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三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存超过 300 层；采用双层堆栈架构。
而SK海力士则计划在2025 年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND 闪存。
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
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1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:311027
1027SK海力士量产世界最高238层4D NAND闪存
sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:532449
2449SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:541442
1442
三星：2030年3D NAND将进入1000层以上
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142
3142SK海力士发布全球首款321层NAND！
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471993
1993三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产
三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:581255
1255三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市
据dram领域的调查企业trend force称，去年第四季度在dram领域，三星以45.1%的世界市场占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域，三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:581100
1100三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片
最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015
2015消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正采购新设备备产 236 层 NAND
采取相应措施。据 Business Korea 报道，三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并已开始大规模扩张。 消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第
2023-10-18 08:35:55911
911三星九代V-NAND闪存或月底量产，堆叠层数将达290层
据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410
1410三星量产第九代V-NAND闪存芯片，突破最高堆叠层数纪录
三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500
1500三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产
近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287
1287三星宣布量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，采用290层双重堆叠技术
作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011536
1536三星宣布量产第九代V-NAND芯片，位密度提升50%
在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874
1874三星第九代V-NAND 1TB TLC量产，密度提升逾50%
第九代V-NAND采用双堆叠设计，将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
2024-04-28 17:36:181369
1369SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0
今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175
1175SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案
在智能手机技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的闪存产品，无疑将为用户带来前所未有的使用体验。
2024-05-11 10:14:191068
1068三星第9代V-NAND采用钼金属布线技术
据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262
1262SK海力士将在2025年底量产400+层堆叠NAND
近日，韩国权威媒体ETNews爆出猛料，SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程，并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前，全面完成高达400多层堆叠NAND的半成品制备工作，紧随其后，将于2026年第二季度正式启动并大规模投入生产。
2024-08-01 15:26:421322
1322SK海力士加速NAND研发，400+层闪存量产在即
韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐，引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743
1743三星电子量产1TB QLC第九代V-NAND
三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108
1108三星QLC第九代V-NAND量产启动,引领AI时代数据存储新纪元
三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND，通过创新的通道孔蚀刻技术，实现了业界领先的单元层数，为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521479
1479三星MLC NAND闪存或面临停产传闻
的广泛关注。 然而，三星电子并未对这一传闻进行正面回应，反而强调市场传言不实，并表示未来将持续生产MLC NAND闪存。尽管如此，多家供应链业者仍指出，三星在年底进行的人事大改组后，产线规划很可能也会有所调整，这进一步加剧了业界对MLC NAND闪存未来命运的担
2024-11-21 14:16:121474
1474三星电子削减NAND闪存产量
价格将出现暴跌。在这样的市场环境下，三星电子面临着巨大的压力，难以维持过去那种压倒性的生产力。 据报道，SK海力士正在积极增加NAND闪存的供应规模，这无疑加剧了市场竞争。面对如此激烈的竞争环境，三星电子不得不重新审视自身的生产策略
2025-01-14 14:21:24867
867三星与SK海力士实施NAND闪存“自然减产”
据外媒最新报道，为了应对NAND闪存市场的供应过剩问题，三星电子与SK海力士两大半导体巨头已悄然采取措施，通过工艺转换实现“自然减产”。 据业内消息透露，自去年年底以来，三星电子和SK海力士正积极
2025-02-12 10:38:13858
858三星西安NAND闪存工厂将建第九代产线
还将进一步迈出重要一步——建设第九代V-NAND(286层技术)产线。 报道指出，为了实现这一目标，三星西安NAND厂将在今年上半年引入生产第九代V-NAND所需的新设备。这些先进设备的导入，将为产线建设提供坚实的基础，确保技术升级顺利进行。 据悉，三星西安NAND厂的目标
2025-02-14 13:43:271090
1090SK海力士321层4D NAND的诞生
SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（NAND Flash，以下简称NAND
2025-07-10 11:37:591509
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