9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 Kioxia(原东芝存储),西部数据(WD)联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前,原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会
2019-12-13 10:46:0711441 资料来源:Kioxia Kioxia(原为东芝存储)有望创建3D NAND闪存的后继产品,与QLC NAND闪存相比,该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元
2019-12-23 10:32:214222 据报道,Kioxia已告知其客户,其一家工厂的生产工具在星期二早些时候着火了。据生产合作伙伴西部数据(Western Digital)称,这场大火被迅速扑灭,没有人员伤亡的报道,并且对合资公司
2020-01-11 06:00:005483 昆腾宣布已从西部数据(Western Digital)收购ActiveScale对象存储业务。Western Digital的ActiveScale云存储解决方案用于存储需要大量廉价,快速和可靠
2020-02-12 01:32:001473 Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产,但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:005791 7月24日国外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:23988 一周之前,三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间,同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161205 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436006 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月,先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0640846 目前NAND闪存需求依然居高不下,厂商也有动力扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 国产手机势头越来越强劲,把三星和苹果的市场份额抢占不少,但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失,就比如闪存芯片,这基本上被韩国厂商垄断了。近日,高启全接受媒体采访时表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 电子发烧友早八点讯:三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 10:03:292569 KIOXIA铠侠近日宣布,其已达成一座新的里程碑——2022年是公司发明NAND闪存的35周年。 回溯到1987年,人们很难想象这项当时的全新技术会以何种方式影响世界。NAND闪存开创了一个崭新的技术时代,并淘汰了使用多年的技术和产品——在不同方面改变了人们的生活
2022-04-25 18:26:212196 11月12日消息今日,美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:162883 Kioxia(铠侠)和西部数据宣布,双方合作开发了第六代162层3D闪存技术。这是两家企业建立20年合作关系的又一里程碑,也是两家公司迄今密度最高、最先进的3D NAND技术。 Kioxia首席技术
2021-02-20 15:30:152151 什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿?
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长?如何提升SSD寿命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技术资料:器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
什么是3D图形芯片?3D图像生成算法的原理是什么?
2021-06-04 06:29:06
3D显示技术的原理是什么?3D显示技术有哪些应用?3D拍好了到底怎么样传输?
2021-05-31 06:53:03
SLC NAND Flash有8Gb的MX60L系列,512Mb-4Gb的MX30L系列;在工控产品和通信产品中,有MX30U/L、MX60U/L系列;而3D NAND Flash, 48层128Mb
2020-11-19 09:09:58
给PCB添加了3D模型之后,让封装旋转45度,自己填加的3D模型旋转45度后,代表3D模型的机械层不会和PCB重合;而用封装向导画的模型会和PCB重合。请问这个改怎么解决?虽然旋转45度之后,在3D 模式下,3D图也是旋转了45度,但是在2D模式下的机械层看着很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
请教大家一个问题: Altium designer 的3D封装在机械层是有线的,我的板子在机械层也画了线来切掉一部分。那么在PCB的生产加工中,3D封装位于机械层的线是否会影响加工效果。请实际操作过的回答下,非常感谢。如下图:
2016-07-22 14:05:18
Altium designer summer 09 怎么建立3D库,及PCB怎么导出3D图,请教各位前辈们
2016-11-23 19:48:22
科技,ALI扬智科技,Kioxia铠侠,Western Digital西部数据,Kingston金士顿,lnfineon英飞凌+CYPRESS,GiqaDevice兆易创新,Rockchip瑞芯微,AW全
2021-12-02 12:40:02
Stero 3D的3D功能。有一个讨论这个问题的线程,有些人对此真的不满意吗?在播放蓝光3D时,这会如何影响3D功能?任何人都可以更广泛地解释这一点,最好是英特尔的人。来自英特尔技术规范:“LSP 2.0
2018-10-26 14:52:52
3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标,希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能占到3D NAND产量的75%,不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示
2022-02-03 11:41:35
6工厂,于2018年9月正式落成,主要是量产最新研发的96层3D NAND,这次西部数据宣布延后导入新设备,应是第二期设备,第一期已于落成时导入。不过,这次西部数据宣布四日市工厂将减少投入晶圆,可能是
2022-02-01 23:19:53
THGAF8G8T23BAIL闪存芯片THGAF8G9T43BAIR铠侠宣布推出采用QLC NAND的嵌入式存储UFS3.1产品。适用于需要高密度的应用,例如尖端智能手机,铠侠的 QLC 技术能够在
2022-01-25 08:37:22
SK海力士虽然并未有扩产消息传出,但是近期相继宣布下一代(176层)NAND闪存技术取得显著进展。其中,美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产,将在2021年推出基于该技术的新产品,SK
2022-01-26 08:35:58
`批量快速打印不是梦是桌面3D打印机的8倍以上成型速度 4工位3D打印机打印尺寸:300*215*300 mm * 4喷头 ⑴ 设备特性:可实现小批量的相同模型,不同材料和不同颜色的快速生产⑵ 设备
2015-12-18 16:37:06
pcb 3D导step用creo打开为什么丝印层显示不出来 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
)首先确定Mechanical层打开,因为3D Body只有在Mechanical层可有效放置成功。跳转到Mechanical层,执行菜单命令“放置-放置3D元件体”,会出现如图4-71所示的3D模型
2021-09-22 15:14:20
娱乐等,未来AI实时应用、分析、移动性,对存储要求低延迟、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。为了满足不断增长的需求,西部数据在2017年发布第四代96层3D NAND,Fab工厂每天可生产
2018-09-20 17:57:05
使用DLP技术的3D打印光固化成形法 (SLA),一个常见的3D打印工艺,与传统打印很相似。与硒鼓将碳粉沉积在纸张上很类似,3D打印机在连续的2D横截面上沉淀数层材料,这些材料一层层的叠加
2022-11-18 07:32:23
亲, 我第1次用ALLEGRO是版本是14.2,随着软件的升级,他也有3D的封装库。谁有,可以提供吗?
2015-09-10 10:38:26
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品,可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
的3D闪存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND闪存(3DNAND闪存中的一种),率先支持ToggleDDR4.0接口,传输速度达到了1.4Gbps,相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
`如何把3D文件(STEP)添加到3D库?复制到3D库不能用.`
2013-08-21 12:42:02
以下是我的请求列表,
你能分享 8MPLUS-BB 的 3D cad 模型吗?
我可以请求共享 8MPLUS-BB 的 Altium 设计文件吗?
我们已经采购了 EVM 板,并计划设计一个外壳。
2023-06-05 13:37:08
3D打印技术是综合了三维数字技术、控制技术、信息技术众多技术的创新研发技术,具有设计样式多元化、试制成本低、制作材料丰富等特点。通过数字化设计工具+3D打印技术相结的模式,可以帮助企业高效实现创新
2021-05-27 19:05:15
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆,自带坏块管理,10W次擦写寿命,1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片Xtacking技术将外围电路连接到存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。据悉,长江存储的64层3D NAND闪存产品将在2020年进入
2020-03-19 14:04:57
在3D模式下能不能隐藏元件的3D,就是3D模式下只能看见PCB板
2019-04-18 05:51:13
Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布,继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品,并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081045 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在:
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 现在,西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存,其使用的是新一代BiCS 4技术(下半年出样,2018年开始量产),除了TLC类型外,其还会支持QLC,这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 上周,随着英特尔和美光宣布未来双方将各自独立开发3D NAND,其维持多年的长期合作关系也将结束。与此同时,有外媒报道,英特尔将于紫光合作,在中国生产3D NAND闪存芯片。在未来几年,英特尔将会
2018-01-16 14:37:554492 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司,他们本周一正式收购了华亚科公司,内存业务如虎添翼,而闪存方面,美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 )也宣布研发出3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家独大的情况将画下句点,加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入,3D NAND大战一触即发。什么是3D NAND闪存?从新闻到评测
2018-10-08 15:52:39395 11月15日, 国产知名SSD主控芯片原厂联芸科技(MAXIO)再下一城,正式对外宣布MAS0902固态硬盘主控芯片已全面支持最新96层3D TLC NAND 闪存颗粒,并对外提供搭载联芸科技自主
2018-11-19 17:22:316838 的单位面积上,TLC闪存比MLC存储的数据更多,而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元,这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的单位面积上,TLC闪存比MLC存储的数据更多,而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元,这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 Western Digital Corp.(NASDAQ:WDC)在RISC-V Summit大会上发表了三项创新的开源技术,专为支持Western Digital内部RISC-V架构开发专案,以及日益成长的RISC-V架构生态系统所设计的。
2018-12-23 10:04:204532 Western Digital 为推动ZB( Zettabyte 皆字节)规模数据中心,最近公布了分区储存( Zoned Storage )技术,包括ZNS NVMe SSD 及ZNS SSD 。
2019-06-24 15:54:115344 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布,已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 根据消息报道,西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布,他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功,第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产,今年下半年可能会实现商业化量产。
2020-02-04 16:25:344317 Western Digital宣布将在其WD Red产品系列中增加三个新的NAS驱动器,旨在为依靠NAS驱动器满足其存储需求的小型企业和家庭办公室提供更高的性能,耐用性,容量和可访问性。
2020-03-11 16:19:252440 2020年4月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:522653 长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功,型号为X2-6070,并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:062793 全球第二大NAND型闪存厂商铠侠(Kioxia)于官网宣布,其已于27日获得上市许可,将在10月6日首次挂牌上市。这将是日本今年最大的IPO案,在铠侠宣布得到上市许可后,其股东同天宣布拟出售部分
2020-09-09 17:04:461966 全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 11:12:161889 全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 11:12:191922 全 球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 11:12:341883 据国外媒体报道,专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储,将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 据美媒Anandtech报道,美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存,新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出,新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品,此后美光从浮栅( floating-gate)存储单元设计转变为电荷陷阱(charge-trap)单元。
2020-11-10 14:56:592809 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术,达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后,自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571857 存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 日前,TechInsights高级技术研究员Joengdong Choe在2020年闪存峰会上作了两次演讲,详细介绍了3D NAND和其他新兴存储器的未来。
2020-11-19 16:11:182910 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:132330 依托于先进工艺的 3D NAND,氧化层越来越薄,面临可靠性和稳定性的难题,未来的 3D NAND 将如何发展?如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率? 在 2020 年的闪存峰会
2020-11-20 17:15:443030 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 层3D NAND;长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。转眼来到2020年末,美光和SK海力士相继发布了176层3D NAND。这也是唯二进入176层的存储厂商。不得不说,存储之战没有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659 三星最大的竞争对手Kioxia在2020年第三季度的市场份额为21.4%。Western Digital的市场份额为14.3%,SK Hynix的市场份额为11.3%,Micron的市场份额为10.5%,Intel的市场份额为7.9%。
2021-01-22 14:15:262370 日本芯片制造商Kioxia开发了大约170层的NAND闪存,加入了与美国同行Micron Technology和韩国的SK Hynix的竞赛。
2021-02-20 11:10:002580 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 铠侠株式会社(Kioxia Corporation)和西部数据公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了双方合作开发的新3D闪存技术的细节,展示了两家
2023-04-03 09:52:37408 来源:KIOXIA铠侠中国 为展示先进闪存技术的持续创新,铠侠株式会社与西部数据公司今日(3月31日)发布了他们最新的3D闪存技术的细节,该技术目前正在备产中。该3D闪存采用先进的微缩和晶圆键合技术
2023-04-04 16:39:43491 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:291744
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