SDRAM芯片引脚说明和存储单元

SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随机存储器，同步指存储器的工作需要参考时钟；

SDRAM的信号电平为LVTTL，属单端信号；

对于同步存储器，有三个与工作速率相关的重要指标：内核工作频率、时钟频率、数据传输速率；就SDRAM而言，其内核工作频率、时钟频率和数据传输速率三者相同；最高速率可达200MHz，设计中常用的速率有100 MHz、133 MHz、167 MHz；

下面以W9825G6KH为例，来对SDRAM进行介绍

一、SDRAM芯片引脚说明

CLK：时钟信号，在该时钟的上升沿采集输入信号；为输入信号；

CKE：时钟使能，高电平有效；禁止时钟时，SDRAM会进入自刷新模式；为输入信号；

CS#：片选信号，低电平有效；为输入信号；

RAS#：行地址选通信号，低电平时，表示行地址；为输入信号；

CAS#：列地址选通信号，低电平时，表示列地址；为输入信号;

WE#：写使能信号，低电平有效；为输入信号；

A0~A12：地址线（行/列）；为输入信号；

BS0/BS1或BA0/BA1：BANK地址线；为输入信号；

DQ0~15：数据线；为输入/输出双向信号；

LDQM,UDQM：数据掩码，表示DQ的有效部分；为输入/输出双向信号，其方向与数据总线的方向相同，高电平有效；当DQM有效时，数据总线上出现的对应数据字节被接收端屏蔽；

举例说明：假设以 8 位数据访问，我们只需要 DQ0DQ7 的数据，而 DQ8DQ15的数据需要忽略；此时，我们只需要设置 LDQM 为低电平， UDQM 为高电平，就可以了；

VDD：SDRAM内核工作电源，为3.3V

VDDQ：SDRAM数据总线IO口电源，为3.3V

二、存储单元

SDRAM的存储电源（称之为：BANK）是以阵列的形式排列，如图，每个存储单元的结构示意图

对于这个存储阵列，我们可以将其看成是一个表格，只需要给定行地址和列地址，就可以确定其唯一位置，这就是SDRAM寻址的基本原理，而一个SDRAM芯片内部，一般又有4个这样的存储单元（BANK），所以，在SDRAM内部寻址的时候，先指定BANK号和行地址，然后再指定列地址，就可以查找到目标地址；
因此，在器件资料上，SDRAM存储容量的定义方式是：地址数х位宽х BANK；以W9825G6KH为例(容量为256Mb )：4Mх4BANK х 16bit

行地址信号线为A0~A12共13根，可组成2的十三次方不同的行地址，列地址信号线为A0 ~ A8共9根，可组成2的九次方不同的列地址，因此地址数为4M（2的二十二次方，注：1M为2的二十次方），BANK信号线为BS0/BS1或BA0/BA1共两根，因此BANK数为4；数据信号线为DQ0 ~15共16根，因此数据线宽为16bit

补充说明：行地址选择和列地址选择处于SDRAM操作的不同阶段，因此，行地址和列地址信号线可被相互复用；

下图为SDRAM存储结构图