连接器的基本性能可分为三大类：即机械性能、电气性能和环境性能。 另一个重要的机械性能是连接器的机械寿命。机械寿命实际上是一种耐久性（durability）指标。它是以一次啮合、分离为一个循环，以在规定的啮合、分离循环后连接器能否正常完成其连接功能（如接触电阻值）作为评判依据。
2019-10-24 09:02:11
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
本文介绍了汽车PCM耐久性测试系统的整体设计思路和测试规范，重点讨论了关键子系统的设计原理，并通过原型样机对几种PCM模块长久性测试，验证了该系统的可靠性和通用性。
2021-05-17 06:53:06
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
存取速度分类)：1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差强人意的分类为(按易失性分类)：1、易
2012-01-06 22:58:43
非易失性写入性能优于EEPROM。 EEPROM支持不同的页面大小，在这种情况下的EEPROM中的较低页面大小需要更多页面写操作和更多写周期时间。因此造成额外的写延迟。因为FRAM不是分页的存储器
2020-09-28 14:42:50
`MSP430FR5969 LaunchPad不仅支持最新发布的、采用集成型非易失性 FRAM 存储器技术的 MSP430FR5969MCU, 而且具有业界最低功耗！我们即将举办一场相关超低
2014-07-16 12:35:33
随机存取存储器（FRAM）是一种非易失性的独立型存储技术，本文将论述FRAM的主要技术属性，同时探讨可充分展现FRAM优势的具体用例。
2019-08-22 06:16:14
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含几款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外设集，面向各种感应和测量应用。该架构、FRAM和外设，结合大量低功耗模式，可以延长
2021-11-03 07:28:04
上。此设计工作在低功耗模式下，并可减少 CPU 工作量，进而有助于降低总体功耗。主要特色磁脉冲测量2.9uA 待机电流非易失性片上 FRAM 实时存储支持 NFC 和低于 1GHz BoosterPack电池电压监视器此终端设备设计已经过测试，并包含硬件、固件、GUI、演示和用户指南
2018-08-23 12:08:52
和闪存）结合起来。铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，是采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体。 FRAM的结构FRAM记忆元件使用了铁电膜（Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
储的信息。优势与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：非易失性即使没有上电，也可以保存所存储的信息。与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）更高速度写入像SRAM一样，可覆盖写入不要求改写命令对于擦/写操作
2014-06-19 15:49:33
提出了一种基于VB 串口通信的电动天窗耐久性测试系统的软硬件实现方案。该系统包括PC 机构成的上位机和单片机构成的下位机。上位机提供了良好的人机交互界面；下位机采用集
2009-09-21 11:20:39
21 灯具耐久性试验设施设计方案
摘要：文章根据标准GB7000.1-2007《灯具 第一部分：一般要求与试验》标准12.3 规定和附录K 中的要求，介绍了灯具耐久性试验设施的
2010-04-14 15:59:4139 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
在我国现行的国家标准中对各类产品的质量要求，除对产品本身的基本性能有规定外,耐久性（寿命）试验是其主要考核指标。许多产品在质量标准中都对工作寿命作出了确规
2010-07-17 16:04:3010 ：低功耗模式写入工作，实现相同的读/写通信距离。• 大容量内置存储单元：记录信息于电子标签，实现追溯应用所需的大容量内存单元。• 读写工作高耐久性：保证最高1万亿次
2023-12-27 13:53:33
模拟童车路况试验机-耐久性试验机设备简介： 本机依据CNS手推婴儿车动态耐用试验规范制作。测试方法为 ：置模型婴儿于车台中，将车台固定于测试台上，调整输送带 速度1.4±0.1m/sec
2024-02-01 10:22:29
和DRAM这些传统易失性存储器的级别。而且，FRAM的读/写耐久性能远远优于EEPROM和Flash存储器。EEPROM和Flash存储器能写入大约100万次（106次），FRAM最高可写入1013次，或者说写入次数可以达到前两种存储器的1000万倍以上。
2017-03-29 11:46:291659 
提出了一种基于VB串口通信的电动天窗耐久性测试系统的软硬件实现方案。该系统包括PC机构成的上位机和单片机构成的下位机。上位机提供了良好的人机交互界面；下位机采用集成电路，以及信号采样
2017-09-06 15:10:375 我国首例自主研发的超越5000小时耐久性的 燃料电池 产品,日前完成寿命测试和整车应用验证。该产品突破了制约我国燃料电池汽车商业化应用发展的瓶颈，在耐久性、可靠性和产品一致性上取得重大进展。 作为
2018-03-25 09:57:005226 本文首先介绍了耐久性试验的概念，其次介绍了耐久性试验的目的及耐久性试验标准，最后介绍了电子设备耐久性试验的基本步骤。
2018-05-14 09:27:597640 富士通半导体利用FRAM的高速写入，高读写耐久性（多次读写次数）特长， 提供RFID用LSI以及应用于电子设备的FRAM内置验证IC产品。富士通提供使用无限接口的FRAM内置RFID用LSI。富士通产品
2020-05-21 14:01:03751 手机翻盖耐久性测试即将待测翻盖手机重复开合预设的次数，然后观察手机的各部分性能是否完好，这在翻盖手机的生产过程中是相当重要的一环。以往采用气动方式的系统运行速度较慢（约为每2秒1次）且操作界面不够
2020-07-21 11:38:12520 
是具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。本篇文章主要介绍关于FRAM的耐久性。 SRAM具有无限的耐久性，可以无限地对其进行读写。FRAM具有高（数量），将应用程序限制为读取或写入单个字节不超过指定的周期数。缓解的最佳方法是通过设计知道
2020-10-19 14:22:59626 UV胶粘接耐久性 UV胶粘接力是UV胶水各项性能中相当重要的一项，而提高UV胶水粘接的耐久性是粘接技术面临的重要任务，也是结构连接的的可靠保证。AVENTK作为UV胶水生产厂家，在UV胶水领域已有
2020-12-23 15:10:572341 内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。铁电RAM或FRAM是一种快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 
独特性能成就技术“硬核”，FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外， FRAM 还具备三大主要优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
2021-03-11 09:23:313503 为研究季节性冻土地区髙铁路基水泥稳定碎石基床长期冻融循环耐久性，将宏观试验与结构内部微元体的损伤发展相结合，建立了基于 morgan-Mers- Flodin（MMF）模型的高铁路基水泥稳定碎石
2021-04-19 10:58:564 FRAM铁电存储器。它是一种采用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势
2021-05-04 10:17:001850 
监控，记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才可以满足所要求的可靠性和无迟延的要求。 FRAM在电池管理系统BMS应用 高烧写耐久性，高速写入操作： •系统每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
存储器的性能和耐久性设计，这些要求使FRAM成为理想的存储选择。 FRAM在Car Infotainment中的应用 高速烧写，高读写耐久性： 系统经常会会受到发动机关闭，导航，倒车摄像或电话进入时的干扰，高端的car infotainment需要实时记录当前状态，并在干扰之后回复当前
2021-05-04 10:15:00290 
FRAM铁电存储器是一种采用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。那么
2021-04-26 14:31:28544 仍有最大访问（读）次数的限制。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三个优势： 1、寿命，读写的次数比较多， EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证
2021-12-11 14:46:17579 是一款非易失性存储器产品，与传统的非易失性存储器相比，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。 近日富士通半导体推出配备Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666 
铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口
2022-03-15 15:43:44741 热量表的耐久性是热量表使用寿命的重要指标，通过对热量表的冷热交变冲击4000次后测试其计量特性，还可推断出基表材质等对测量精度的影响，从而选定更适应于热量表应用环境的材质。早期通过超声波热量表常温
2022-10-11 09:59:46384 FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
本文将探讨户外储能电池的可靠性和耐久性设计，以确保其在使用过程中具备高效、安全和长寿命的特点。
2023-08-08 13:50:06380 人工心脏瓣膜耐久性能测试仪技术参数 觐嘉 一、人工心脏瓣膜耐久性能测试仪设备特点 1、可同时测试不同尺寸规格的多个瓣膜，最多可同时测试6个样品 2、可选择6组以上测试样品 3、加速测试频率下提供增强
2023-12-04 15:13:23148 
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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