MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息
2021-07-26 08:30:00
8872 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/0B/4E/pYYBAGD95UGAJ71EAAt2QIbvaxM914.png)
引人注目的新存储器包括:相变存储器(PCM)、铁电存储器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM或 ReRAM)、自旋转移力矩RAM(STT-RAM)、导电桥RAM(CBRAM
2017-02-21 11:05:47
2282 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/AE/wKgZomUMP56AR8YZAACzk7pXM0c198.jpg)
晶圆代工大厂台积电和三星的竞争,现由逻辑芯片扩及内存市场。 台积电这次重返内存市场,瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存,因传输速度比一般闪存快上万倍,是否引爆内存产业的新潮流,值得密切关注。
2017-06-07 10:54:18
1577 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/C3/wKgZomUMQDqAWj_nAAEZIYvbbXA043.jpg)
“与MRAM相比,ReRAM有两个主要优势——工艺简单和更宽的读取窗口,”的内存技术专家Jongsin Yun说西门子EDA。“MRAM需要10层以上的堆叠,所有这些都需要非常精确地控制,才能形成匹配的晶体蛋白。
2023-11-22 17:16:15
297 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/0C/wKgZomVdxn2AV17mAAE_M2ul33o450.png)
到目前为止,新兴的非易失性存储器(eNVM),如自旋转矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可变电阻式存储器(ReRAM) 和相变存储器(PCM),由于可扩展性差、成本高以及缺乏主要内存制造商的支持
2019-04-28 11:22:06
2950 MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)架构,其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储(而不是随时间推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
MRAM与FRAM技术比较
2021-01-25 07:33:07
我们可以预见到未来有望出现新型的、功能大大提升的单芯片系统这一美好前景。MRAM技术目前还存在一些困难,至少还没有一种实用化的、可靠的方式来实现大容量的MRAM。困难之一是对自由层进行写入(使磁矩平行或
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.
2021-01-01 07:13:12
具有非易失性,即使切断电源,信息也不会丢失,而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面,自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短,均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性,即使切断电源,信息也不会丢失,而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面,自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短,均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
在所有常年兴起的记忆中,MRAM似乎最有可能濒临大规模,广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存储原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
2021-02-24 07:28:54
的?Everspin代理下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。 Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结
2020-08-31 13:59:46
求大神详细介绍一下STT-MRAM的存储技术
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技术的优点
2020-12-16 06:17:44
MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋转矩MRAM技术
2020-12-25 07:53:15
微电子三级封装是什么?新型微电子封装技术介绍
2021-04-23 06:01:30
在2019全球闪存峰会上,Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元,几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器(MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景,重点说明初始阶段面临的一些挑战,并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2019-07-16 08:46:10
RRAM走向新型嵌入式存储之路
2021-02-19 06:42:47
内存(FRAM 或 FeRAM)、磁阻随机存取内存(MRAM)以及电阻型随机存取器(RRAM 或 ReRAM),简介如下:1. PCMPCM 利用硫系玻璃的特性,能够在四种不同状态之间切换:结晶、非晶
2014-04-22 16:29:09
新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场
2020-12-17 06:13:02
目前高级应用要求新的存储器技术能力出现。随着电子系统需要更多的代码和数据,所导致的结果就是对存储器的需求永不停歇。相变存储器(PCM)以创新的关键技术特色满足了目前电子系统的需要。针对电子系统的重点
2018-05-17 09:45:35
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么?
2021-06-08 06:33:01
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-15 14:26:57
作者:张水苹摘要VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM),可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理,其次详细阐述了
2019-07-23 07:25:23
行驶以及显示驾驶员的盲点。 图 1. ADAS 系统框图 图 1 为 ADAS 系统如何利用 MRAM 和 NOR 闪存的简化框图。外部 NOR 闪存通常用于存储启动代码。然而,ADAS 系统中
2018-05-21 15:53:37
随机存取存储器)和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器),三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
相变存储器(PCM)技术基础知识
相变存储器(PCM)是一种非易失存储设备,它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液
2009-11-23 09:19:03
2895 相变存储器:能实现全新存储器使用模型的新型存储器
从下面的几个重要特性看,相变存储器(PCM)技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求:
容量
2009-12-31 10:09:30
1115 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和
2010-11-11 18:09:42
1953 相变存储器(PCM)是一种非易失存储设备,它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在,这些状态都称为相。相变存
2011-03-31 17:43:21
103 8月6日消息,美国加州创业公司Crossbar发布了一种新型芯片,能以邮票大小存储1TB的数据。该芯片采用RRAM技术,颠覆传统的闪速存储器,数据存储速度是其的20倍。RRAM是一种非易失性存储器,数据可永久存储,即使是在电源被切断的情况下。
2013-08-07 11:03:39
1418 PCM 相变存储器的介绍材料,一个简单的介绍
2016-02-23 16:10:00
0 目前具有突破性的存储技术有铁电RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM(PRAM)或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。
2016-04-22 11:10:49
1372 (phase-change memory, PCM)、磁阻式随机存储(magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储(resistive random access memory, RRAM)等主要非易失性存储技术已经有了较长的开发历史。
2018-07-04 11:55:00
6730 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/C5/wKgZomUMQE2ABpvTAAAaVfFuRDg261.jpg)
在存储器的竞争格局中,除了FRAM,不得不提的另外两个产品是ReRAM和NRAM。简略地讲,FRAM 用于数据记录;ReRAM可替代大容量EEPROM;NRAM 用于数据记录和电码储存,还可替代NOR Flash。
2018-04-25 16:35:42
7793 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/4F/A5/o4YBAFrgPmSAG8FZAAAQEObyYw4989.jpg)
美国芯片设计商Rambus宣布与中国存储器解决方案供应商兆易创新(GigaDevice)合作建立一个在中国的合资企业Reliance Memory,以实现电阻式随机存取存储器(RRAM)技术的商业化
2018-05-17 10:34:00
5566 ReRAM之前曾经因为HPE的“The Machine”热过一阵,记得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心满满的谈和HPE的合作,他们觉得Samsung因为自己有128G
2018-08-16 15:22:33
7735 多年来,该行业一直致力于各种存储技术的研究,包括碳纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和ReRAM。有些已推出,有些仍在研发中。这些不同类型的存储器都对应特定的应用领域,但都势必将在存储器家族中取代一个或者多个传统型存储。
2018-09-05 15:51:12
9163 新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器,最主要包括相变半导体(Phase Change Memory;PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:05
4082 当下,新兴存储技术越来越受到业界的瞩目,如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存储器已经蛰伏待机了几十年,以寻求适合其自身特点的应用机会,今天看来它们的机会真的到来了。
2018-12-15 09:44:19
4420 MRAM是一种非易失性存储器,可与其他的NVM技术相媲美,如闪存,英特尔的Optane,以及FRAM和RRAM (图1)。每种NVM都有自己的优缺点。虽然MRAM的扩展性好,但其容量仍远低于NAND闪存, SSD中的高密度存储介质大都是NAND闪存。
2018-12-22 14:37:34
4678 式随机存取存储器(MRAM)、可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)、相变化随机存取存储器(PCRAM)等新型存储器,开始被市场采用,而AI/HPC将加速新型存储器更快进入市场。
2019-07-29 16:38:05
3109 人工智能与大数据对芯片的处理能力提出了越来越严苛的要求,芯片的运算能力和存储能力正在成为瓶颈,这也是各家半导体公司竞相开发新的硬件平台、计算架构与设计路线,以期提升芯片性能的主要原因。MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等下一代存储器技术兴起,便是芯片与系统设计人员致力研发的重要成果之一。
2019-08-06 14:36:44
9003 MRAM)在新兴非挥发存储器中发展较为成熟,2018年主要供应商Everspin营收可望年增36%,2019~2020年以后,随GlobalFoundries、台积电、三星、联电等晶圆代工厂商逐步
2019-09-11 17:33:29
3274 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术(MRAM设备是Spintronics设备)。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持
2020-04-09 09:13:14
5683 在新型 RAM 技术中,MRAM对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗,同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17
720 MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-08 15:01:55
861 目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM),其中有以英特尔与美光联合研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储
2020-04-25 11:05:57
2584 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/BA/F7/o4YBAF6jqQGAS58CAADMERCt-As656.png)
的合资企业——合肥睿科微(Reliance Memory)签署了授权协议 。根据协议内容,兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用,这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM领域的前瞻性技术布局,从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。
2020-05-14 14:38:05
4237 新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型:闪存(Flash),铁电随机存取存储器(FeRAM),磁性随机存取存储器(MRAM),相变存储器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:31
1840 然而,嵌入式非易失性闪存IP的未来扩展在更高级的节点上是无效的。一些替代的存储器技术已经被作为“闪存的替代品”来追求,例如相变存储器(PCM)材料,电阻变化存储器(RRAM),自旋转移转矩磁阻存储
2020-06-30 11:01:33
4470 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM,受惠技术、材料、设备等环节的关键突破,正迈向大规模量产的路上,眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品,以及嵌入于逻辑
2020-06-30 16:21:58
910 高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车,工业,军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。 下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本, 以全总
2020-07-17 15:36:19
681 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C1/04/o4YBAF8RaqOAduPQAACmuhKFlHw056.png)
并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短
2020-07-20 15:33:52
616 的领先趋势来增强动力。 什么是STT-MRAM? 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM,相变存储器(PCM),电阻RAM(ReRAM)和铁电RAM(FRAM)。每种新兴的内存技术都不同,适合特定的应用,但STT-MRAM似乎已成为主流。 STT-MRAM是一种电阻存储技术,其中材料中电子的磁性自旋变
2020-08-04 17:24:26
3389 MRAM(磁性RAM)是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术(MRAM设备是Spintronics设备)。MRAM具有成为通用存储器的潜力,能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时
2020-08-07 17:06:12
2003 Everspin主要是设计制造和商业销售MRAM和STT-MRAM的领先者,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品应用在数据中心,云存储,能源
2020-08-17 14:42:14
2309 个名为Row Hammer的顽固安全漏洞。 Spin Memory的垂直环绕栅晶体管可以缩小MRAM和RRAM存储单元。 Spin Memory将设备称为通用选择器(Universal
2020-09-04 16:10:13
2090 Everspin MRAM内存技术是如何工作的? Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道
2020-09-19 09:52:05
1749 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM
2020-10-21 14:32:59
1451 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/CB/B5/pIYBAF-P1hyAfy7PAAA4v9-1rvw732.jpg)
,自然电子公司最近的出版物题为“通过马尔可夫链蒙特卡洛采样利用内在忆阻器可变性进行原位学习”。它描述了如何使用RRAM或忆阻器技术来创建智能系统,该系统在边缘独立于云进行本地学习。 托马斯·达尔加蒂 法国格勒诺布尔大学(CEA-Leti)的CEA-Leti科学家Th
2021-04-05 10:42:00
1904 RRAM基于双稳态电阻转换的阻性存储器(RRAM)作为集动态/静态随机存储器和浮栅存储器功能为一体的通用存储器,是NAND技术后的下一代非易失性存储(NVM)技术。
2020-11-04 10:59:24
2671 磁阻式随机存储器MRAM是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM运用于计算机存储系统中。同时非易失性MRAM存储器也应用于各级高速缓存
2020-11-09 16:46:48
628 随机存取存储器(MRAM)最早于1980年代开发,并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同,MRAM将数据存储为磁性元素,而不是电荷或电流。在性能方面由于使用足够的写入电流,因此MRAM与SRAM类似。但是这种依赖性也妨碍了它以更高的密度与
2020-11-20 15:45:59
772 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。 MRAM的存储原理 MRAM
2020-12-09 15:54:19
2403 ![](https://file.elecfans.com//web1/M00/D2/E3/o4YBAF_N5pKAbJkhAABD5FE_Fbw357.jpg)
MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外...
2020-12-10 20:55:10
274 在这个VLSI研讨会中,共有86个工艺研讨会,110个电路研讨会,总共约200篇论文。本次技术研讨会上,与内存相关的会议是最多的,并且针对每种存储器类型(例如NAND / NOR / PCM,RRAM,RRAM,FeRAM,STT MRAM和下一代MRAM)均举行了会议
2021-01-07 17:18:34
3684 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/84/pIYBAF_20p6Af-MhAABOxJpYoo0271.png)
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端
2021-03-03 16:40:05
955 芯片的投片和量产。 昕原半导体专注于ReRAM领域,是一家集核心技术、工艺制程、芯片设计、IP授权和生产服务于一体的新型IDM公司。该公司的核心产品覆盖高工艺嵌入式存储、高密度非易失性存储、存内计算及存内搜索等多个领域,并且拥有自己的
2021-04-06 11:14:09
5687 MRAM、RRAM和PCRAM被行业视为是新兴的三大存储技术。这些技术的出现不仅引起了老牌存储厂商的注意,也吸引了一些新玩家的加入,在他们的共同推进之下,近些年来新兴存储技术也开始逐渐步入商业化阶段。在这个过程中,新兴存储技术又为存储市场又迎来了新一轮的变革。
2021-05-17 13:55:36
1494 Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合,同时具有非易失性和节能性。
2021-08-17 16:26:19
1926 在新型 RAM 技术中,MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的...
2022-02-07 11:58:10
1 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单,它省略了...
2022-02-07 12:36:25
6 虽然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各种 NVM 技术具有相似的高级特征,但它们的物理渲染却大相径庭。这为每个人提供了自己的一系列挑战和解决方案。
2022-06-10 16:03:13
2441 电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 是开发更具可扩展性、高容量、高性能、更可靠的存储解决方案的竞争中下一个有前途的存储器技术。
2022-10-24 11:36:35
391 STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作,也可以像ROM/Flash一样非挥发性,保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:58
1325 基于上述因素,越来越多的MCU大厂开始选择在MCU中集成新型存储器,比如相变存储器(PCM)、磁RAM(MRAM)和阻变存储器(RRAM)等,当然不同的大厂也有着他们不同的选择…
2022-12-01 20:28:06
639 全新的存储器MRAM,ReRAM,PCRAM,相对于传统存储器来说,具有很多方面独特的优势,能够在计算系统层级实现更优的计算性能、功耗和成本。
2023-03-20 11:39:19
1410 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储
2023-04-19 17:45:46
2548 非易失性存储单元特点存储器研究的趋势是开发一种称为非易失性RAM的新型存储器,它将RAM的速度与大容量存储器的数据存储相结合。几年来有许多新单元类型的提议,例如FeRAM(铁电存储器)、ReRAM
2022-11-11 17:11:29
363 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/D7/poYBAGJqPMKAEXjWAAAOpepuZJ8475.jpg)
近期,后摩智能完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发,探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界。后续将与车规级应用场景结合,希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式,赋能客户。
2023-08-17 14:16:37
481 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/E9/wKgaomTdu86AYAXvAAAgwj9xgz4899.png)
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