三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:00
720 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436006 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 `8890开发板拥有二个三星自家猫鼬核芯以及四个低功耗A53核芯，最高主频达到1.5GHz，GPU为Mali-T880 MP12，内存采用三星原装4G LPDR4内存，支持三路MIPI摄像头接口
2017-06-30 11:00:32
三星电子近日宣布成功开发出高质量的CMOS图像传感器（CIS）芯片和照相机模组。该照相机模组有1/3英寸SXGA（130万像素）、1/5.8英寸VGA（33万像素）两种规格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
的话，英特尔预计在2017年二季度将实现144亿美元的销售额，而三星电子的销售额预计将达到146亿美元。因此如果存储芯片的市场价格在二季度及余下时间里都能持续增长，三星电子将会取代英特尔成为全球最大
2019-04-24 17:17:53
了三代索尼BRAVIA ENGINE引擎提升画面质量8、日历带农历，可完美显示除年月日以外的农历节气9、拨号器设置默认开启T9拨号10.优化GPS定位实现秒定位刷机地址：***/thread-15037-1-1.html
2013-06-27 09:51:33
三星LED大功率灯杯铝合金灯体：防撞、散热性好; 电镀,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星LED灯珠高亮度、色彩丰富、可智 能化控制等优点，使其成为下一代照明光源的有力竞争者，绿色节能是其对社会最重要的贡献。
2019-09-30 09:00:46
1080p视频录制。别忘了，三星GALAXY Grand还搭载一颗200万像素的前置摄像头。 最后，三星GALAXY Grand其他规格还包括1GB运行内存，8GB的内置存储容量并支持SD扩展，支持蓝牙
2012-12-19 15:54:04
上是天价了！如果搭配一部低端普通的手机使用，简直就是“门不当户不对”嘛！那这么高端昂贵的存储卡到底有何特殊之处呢？据三星官方解释道，该存储卡的读取传输速度最快可达95MB/s，写入传输速度最高可达
2015-12-16 11:31:26
的摄像头，整体成像质量出色，可满足用户的日常需求。三星I9000搭载了Android OS v2.1的智能操作系统，主频高达1GHz的处理器保证了整机的流畅运行，机身自带16GB的扩展存储，同时还支持高达
2011-05-04 18:51:39
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
”，无疑令三星雪上加霜。 因受市况每况愈下的影响和制约，韩国三星电子的发展面临着巨大的挑战。据最新报导显示，三星电子计划明年将半导体事业的投资ST22I支出砍半，从134亿美元降至70亿美元，提前
2012-09-21 16:53:46
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子
2015-12-14 13:45:01
器的商机仍然畅旺，在供给端仅有三星、SK海力士、美光，加上新技术量产困难，在这些现实下，2019年对存储器厂商而言仍会是个丰收的年度。如果要考虑供过于求的变量，可能是第二代10nm等级的DRAM技术
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
务部，Samsung SDI，在美国底特律国际车展上发布了此款电动车电池的设计原型。三星SDI表示新电池密度更高，充饱电可供电动汽车行驶最远达600公里；较之前的最高纪录500公里，此款新电池足以甩开它们好几个
2016-01-15 16:34:30
`听说三星已搞定石墨烯电池，能量密度提升45%，充电快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其实不得不服三星的技术）顺便发个三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
请问哪位有三星的2440u***驱动的，需要win7 64位的？
2014-08-07 12:19:51
请教一下各位大神，2A的整流桥用快恢复管来做，是否ＥＭＩ会很好呢？三星的手机充电器 在用。
2016-12-15 11:14:05
三星贴片电阻的卷带上的标签上有个P M2，在条码的旁边有时候是PM3或S之类的，哪位大虾告诉我下，那是什么意思啊？
2012-07-28 16:37:17
来自外媒的消息称，三星电子正准备设计一个全新品牌形象，并以新面貌在2013年1月拉斯维加斯的CES展上亮相。 三星公司已经成立了一个设计小组来设MAX3232EUE+T计新品牌，全新的设计将会
2012-11-05 16:22:13
的BCH8 ECC。 uboot 和kernel dts里面都是BCH8。工作正常。现在要换成三星的K9K8G08U0E我看了下芯片手册，发现page/block/sub-page size之类的都是
2018-06-21 07:09:15
`这几年以来，国内巨头都在花大力气研发内存，以期打破垄断，尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言，三星占了全球80%的份额，成为全球半导体领域的焦点。日前，三星一反常态，放缓了存储器半导体业务的扩张
2018-10-12 14:46:09
海力士也将在2021年中推出基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品。而三星虽然还未宣布下一代产品具体层数，但是近期也在公开会议中表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈
2022-01-26 08:35:58
1GB RAM和16GB存储空间。三星GALAXY S3配备了4.8英寸超大屏幕，这块应用了Super AMOLED技术的屏幕色彩艳丽，亮度很高，在户外也能看清屏幕显示的内容。更为重要的是，分辨率高达
2012-12-05 14:19:07
所有决策和重任寄托在单独的个人，也不可能把公司的荣辱兴衰寄托到一个人身上。你们怎么看？延伸阅读：1、2015年8月，李在镕曾经以三星集团名义涉嫌以马术选手培养为名，向崔顺实提供35亿韩元的资金，以三星
2017-01-20 11:09:50
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
我们使用i.MX8MPlus运行Windows 10 IoT系统，遇到了三星eMMC的兼容性问题。如何解决？详情如下：1.使用三星/KLMAG1JETD-B041/16GB eMMC5.1无法运行
2023-03-17 09:03:23
原装海力士三星存储芯片，香港出货，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59
量产中利用意法半导体的FD-SOI技术。也是在这一年，三星成功生产了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量产首款商用eMRAM。 据三星介绍，利用其28nmFDS工艺技术制作
2023-03-21 15:03:00
Note 8智能手机销售火爆，提振了移动业务获利；去年三星电子付出高昂代价停售发生起火事件的Note 7手机，该企业现已从此事的打击中恢复过来。预计三星电子最快将在10月底宣布未来三年新的股东回报政策，届时
2017-10-13 16:56:04
华为三星苹果高通的差异买IP做集成不宜包装为掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
`友坚官方研发三星四核安卓4.4系统S5P4418开源硬件三星指定平板产品的IDH产品，1、UT4418是由专注三星10年工作经验的高级硬件工程师设计，吸取了友坚7年行业ARM定制经验而打造的明星
2016-07-01 14:04:09
欧电子长期全国回收品原装存储芯片：三星samsung，海力士SK hynix，现代hyniy，展讯SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，闪迪SANDISK芯片,东芝 TOSHIBA芯片,南亚
2021-08-20 19:11:25
回收三星字库 高价收购原装字库回收工厂电子呆料三星字库 收购工厂库存三星字库 赵先生 135-3012-2202同步微信 QQ：8798-21252收购三星字库，收购原装字库，回收三星CPU,高
2021-01-11 18:18:34
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2021-09-09 19:05:33
回收东芝手机字库 181-2470 同上1558 同步同号回收三星手机字库 stm8s207cbt6.，_回收意法半导体：从系统存储器导入，从sram导入。boot导入程序位于系统存储器，用于通过
2021-07-28 11:29:11
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
泰电子的三星Cortex-A8平板电脑解决方案。作为MID制造厂商以及解决方案供应商，立宇泰电子推出的基于三星Cortex-A8处理器MID平板电脑解决方案，提供从外形（外观）、结构、软件、硬件到
2011-03-30 14:30:37
本帖最后由 forele 于 2013-8-5 14:23 编辑
日本媒体朝日新闻18日报导，夏普(Sharp)考虑加强和韩国三星电子(Samsung Electronics)的合作关系
2013-08-05 14:19:28
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2020-12-14 16:00:38
：MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU，收购三星高通CPU，优选帝欧电子！帝欧还回收库存电子，高价回收电感，回收电解电容
2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好，我创建了我的“BLE应用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的问题，因为我的应用程序返回GATT错误0x85与三星S5，而三星S4工作良好。我该怎么解决呢？有特定的设置吗？最好的问候阿尔贝托
2019-11-01 10:16:37
大家好，我有一个有趣的困境，我无法在网上找到任何地方。我有一个三星970 pro 512gb用于启动驱动器，WD Black 4TB Hdd用于存储，而intel optane 800p 58gb
2018-12-03 15:33:05
手机进水了怎么办？三星手机
2013-05-13 17:34:01
2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
三星跟进推出840PRO，紧接着OCZ推出自家第一款三代SSD。至此，三代SSD形成三足鼎立的局面，如同艳丽的花朵绽放。 移动存储行业：全面进入单碟500技术 2012年影响最深的移动存储产品
2012-12-30 18:45:31
代V-NAND技术。据三星官方消息显示，新款 V-NAND 运用三星电子有的“通道孔蚀刻”技术，向前代 9x 层单堆叠架构增加了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈，然后垂直
2020-03-19 14:04:57
请问A40I板卡的TF卡槽能支持1TB的SD卡吗？想用1TB的SD卡需要对linux系统做什么额外的操作吗？
2022-01-04 06:31:57
DNW软件只能用于三星的ARM芯片吗？
2019-08-05 22:52:59
功耗的前提下具有与DDR3一样的速度。·存储：8GB(可根据需要配置16GB以及32GB),采用三星EMMC，时钟频率高达52MHZ，满足MMC V4.41协议标准。 ·PMIC：选用三星自家电源管理芯片
2013-06-18 16:07:28
三星电子在2010年的时候告密导致鸿海集团(富士康)子公司奇美电子被罚三亿欧元,郭总裁当时痛斥三星电子为”专打小报告的小人”,同时他也表示一定会从韩国人的手裡把这个钱给赚回来,时隔多年,郭总裁收购
2016-12-18 01:18:05
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2021-07-06 19:32:41
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2021-02-23 17:54:12
闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64层3D NAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC（即三层单元）设计。
2016-08-19 15:57:11697 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271030 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:467373 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:00759 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:001645 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092422 三星电子也不甘示弱，早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存，并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:114512 很显然从今年开始，厂商们都开始将目光转向了QLC闪存，之前Intel就已经推出了首款搭载QLC闪存的SSD，而现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC闪存的SSD，这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。
2018-08-07 17:00:03911 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 三星新一代860 QVO系列固态硬盘于今日上架美国官网，作为三星首款面向消费者的QLC固态硬盘，它采用传统的2.5寸盘规格，内部为三星自主MJX主控、三星自产V-NAND QLC闪存颗粒，容量规格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建议零售价149.99美元。
2018-11-30 14:08:012192 CES 2019 期间，雷克沙发布了专业级的 1TB 633x SDXC UHS-I 存储卡新品，能够满足相机、摄像机、或 3D 拍摄时的最高容量需求。
2019-01-11 11:46:404263 天字一号闪存企业三星电子今天（1月30日）宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品，主力用于智能手机。
2019-02-11 11:33:413705 
96 层 3D NAND 四级单元（QLC）技术的 microSD 卡。1TB microSD 卡可以为消费者的手机和其他电子设备提供经济高效的存储方案，实现流畅的 4K 视频、图片和游戏体验。
2019-02-26 17:26:51941 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:542838 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04624 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251151 美光宣布推出一系列全新micro SD存储卡，称为i300系列，其容量从32GB到1TB不等，以满足视频监控市场和其他工业应用的边缘存储需求，其中具有最大存储容量的型号是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容纳1TB数据，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191045 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481156 今日凌晨，XDA主编Max Winebach爆料称，三星Galaxy S20 Ultra 5G将保留SD卡插槽，最高支持1TB存储卡扩展。
2020-01-14 14:15:209332 
4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:193527 EVO 采用了 V-NAND 3-bit MLC，可选 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB 版本。其中 1TB 以下搭载 512GB LPDDR4 缓存，1TB 版本 搭载 1GB
2021-01-19 17:52:313440 据外媒最新消息称，iPhone 13将提供1TB容量版本，而目前iPhone 12 系列最高容量选择为512GB。
2021-03-01 09:30:341478 据供应链消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存储容量将从 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521 市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:55448 和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:36577 三星采用 3D 缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25336 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282
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