近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:23
1529 156单晶硅不同扩散方阻下的功率对比
2012-08-06 11:00:48
3D Experience — 产品协同研发平台
2021-01-08 07:30:52
图表形式分析凸轮性能。具体使用步骤如下：首先打开浩辰3D制图软件，然后在菜单栏找到并依次点击【工具】—【工程参考】—【凸轮设计器】。如下图所示： 1、使用设计参数选项卡可定义参数，这些参数提供了形状
2021-04-25 15:51:20
执行器硬件以及一套综合的软件套件集成在一起，实现对高性能碳纤维增强热塑性复合材料零部件的3D打印。2016年2月，美国西亚基公司公布了基于电子束增材制造(EBAM)工艺的金属3D打印系统专用的IRISS
2019-07-18 04:10:28
请问3D打印一体成型结构复杂的铁硅磁体技术应用在哪些领域？前景如何？
2020-05-27 17:14:34
的图形处理和硬件编码单元之间的某种干扰隔离开来。随着3D GPU利用率的增加，硬件编码器利用率下降，帧速率也下降。 GPU远远不是最大负载，应该有足够的储备。技术文档指出硬件解码器性能不应受CUDA负载
2018-09-17 14:38:34
我公司专业从事3D全息风扇研发生产，主要生产供应3D全息风扇PCBA，也可出售整机，其他配件可免费提供供应商信息或者代购，欢迎咨询 刘先生：*** 微信同号3d全息风扇灯条3d全息风扇PCBA3D全息风扇方案本广告长期有效
2019-08-02 09:50:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
单晶硅太阳能电池详细工艺
2012-08-06 11:49:37
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
(EMIF) 的显著改进。KeyStone 架构能够以 1333MT/s以上的速率支持高性能 DDR3 SDRAM 存储器。虽然总线能配置成 16 或 32 位（为节省面板空间和功耗），但其实际支持的总线
2011-08-13 15:45:42
的擦除操作，而且写人时间也比闪存少几个数量级。即使是与现有存储器中性能较高的DRAM(读取1写入时间为30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦写次数超过1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
描述此参考设计演示了如何实现 SDRAM 存储器并通过接口连接到高性能微控制器 TM4C129XNCZAD。为了实现此设计，其中采用了该微控制器的 EPI 接口来连接 256Mbit SDRAM
2018-08-30 09:31:51
说明和库中自带的例程。以下内容来自AN2784应用笔记：2 与非总线复用模式的异步16位NOR闪存接口2.1FSMC配置控制一个NOR闪存存储器，需要FSMC提供下述功能：●选择合适的存储块映射NOR
2015-01-22 15:56:51
说明的中文翻译版中并没有这部分的说明，因此需要参考库函数的相关说明和库中自带的例程。以下内容来自AN2784应用笔记：2 与非总线复用模式的异步16位NOR闪存接口2.1FSMC配置控制一个NOR闪存存储器，需要
2015-01-22 15:56:51
各位大侠，小女子在做半导体退火的工艺，不知道哪位做过有n型单晶硅退火？具体参数是什么？任何经验都可以提，请照顾一下新手，谢谢！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，请问哪位做过，用n型高阻单晶硅做欧姆接触的实验的？可以详细地讲讲如何实现良好的欧姆接触的吗？比如用了什么金属，需要镀膜吗？退火的时候需要什么样的气体，多少温度，多长时间？还有其他需要注意的条件？小女子在此表示感谢~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，请问哪位做过，用n型高阻单晶硅做欧姆接触的实验的？可以详细地讲讲如何实现良好的欧姆接触的吗？比如用了什么金属，需要镀膜吗？退火的时候需要什么样的气体，多少温度，多长时间？还有其他需要注意的条件？小女子在此表示感谢~
2011-03-08 10:43:08
各位大虾，请问哪位做过，用n型高阻单晶硅做欧姆接触的实验的？可以详细地讲讲如何实现良好的欧姆接触的吗？比如用了什么金属，需要镀膜吗？退火的时候需要什么样的气体，多少温度，多长时间？还有其他需要注意的条件？小女子在此表示感谢~
2011-03-15 12:25:03
青海碱业有限公司煅烧车间从2013年开始使用YR-ER101单晶硅差压变送器，选用该系列变送器是看中昌晖单晶硅变送器的高稳定性、低温度漂移和高精度性能。因现场应用环境恶劣，强腐蚀和强电磁干扰对任何
2018-02-25 21:56:50
数据存储架构发生变化，一个表现在QLC的大容量，另一个是3D Xpoint技术的高性能、低延迟。目前IBM云服务、腾讯数据中心分别采用傲腾和QLC技术，百度云人工智能更是结合了QLC和傲腾的优势，达到
2018-09-20 17:57:05
BeSang之前的许多设计都是伪3D。” Simon Sze在1967年曾经于贝尔实验室发明了用于非易失性存储器件的浮栅金属氧化晶体管。Sze现在是***一所大学的教授。 “SoC将逻辑单元
2008-08-18 16:37:37
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
2021-05-21 07:00:24
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
***求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01:11
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2010-10-31 14:00:00
的技术组件： · 单晶硅传感器 · 高性能ASIC · 两个芯片外壳 图3 产品参数表 传感器的核心：单晶硅传感器 硅传感器（每个MEMS的核心）传统上是批量生产或以表面微加工工艺制造
2020-07-07 09:36:40
分享一篇基于FPGA的3D头盔显示设备研究论文，值得学习！
2020-08-27 09:58:02
人脸。这是由于目前基于RGB等2D空间的主流活体检测方案未考虑光照、遮挡等干扰因素对于检测的影响，而且存在计算量大的缺点。而数迹智能团队研发的3D SmartToF活体检测方案则可以有效解决此问题。那么
2021-01-06 07:30:13
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中，外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash，都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址，页（Page），块（Block）。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
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2010-10-31 13:58:27
影响存储器访问性能的因素有哪些？DSP核访问内部存储器和外部DDR存储器的时延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
PCB设计团队的组建建议是什么高性能PCB设计的硬件必备基础高性能PCB设计面临的挑战和工程实现
2021-04-26 06:06:45
切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据，以作将来检索用途。目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器，如NOR 闪存
2019-07-23 06:15:10
3D打印技术是综合了三维数字技术、控制技术、信息技术众多技术的创新研发技术，具有设计样式多元化、试制成本低、制作材料丰富等特点。通过数字化设计工具+3D打印技术相结的模式，可以帮助企业高效实现创新
2021-05-27 19:05:15
4Gb到100Gb的密度.谈及循环及数据保留间的强相关性，使用N削D来获得高写入性能的系统经常面对一个困难即在长时间的休止状态下如何保证足够的数据保留。变相存储器：新的储存器创建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
计算机！该项目是一个英国设计团队的心血结晶。他们开发了一个以聚乳酸长丝为材料的3D打印系统，花了超过160小时的时间完成打印。尽管理想是提供模型让大家下载打印，但更切实际的做法是提供套件，让学生及动手
2014-09-22 14:27:46
如何满足各种读取数据捕捉需求以实现高速接口？如何让接收到的时钟与数据中心对准？为了缩短设计周期应遵循哪些规则？如何设计存储器接口才能获得更高性能？
2021-04-14 06:30:23
我对工艺不是很懂，在氧化层上直接淀积的话是不是非晶硅？如果要单晶硅的话应该怎么做？（有个思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
影响EDMA性能的因素有哪些？有哪几种主模块共享存储器的性能？
2021-04-19 11:08:41
。RAM类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器(ROM)技术
2011-11-19 11:53:09
。RAM类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器(ROM)技术
2011-11-21 10:49:57
如图 2 所示，DINOR闪速存储器如图 3 所示，AND闪速存储器单元的结构如图 4 所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种，其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型
2018-04-09 09:29:07
的NOR以及硅盘中应用的NAND闪速存储器，在写入时为高 V th ；而AND及DINOR闪速存储器中，在写人时为低 V th 。
2018-04-10 10:52:59
QGM600-8XB 单晶硅棒切方滚磨机床是在硅单晶棒数控滚磨机上开发而成，单晶棒数控滚磨机床是我公司独立开发研制的。该产品全部替代了日本滚磨机床，国内很多企业需单晶硅棒
2009-12-20 09:25:37
42 单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些
2009-03-04 15:13:584212 什么是单晶硅
可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电
2009-03-04 15:14:503429 什么是单晶硅
单晶硅英文名称：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:458937
单晶硅太阳能电池
硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为
2009-11-07 16:18:322207 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 1）区域熔炼法 以高纯多晶硅为原料，制成棒状，并将多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的单晶硅
2010-07-18 11:22:116552 1、根据合同要求，验收单晶硅电池片的功率及等级，例如125的A级，就只要A1的，功率为2.57~2.7，再此时得问清楚电池片的功率是正公差还是负公差，选用正公差的。
2010-08-30 12:00:021105 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成
2011-06-23 10:43:22149 晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷，观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律：中间尺寸大，密度小，边缘
2012-06-06 15:33:207828 
美研究人员日前称，他们发现一种通过单晶硅体提高锂离子电池性能的技术。这项技术可以用于电动汽车电池研发，有助于生产能量更强、寿命更长、充/换电循环次数更多的新型电池。
2012-07-24 11:40:36910 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4410035 基于SOC的高性能存储器控制器设计_张鹏剑
2017-01-07 18:39:170 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法（CZ法）生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu
2017-09-28 16:35:3018 单晶硅作为晶体材料的重要组成部分，目前已经得到广泛的运用。本文主要介绍了单晶硅的相关概念以及全球单晶硅生产商排名状况。
2017-12-18 17:55:3852312 随著半导体制程技术不断演进，芯片的晶体管的密集度屡创新高之际，同步也朝向更省电的发展推进，旺宏电子（Macronix）自推出业界最快的SPI NOR Flash系列存储器产品，以500MB/s传输
2018-01-02 10:06:391443 旺宏昨日召开财报会表示，2017年在NOR型快闪存储器的市占率约30%，为全球霸主。另外，小于75纳米制程产品占2017年第四季NOR营收60%，旺宏并预计NOR型快闪存储器2018年成长动力将来
2018-02-01 05:34:011107 
研究人员最近展示了使用单晶硅对可见光进行精确的颜色控制，该研究成果发表在纳米快报上。
2018-02-09 14:20:555076 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109972 单晶硅具有两种同晶，结晶和无定形。晶体硅进一步分为单晶硅和多晶硅，两者都具有金刚石晶格。该晶体硬且脆，具有金属光泽，并且是导电的，但导电性不如金属，并且随温度增加，并且具有半导体特性。
2019-04-11 13:53:31175548 单晶硅光伏组件是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池板，目前广泛的应用于光伏市场中。单晶硅光伏组件光电转换率较高，在弱光条件下表现比同类产品更好。多晶硅光伏组件是由多晶太阳能电池片按照不同的串、并阵列排列而构成的。多晶硅光伏组件性价比较高，交大光谷的多晶硅光伏组件的发电效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063233 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
2019-06-24 14:46:3118952 
3月25日，隆基发布单晶硅片价格公示，单晶硅片P型M6 180μm厚度价格为3.41元，较上个月下降0.06元/片。这是隆基11个月以来166单晶硅片首次降价。
2020-03-26 11:02:411585 
随着单晶硅片制造向大直径化发展，直拉法单晶硅生长技术在单晶硅制造中逐渐显出其主导地位。为使结晶过程更加稳定和实用有效，则需提高对工艺参数的控制精度，基于CCD摄像扫描识别技术的单晶硅等径生长速度控制技术得到业界的重视。
2020-10-04 17:57:001804 
单晶硅具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
2021-02-24 15:56:2026183 本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。
2022-04-18 16:36:05406 
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑团队利用研发的垂直晶体管新工艺，制备出高性能的单晶沟道3D NOR闪存器件。该器件上下叠置的晶体管既具单晶硅沟道的高性能优势，又具三维一体集成的制造成本低的优点。
2022-11-22 15:01:14546 NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势，在人工智能、汽车电子和工业领域中发挥着不可替代的作用。
2022-11-24 17:05:42232 单晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太阳能电池板的类型，其主要区别在于材料。
单晶硅光伏板是由单个晶体制成的硅片组成。该类型的太阳能电池板具有较高的转换效率和稳定性，因此在太阳能发电领域中应用较为广泛。但是，制造过程成本较高，价格较贵。
2023-06-08 16:04:414919 什么是单晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，单晶硅和多晶硅有什么区别，多晶矽与单晶硅的主要差异体现在物理性质方面，主要包括力学性质、电学性质等方面，下面具体来了解下。
2023-06-12 16:44:423985 根据太阳能电池种类的差异，不同太阳能电池的生产工艺也会有所不同，抉择一块电池性能的重要环节是制作太阳能电池的清洗制绒。单晶硅太阳能电池生产工艺的优劣可判断其在应用过程中是否具有超高的使用价值
2023-08-19 08:36:27811 
摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:06490 单晶硅光伏板是一种基于单晶硅材料制造的太阳能光电设备，常用于太阳能光伏发电系统中。单晶硅光伏板由多个单晶硅太阳能电池片组成，每个电池片都被覆盖在透明的防反射玻璃上，并使用铝框架进行支撑和保护。
2023-11-29 09:46:061008 在现代工业控制领域中，传感器作为感知的核心元件，其性能的优劣直接影响到整个系统的准确性和稳定性。而单晶硅和扩散硅压力变送器作为压力测量领域的两大主流。更是受到越来越多企业、工程师的青睐。那么今天浙江
2024-03-15 11:53:3958 
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