0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5433资料下载内容包括：MAX5433引脚功能MAX5433功能和特性MAX5433应用范围MAX5433内部方框图MAX5433极限参数MAX5433典型应用电路
2021-04-02 07:32:20
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1556中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的，如图1所示。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月
2020-09-16 17:17:42
非易失性温度报警触发器TH和TL。可通过软件写入 报警上下限值。DS18B20中很多资料这样写，具体使用是什么情况的？谁知道，请指教，谢谢加入写入了上限温度50 下限温度－20 超过这两个限度
2020-06-17 05:24:55
一、概述DS18B20数字温度传感器DS18B20数字温度传感器提供9bit到12bit的摄氏温度测量精度和一个用户可编程的非易失性且具有过温和低温触发报警的报警功能。DS18B20采用
2021-12-08 06:34:49
～+125℃，在-10～+85℃范围内，精度为±0.5℃。1.1 内部结构DS18B20的内部结构如图所示，主要由4部分组成：64位ROM、温度敏感元件、非易失性温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。图中，DQ为数字信号输入/输出端；VDD为外接供电电源输入端。1）ROM（Read-Only Memory）
2022-02-23 07:10:07
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
前言：MCU中的SRAM和Flash相当于计算机系统中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash对比区别分类SRAMFlash容量容量小容量大读写速度快慢掉电易失掉电易失掉电不易失价格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
在本文中，我们将介绍一种新型的非易失性DRAM，以及它与当前内存技术的比较。DRAM是计算技术中必不可少的组件，但并非没有缺陷。在本文中，我们将研究一种新提出的存储器-非易失性DRAM-以及它与当前
2020-09-25 08:01:20
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出带有非易失存储器(EEPROM)的±0.5℃精度数字温度传感器和温度调节器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上电时能够运行用户设定的配置和温度调节门限，而其他类似的器件
2018-10-29 10:51:29
1、RAM（random access memory）：（都属于易失性存储器）SRAM：静态随机存储器，6个晶体管存储一位数据，功耗大，面积大DRAM：动态随机存储器，一个晶体管和一个电容存储一位数
2021-12-17 06:35:02
航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2020-12-31 07:15:20
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
存取速度分类)：1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差强人意的分类为(按易失性分类)：1、易
2012-01-06 22:58:43
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
存储配置数据。配置数据决定了PLD内部互连和功能，改变配置数据，也就改变了器件的逻辑功能。SRAM编程时间短，为系统动态改变PLD的逻辑功能创造了条件。但由于SRAM的数据易失的，配置数据必须保存在PLD器件以外的非易失存储器内，才能实现在线可重配置(ICR)。
2019-08-22 06:31:02
在过去的几年间，FPGA技术备受瞩目，而快闪FPGA的出现无疑引发FPGA领域的一场革命，推动了FPGA的进一步飞跃。由于PPGA的特性主要由其使用的可编程技术来决定，相对于SRAM FPGA，快闪FPGA具有更好的非易失性，这使其成为FPGA设计的更好的选择。
2019-08-05 07:59:59
优势，但是由于SRAM的易失性，掉电以后芯片中的配置信息将丢失，所以每次系统上电时都需要重新配置。这就使得剽窃者可以通过对FPGA的配置数据引脚进行采样，得到该FPGA的配置数据流，实现对FPGA内部
2019-08-23 06:45:21
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位计数器模式中使用Time1。下面的函数在代码中定期调用。每次调用上述函数后，Timer1应该重置为零。有时它不是这样发生的，但有时它像预期的那样工作。我必须将“T1Value”声明为易失性变量还是其他可能出现的问题？任何帮助都是值得赞赏的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
在 wiki 中，我发现了这些行：5.3 非易失性计数器↑每个证书都嵌入了一个非易失性计数器值，该值被检查以控制防回滚机制。有两种非易失性计数器： - 可信非易失性计数器 - 非可信易失性计数器在
2023-02-02 07:32:04
SRAM（nvSRAM）对于企业级SSD的优势在于能无需使用或尽可能少用超级电容或分立电容组，并能通过单芯片的免电池非易失性RAM技术就能为传输中的SDRAM缓存数据和元数据可靠备份。以下简要介绍
2018-09-26 09:44:52
半导体公司推出的一种与SRAM相似但却具有非易失性的随机存储器，它没有BSRAM模组系统的设计复杂性和相关的数据可靠性问题，而且能在掉电的情况下保存数据。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH写入时间长、擦写次数低的缺点,同时其成本也比相同容量的锂电池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款为非易失(NV) SRAM提供的锂电池电源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面贴装PowerCap模块封装。PowerCap模块焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:44:47
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路
2010-10-20 09:04:42
1192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391685 
FEATURES Integrated NV SRAM, Real-Time Clock (RTC), Crystal, Power-Fail Control Circuit
2012-03-19 17:01:16
15 DC1747-原理图
2021-05-12 13:28:570 DC1747A-设计文件
2021-06-08 15:52:201 电子发烧友网为你提供ADI(ti)DC1747A-A相关产品参数、数据手册，更有DC1747A-A的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DC1747A-A真值表，DC1747A-A管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-08-07 11:00:03
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1747WP-120IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1747WP-120IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1747WP-120IND+真值表，DS1747WP-120IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-18 20:55:00
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2022-11-18 21:54:47
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2022-11-21 21:02:01
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2022-11-21 21:21:27
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2022-11-21 21:22:03
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2022-11-21 22:04:37
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2022-11-21 22:05:01
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2022-11-21 22:06:06
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2022-11-21 22:06:17
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2022-11-21 22:07:15
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2022-11-21 22:07:26
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2022-11-21 22:09:23
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2022-11-21 22:09:54
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2022-11-24 20:13:47
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2022-11-24 20:13:58
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2022-11-24 20:14:17
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