富士通半导体（上海）有限公司今日宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8，SON-8是为该产品添加的新型封装。
2012-11-27 10:00:23
4212 赛普拉斯非易失性随机存取存储器 (NVRAM) 可确保工业系统处于“零数据风险”状态，无论是在正常运行还是故障发生期间均可以完成安全可靠的数据备份。
2017-10-25 10:19:2610429 
双数据速率同步动态随机存取存储器。哇！真够拗口的。很多人甚至可能都不认识这个全称；它通常缩写为 DDR 存储器。图 1 是 PC 中使用的 DDR 模块图。在该图中，我在其中一个 DDR 芯片上画
2018-04-02 09:21:218082 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储器，这使得 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越感兴趣。
2022-07-26 11:08:341864 
在同步动态随机存取存储器（SDRAM)的工作模式中，以数据读取速率来分类，有单倍数据速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、双倍数据速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
说起存储器IC的分类，大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。RAM是Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在执行的程序和数据。CPU可以直接进行随机读写，访问速度较高。RAM：（Random Access Memory），随机存取存储器，是一种可读/写存储器，一般用于计算...
2021-07-26 08:08:39
设计（重点）位扩展（位并联法）字节扩展（地址串联法）【1】存储器的层次结构【2】存储器的分类这里我们拣SRAM和DRAM来讲【3】SRAM基本原理：静态随机存取存储器(SRAM)：所谓...
2021-07-29 06:21:48
Keil编译后生成bin文件占用内部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名词解释RAMRAM又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问
2022-01-26 06:05:59
ARM体系结构中主要半导体存储器嵌入式系统使用的存储器有多种类型，按其存取特性可分为随机存取存储器和只读存储器；按照所处的物理位置可分为片内存储器和片外存储器以及外部存储设备；按照存取
2021-12-17 07:26:46
地擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步动态随机
2022-03-02 07:20:19
MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器：规格：存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR2存储容量1Gb （64M x 16）存储器接口并联时钟频率400MHz写
2020-06-30 16:26:14
静态随机存取存储器SRAM是什么？有何优缺点？动态随机存取存储器DRAM是什么？有何优缺点？
2021-12-24 07:04:20
sram存储原理是依靠，概念静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据
2021-07-27 06:06:26
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
TAS-MRAM概念从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
2021-03-03 06:10:33
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电
2020-12-25 14:50:34
怎么随机存取存储器ram中的存储单元
2023-09-28 06:17:04
什么是静态随机存取存储器？SRAM是由哪些部分组成的？
2021-10-09 08:37:59
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器
2020-05-07 15:56:37
实验二静态随机存取存贮器实验
2021-12-03 08:22:16
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MT48LC16M16A2P-6A:G是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含268435456位。它内部配置为具有同步接口的四组DRAM（所有信号都记录在时钟信号CLK的正边缘
2023-02-02 13:49:53
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
存储器名词解释 RAM：随机存取存储器。每一存储单元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可写的易失性存储器。 ROM：只
2009-03-30 13:21:402813 第三十一讲 随机存取存储器
9.3 随机存取存储器9.3.1 RAM的基本结构和工作原理
9.3.2 RAM的存储单元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述随着DS32X35系列产品的发布，Maxim能够提供无需电池的非易失存储器。这些器件采用了铁电随机存取存储器(FRAM)技术，FRAM是非易失存储器，其读/写操作与RAM类似。该系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：该应用笔记介绍了DS32X35系列产品。这些器件为带有铁电随机存取存储器(RTC + FRAM)的高精度实时时钟，无需外接电池即可保持存储器内容。
概述随着DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名称 RAM（随机存取存储器） RAM -random access memory 随机存储器 定义 存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无
2010-06-29 18:16:592215 赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)，该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用
2011-04-06 19:06:011420 QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹(MHz)的时钟频率允许
2011-04-27 10:20:321917 Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片FM24C64C具有低功率运作特性，有效电流为100 µA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 所谓「随机访问」，指的是当存储器中的讯息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，存取顺序访问（SequenTIal Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。
2018-06-28 12:17:0011795 美国芯片设计商Rambus宣布与中国存储器解决方案供应商兆易创新（GigaDevice）合作建立一个在中国的合资企业Reliance Memory，以实现电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的商业化
2018-05-17 10:34:005566 随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
2018-05-17 17:04:5819725 本文档的主要内容详细介绍的是STM32同步动态随机存取存储器（SDRAM）的源代码程序资料免费下载
2018-08-31 15:53:39
21 随机存取存储器（randomaccessmemory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。本视频主要介绍了随机存取存储器的最大特点。
2018-11-24 10:59:1143325 半导体存储器可以简单分成易失性存储器和非易失性存储器，易失存储器在过去的几十年里没有特别大的变化，依然是以静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）为主，非易失存储器反而不断
2019-01-01 08:55:0011607 
随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
2019-01-07 16:46:4915156 式随机存取存储器（MRAM）、可变电阻式随机存取存储器（ReRAM）、相变化随机存取存储器（PCRAM）等新型存储器，开始被市场采用，而AI/HPC将加速新型存储器更快进入市场。
2019-07-29 16:38:053109 本文档的主要内容详细介绍的是使用DSP进行静态随机存取存储器SRAM的读写实验报告书免费下载。
2019-08-02 17:39:284 我们许多人都知道，随机存取存储器（Random Access Memory，缩写：RAM；也叫主存）是与电脑的中央处理器直接交换数据的内部存储器。
2020-01-13 11:50:271949 无限的耐用性和超过20年的使用寿命。 Everspin 4 Mbit MRAM（磁性随机存取存储器）芯片由Everspin
2020-05-14 12:01:15722 新兴的非易失性存储器技术主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 Everspin并行输入/输出MRAM产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现，无需额外的组件或生态系统支持。Everspin MRAM技术的强大
2020-05-29 14:31:28829 因此“内部快取记忆体”应运而生，也就是静态随机存取存储器。它通常以六个联结晶状体所构成，不需要去更新。静态随机存取储存器是计算机系统中最快的存储器，但也是最贵的，也占用了比动态随机存取储存器多三倍的空间。
2020-06-24 15:45:582764 工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。 MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用硅的面积
2020-06-30 16:21:58910 SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
2020-07-16 10:44:034771 
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓非易失性是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整，此功能与Flash闪存相同;而随机存取是指处理器读取资料时，不定要从头开始，随时都可用相同的速率，从内存的任何
2020-09-21 13:50:342782 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
随机存取存储器（MRAM）最早于1980年代开发，并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同，MRAM将数据存储为磁性元素，而不是电荷或电流。在性能方面由于使用足够的写入电流，因此MRAM与SRAM类似。但是这种依赖性也妨碍了它以更高的密度与
2020-11-20 15:45:59772 铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
2020-12-03 11:53:166108 伴随着物联网、人工智能等应用的兴起，存储器也面临着革新。传统的DRAM受限于EUV的发展，平面NAND也面临着微缩的限制，而最终采取垂直方向上朝着3D方向发展。在传统存储技术接受挑战的过程中，类似于MRAM等新型存储技术也开始逐渐在市场上展露头角。
2021-01-18 11:16:152674 
UG-1755：评估ADG5401F故障保护，6Ω随机存取存储器，带0.6kΩ反馈通道的单刀单掷开关
2021-03-23 00:21:254 富士通型号MB85RS2MTA是采用262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。能够保持数据，而无需使用SRAM所需的备用
2021-05-04 10:13:00928 
ADG7421F：低压故障保护和检测，20Ω随机存取存储器，双单掷开关数据表
2021-05-14 18:27:144 作者：Robert Taylor1 德州仪器
双数据速率同步动态随机存取存储器。哇！真够拗口的。很多人甚至可能都不认识这个全称；它通常缩写为 DDR 存储器。图 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451981 铁电存储器是一种随机存取存储器，同时也是一种特殊工艺的非易失性的存储器,它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问，它属...
2022-01-26 18:11:561 国产SRAM芯片厂商伟凌创芯EMI7256器件是256Kb串行静态随机存取存储器，内部组织为32K字，每个字8位。最大时钟20MHz，采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用CMOS工艺。它被组织为512K×8bit宽的数据接口。可以选择块单独配备专用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器20Mbit。该芯片采用VDIC高密度SIP技术制造，堆叠六个SRAM芯片，采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256Kx40bit宽的独立块数据接口。可以使用专用的#CSn单独选择每个块。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含16777216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四个采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM芯片。它分为两部分512K x 32位宽数据接口的独立块。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含6.777.216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四层采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM组。它分为两部分512Kx32bit宽数据接口的独立块。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的产品。静态随机存取存储器8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用CMOS工艺。它被组织为512K×8bit宽的数据接口。可以选择块单独配备专用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠四个16 Mbit MRAM模具。它被组织为四个2Mx的独立模具8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的五个独立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SIP制造技术，该设备堆叠4个4-Mbit MRAM模具。它由四个512K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻随机存取存储器。该器件采用VDIC高密度SiP技术制造，可堆叠16 Mbit MRAM芯片。它是有组织的作为一个2M x 8bit宽数据接口的独立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠八个1-Mbit MRAM模具。它由八个128K的独立模具组成8比特宽的数据接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠四个1-Mbit MRAM模具。它由四个128K x的独立模具组成8位宽的数据接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为512K x 8bit宽数据接口的一个独立模块。
2022-06-07 16:04:271 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术它被组织为一个128K x 16位宽数据接口的独立模块。
2022-06-08 10:18:481 一些自旋电子存储器已经面世。MRAM（磁性随机存储器）已经商业化，在某些情况下可以取代电子存储器，但它是基于铁磁开关的。
2022-07-22 17:05:141596 W9825G6KH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），由4M字×4组×16位组成。W9825G6KH提供高达每秒200兆字的数据带宽。为了完全符合个人计算机行业标准，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060 磁性随机存取存储器（MRAM）作为一种新兴的非易失性存储器，具有高读写速度、高续航能力、长存储时间和低功耗等特点。
2022-10-18 16:30:23663 在过去几十年内，易失性存储器没有特别大的变化，主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存)。
2022-11-29 15:56:463115 
STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。MRAM供应商英尚微支持提供相关技术支持。
2022-11-29 15:57:581325 相变随机存取存储器具有低电压操作、编程速度快、功耗小和成本低等特点。
2023-02-01 10:16:15699 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。
2023-02-08 10:14:39547 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462548 无论是在网飞上看电影、玩电子游戏，还是单纯地浏览数码照片，你的电脑都会定期进入内存获取指令。没有随机存取存储器（RAM），今天的计算机甚至无法启动。
2023-05-30 15:19:55317 本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器（DRAM）的相关知识，包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34819 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世纪70 年代到 90年代中期，动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是异步接口，这样它可以随时响应控制输入信号的变化从而直接影响
2023-11-17 09:26:27382 低功耗双倍速率同步动态随机存取存储器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)简称为 LPDDR，是DDR SDRAM 的一种，由于广泛用于移动
2023-11-21 09:37:36257 
MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。
2024-01-09 14:24:03212 
英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，扩展其集成嵌入式纠错码（ECC）的抗辐射异步静态随机存取存储器（RAM）产品线。这款新产品的设计初衷是为了满足航空和其他极端环境中的高性能计算需求。
2024-01-24 17:11:39359
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