氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克代码:NVTS)宣布,戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。
2021-12-30 15:06:091364 纳微半导体今天正式宣布,旗下新一代增加GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片,已用于Redmi携手梅赛德斯 AMG 马石油 F1 车队共同发布的K50冠军版电竞手机所标配120W氮化镓充电器中。
2022-03-14 13:40:021264 GaNFast™功率芯片为一加ACE手机实现超快充,电量从1%到100%只需充电17分钟 加利福尼亚州埃尔塞贡多 2022年8月11号讯 - 纳微半导体(纳斯达克股票代码: NVTS),氮化
2022-08-12 16:36:508132 来源 华西证券编辑:智东西内参作者:吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临,以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中,Ga...
2021-08-31 06:32:26
氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比,氧化镓的禁带宽度远高于后两者,其禁带宽度达到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
新的射频开关设备从门洛微电子提供25瓦功率处理和一个集成电荷泵驱动电路随着5G 网络服务部署到全球各地,对6GHz 以下频段(尤其是 C 波段)的需求正在上升。这种中带5G 网络依赖于包括先进波束
2022-06-13 10:34:18
的机遇。半导体业在先进制程继续发威、5G芯片竞争也进入白热化阶段。高阶半导体也愈战愈勇、再加上国内去美国化趋势继续等五大支柱支撑下,2020年第一季景气淡季不淡的轮廓似乎日趋显著。半导体设备的发展预示
2019-12-03 10:10:00
也有更好的表现。模拟IC应用广泛,使用环节也各不相同,因此制造工艺也会相应变化。砷化镓(GaAs):无线通信核心材料,受益5G大趋势相较于第一代硅半导体,砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性,因此
2019-05-06 10:04:10
5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。氮化镓、MMIC、射频 SoC 以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-05 04:20:15
5000强劲组合,运行内存8GB、机身存储256GB。国产另一款5G手机,中兴天机Axon 10 Pro 5G搭配12GB+256GB 骁龙855 支持NSA制式,而在存储方面提供
2019-08-17 10:10:01
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化
2019-07-31 07:47:23
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。
2019-08-16 07:57:10
对于大规模MIMO系统而言,第4代氮化镓技术和多功能相控阵雷达(MPAR)架构可提升射频性能和装配效率——DavidRyan,MACOM高级业务开发和战略营销经理解说道,向5G移动网络的推进不断加快
2019-08-02 08:28:19
个单独元件组成的组件相比,可以更容易地对电路板进行返工。第4代氮化镓优势就半导体层面而言,第四代硅基氮化镓(Gen4GaN)已经作为LDMOS的明确替代者来服务于针对5G部署的下一代基站,尤其对于
2017-08-03 16:28:14
的组件相比,可以更容易地对电路板进行返工。第4代氮化镓优势就半导体层面而言,第四代硅基氮化镓(Gen4 GaN)已经作为LDMOS的明确替代者来服务于针对5G部署的下一代基站,尤其对于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10
: (点击图片跳转至“5G宗师”漫画)首先介绍「波束赋形技术」,作为5G的难点场景之一,高铁等高速移动场景非常考验芯片的通信能力。在麒麟芯片的众多5G技术中,「波束赋形」就是其中之一。 另外,麒麟还
2020-05-13 09:04:01
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表,相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多,制造成本更为高昂,可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
最高可达100W (20V/5A),大幅缩短充电时间,因此,大功率充电器需求量增加在未来是可预期的。随着电源功率的提高,电池势必变得体积更大、重量更重,因此业界在半导体构造及封装的研究与改良上,持续
2018-10-23 16:12:16
天线:MassiveMIMO和新材料将应用5G封测:各大封测厂积极备战5G芯片化合物半导体迎来新机遇电磁屏蔽、导热材料获得新市场空间
2020-12-30 06:01:41
元,并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日,联想官方在电商平台发起氮化镓快充价格战,YOGA 65W 双口 USB-C 氮化镓充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化镓充电器
2022-06-14 11:11:16
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点;纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。对于氮化镓快充普及浪潮的来临,各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会,使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
目标应用。而在其最明显的缺陷当中,值得一提的是,砷化镓只能提供有限的功率输出(低于 50W),而 LDMOS 受限于较低频率(低于 3GHz)。正当砷化镓和LDMOS在功率和频率上显现出缺憾之时,氮化镓
2017-08-15 17:47:34
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
应用的发展历程无疑是一次最具颠覆性的技术革新过程,为射频半导体行业开创了一个新时代。通过与ST达成的协议,MACOM硅基氮化镓技术将获得独特优势,能够满足未来4G LTE和5G无线基站基础设施对于性能
2018-08-17 09:49:42
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
闪充模式。给一加 7 Pro手机充电,ChargerLAB POWER-Z KM001C显示充电电压4.47V,电流3.72A,充电功率约为16.6W,手机已经进入了DASH闪充模式。同样使用这套方案
2019-09-02 09:47:05
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
板上看出,得益于使用合封氮化镓器件,芯片无需辅助散热措施即可满足27W的连续输出,并且合封将控制器和开关管集成在一颗芯片内,初级的元件也十分精简,可满足高性价比的氮化镓快充设计。钰泰半导体
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例:高密度手机充电器•应用实例:高性能电机驱动器•应用示例;高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
已经有不少硅基氮化镓组件被通信客户采用。为了保证供应,MACOM不久前还与ST签署了合作协议。从中可以看出,往后具有更大集成效能的半导体材料应用或将走向历史的中央舞台。5G促使企业加速国内本土化进程目前
2019-01-22 11:22:59
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品,这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多:半导体器件可靠性更高,氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化镓(GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
技高一筹。 OPPO超级闪充、VOOC闪充、普通充电速度对比 仔细观看这段快充视频可以发现,测试的手机是从电量5%开始充电,充到100%用了10分钟左右时间,而官方宣传中说的是15分钟可以充满
2018-10-09 14:39:10
)
1: A1(22.5W)A2(22.5W)C1(100W)单口单独使用的
时候都可以快充。
2:
A1+A2 = 22.5W+22.5W
3:
A1+C1 =5V+5V
(这是同一路的都是转 5
2023-09-07 15:26:56
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰,智融,赛芯微一级代理莫先生:***V信欢迎行业客户联系,获取datasheet、报价、样片等更多产品信息钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合
2021-12-27 15:02:50
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的电阻和电容,开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力,电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后,氮化镓充电器的开关频率,已经从 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
推广应用和推广碳中和”的政策。日本大坂大学的森勇介教授,一直在从事高品质的半导体研究,这一次,我们就氮化镓的研发情况、研究成果对未来的应用前景产生的影响,森教授进行了访谈。目前,功率半导体的应用广泛,其
2023-02-23 15:46:22
行业标准,成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
流,但随着5G的到来,砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
12月10日入手的一加8T,使用标称65W WARP闪充的原装充电器进行充电功率测试。时间充电量 (%)充电功率(W)预计剩余充电时间(分钟)11:34963.593511
2021-09-14 07:17:13
概述:NV6127是一款升级产品,导通电阻更小,只有 125 毫欧,是氮化镓功率芯片IC。型号2:AON6268丝印:6268属性:分立半导体产品 - 晶体管封装:DFN-8参数FET 类型:N 通道
2021-01-13 17:46:43
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案,或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题,尽管不排除芯片可能存在不适用的领域,但是大部分时候是应用层面的问题,和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
采用GaNFast™功率半导体的高效有源箝位反激变换器的设计考虑
2023-06-21 06:24:22
当提到 5G 的承诺 – 小于 1 毫秒的延迟、100 倍的网络能量效率、20 Gbps 的峰值数据速率以及10 Mps/m2 的区域流量容量,提供商们仍大有可为。5G 预定在 2020 年进行商业发布,预计可以提供所有这些显著的优势,包括更“绿色”和高效的通信网络。
2019-07-26 07:56:47
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
带半导体,相比常规的硅材料,开关速度更快,具有更高的耐压。在降低电阻的同时,还能提供更高的过电压保护能力,防止过压造成的损坏。OPPO使用一颗氮化镓开关管取代两颗串联的硅MOS,氮化镓低阻抗优势可以
2023-02-21 16:13:41
氮化镓完整方案有深圳市展嵘电子有限公司提供,包括45W、69W单口、多口全协议输出适配器,更有87W适配器+移动电源超级快充二合一方案。总有一款适合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
通QC5认证100W氮化镓快充、麦多多100W氮化镓、OPPO 65W超级闪充氮化镓充电器、联想90W氮化镓快充、努比亚65W氮化镓充电器、倍思120W氮化镓+碳化硅PD快充充电器等数十款大功率充电器
2023-06-16 14:05:50
流,但随着5G的到来,砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。于是,GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体,可承受更高的工作电压,意味着其功率密度及可工作温度更高,因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
,方便使用并提升产品的竞争力。智融拥有大功率车充一站式解决方案,协议支持非常全面且集成度高等优势。一、智融发布100W车充芯片SW7203智融SW7203是一颗单电感高效率四管同步升降压控制器,支持双向输出
2022-02-28 11:25:42
POWER-Z KT001显示充电电压4.89V,电流3.71A,充电功率约为18W,手机已经进入了VOOC低压闪充模式。给一加 7 Pro手机充电,ChargerLAB POWER-Z KM001C
2019-08-27 15:44:57
科技这款100W移动电源参考设计采用单路双向同步升降压,USB-C接口支持双向充放电,USB-A口支持快充,当双口同时输出时为5V输出。参考设计采用SW7201同步升降压控制器搭配SW2505协议芯片
2023-09-18 15:52:03
OPPO手机充电,ChargerLAB POWER-Z KT001显示充电电压4.89V,电流3.71A,充电功率约为18W,手机已经进入了VOOC低压闪充模式。给一加 7 Pro手机充电
2019-09-16 13:58:16
,以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1:氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体,于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,如果不妥,请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 编辑
氮化镓作为第三代半导体器件,凭借其优异的性能,在PD快充领域得到了广泛关注。作为国内领先的ACDC快充品牌,茂睿芯一直潜心研发
2021-11-12 11:53:21
了当时功率半导体界的一项大胆技术:氮化镓(GaN)。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景,他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
由于5G商用的到来,光通信领域将在2020大放异彩。就光通信设备来说,其上游包括了光模块、光有源器件、光无源器件以及光芯片等细分业务。产业链上下游100G光模块规模商用已成定局,同时运营商初步
2020-03-05 14:13:28
的GaN Systems却获得了与GaN加SiC比翼齐飞的纳微半导体的相近估值,可见如笔者之前的分析《又一家公司被收购,留给对手的时间不多了》,海外市场碳化硅和氮化镓的优质标的真的所剩不多了。
2023-03-03 16:48:40
纳微半导体向福布斯详细介绍了纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片的相关信息,并且介绍了氮化镓功率芯片在电动汽车以及电动交通工具等方面的应用。
2021-08-24 09:39:211267 氮化镓作为下一代半导体技术,其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化镓功率集成芯片技术,集成了氮化镓功率场效应管(GaN Power[FET])、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:45:131627 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度,将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:561497 美国加利福尼亚州埃尔塞贡多,2022 年 5 月10日:氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克代码:NVTS)正式发布 NV6169,这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片,可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:311706 下一代氮化镓功率芯片 助力RedmiBook Pro实现轻巧快充 加利福尼亚州埃尔塞贡多2022年6月29日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克代码:NVTS)宣布
2022-07-01 14:39:401412 一步,推出采用GaNSense™技术的新一代智能GaNFast™氮化镓功率芯片,为氮化镓技术的探索翻开了新的一页。 氮化镓VS传统的硅,节能又减排 众所周知,硅作为晶体管的首选材料,一直是半导体科技的基
2023-02-21 14:57:110 领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯达克股票代码:NVTS)宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路,
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了
2023-02-22 13:48:053 进入三星进供应链:纳微GaNFast氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用。作为下一代功率半导体技术,氮化镓正持续取代传统硅功率芯片在移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车的市场份额。 Galaxy S23可谓配置“拉满”——配备一块大小为6.1英寸,分辨率为2340×
2023-11-03 14:06:31609 加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:04307
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