电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>存储技术>堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构分析

堆叠式DRAM存储节点相关部分的结构分析

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

美光开始量产1z nm工艺节点DRAM内存

美光科技(Micron)16日宣布进一步推动DRAM产品的革新,其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y nm相比,该公司将使用1z nm节点来改善
2019-08-20 10:22:367258

DRAM扩展挑战越来越大

10nm。研发部门正在努力扩展该技术,并最终将其替换为新的存储器类型。 但是,到目前为止,还没有直接的替代方法。并且,在采用新解决方案之前,供应商将继续扩展DRAM并提高性能,尽管在当前1xnm节点体制下将逐步增加。并且在未来的节点上,部分但不是全部DR
2019-11-25 11:33:185883

DRAM的矩阵存储电路设计原理分析

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即动态随机存取存储器,它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存,也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527

DRAM的矩阵存储电路设计方案

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即动态随机存取存储器,它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存,也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257

DRAM存储器为什么要刷新

DRAM(动态随机存取存储器)存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷,而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36267

新突破!美光宣布批量出货1α工艺节点DRAM

于所有类型的DRAM,有望显着降低DRAM成本。 到目前为止,美光已将其DRAM生产的很大一部分转移到了1Znm节点,该节点既提供高位密度(较低的单位成本)又提供高性能。美光表示,从利润率和产品组合角度来说,现在的感觉相当好。美光的1α制造工艺预计将比1Z(成熟的成品率)
2021-01-27 15:37:312825

AI训练不可或缺的存储,HBM3 DRAM再升级

电子发烧友网报道(文/黄晶晶) SK海力士近日发布全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。
2023-04-23 00:01:002617

DRAM,SRAM,SDRAM的关系与区别

。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此,才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部
2012-08-15 17:11:45

DRAM存储原理和特点

  DRAM是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-10 15:49:11

DRAM上电时存储单元的内容是全0吗

1.(判断题)DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1。(4分) A.正确B.错误 FLASH可保存 上电后不知道是啥2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间
2021-07-22 08:57:49

DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1,对吗?

判断题:DRAM上电时存储单元的内容是全0,而Flash上电时存储单元的内容是全1
2017-08-23 09:29:31

DRAM和SRAM对比分析哪个好?

RAM有哪些分类?特点是什么?DRAM和SRAM对比分析哪个好?
2022-01-20 07:16:10

DRAM芯片中的记忆单元分析

某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成,DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析:由题得,16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得
2022-03-02 06:18:45

DRAM,SRAM,FLASH和新型NVRAM:有何区别?

在本文中,我们将介绍一种新型的非易失性DRAM,以及它与当前内存技术的比较。DRAM是计算技术中必不可少的组件,但并非没有缺陷。在本文中,我们将研究一种新提出的存储器-非易失性DRAM-以及它与当前
2020-09-25 08:01:20

存储结构对比分析及选型建议

【作者】:果建民;【来源】:《广播电视信息》2010年03期【摘要】:在广电领域,由于存储规模、投资和需求的不同,各种存储结构均得到了广泛的应用,本文重点讨论常见的几种存储结构,并为选型提供参考意见
2010-04-23 11:47:34

存储器的相关资料推荐

所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器;所谓易失性存储器是指设备掉电,存储的信息自动清除,而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11

存储器的层次结构及其分类

目录【1】存储器的层次结构【2】存储器的分类【3】SRAM基本原理:结构:芯片参数与引脚解读:CPU与SRAM的连接方式【4】DRAM基本原理:结构芯片引脚解读:【5】存储器系统设计【6】存储器扩展
2021-07-29 06:21:48

存储管理的磁盘结构分为哪几部分

存储管理的磁盘结构分为哪几部分?磁盘调度算法有哪几种?分别有何优缺点?
2021-12-23 09:57:35

存储系统的层次结构

的L1 Cache存储管理段式存储管理页存储管理存储系统的层次结构技术指标层次结构局部性原理主存储器读写存储器只读存储存储器地址译码主存空间分配高速缓冲存储器工作原理地址映射替换算法写入策略80486的L1 CachePentium的L1 Cache存储管理段式存储管理页
2021-07-29 09:47:21

节点电压分析

节点电压分析是对先前网格分析的补充,因为它同样强大并且基于矩阵分析的相同概念。顾名思义,节点电压分析使用基尔霍夫第一定律的“节点”方程来查找电路周围的电势。因此,通过将所有这些节点电压相加,最终
2020-10-05 11:48:58

FPGA读写DRAM存储器的代码

各位大神好,我想用FPGA读写DRAM存储器,求大神指点哪位大佬有代码分析一份更是感激不尽,好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32

STM32F4的存储结构是由哪些部分组成的

STM32F4的存储结构是由哪些部分组成的?STM32 Flash的主要特性有哪些?
2021-09-27 08:32:06

[分享]直接总线DRAM的信号连接

  Direct Rambus DRAM的信号连接关系如图所示。与DDR-SDRAM最大的不同在于信号线是漏极开路输出以及时钟是以连续不断的方式往复的。  图 Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36

【内存知识】DRAM芯片工作原理

  一般来说DRAM芯片的工作原理,比SRAM要复杂。这主要是由于DRAM存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新,这就成为了DRAM芯片和SRAM芯片之间的最大区别。一
2010-07-15 11:40:15

为什么要对DRAM进行刷新

存储器是怎样进行分类的?分为哪几类?为什么要对DRAM进行刷新?如何进行刷新?
2021-09-28 08:50:24

什么是堆叠设计

1、什么是堆叠设计也称作系统设计,根据产品规划,产品定义的要求,为实现一定的功能,设计出合理可靠的具备可量产性的PCB及其周边元器件摆放的一种方案。2、堆叠工程师一般由结构工程师进行堆叠,有些公司
2021-11-12 08:17:17

元器件堆叠封装结构

DRAM),40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm,堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。图1 元器件内芯片的堆叠  堆叠元器件(Amkor PoP)典型结构如图2所示:  ·底部PSvfBGA
2018-09-07 15:28:20

单片机内部存储结构及工作原理

单片机内部存储结构分析存储器的工作原理半导体存储器的分类
2021-04-02 07:01:26

单片机内部结构分析

单片机内部结构分析单片机的基本概念存储器的工作原理
2021-02-19 06:27:20

导致DRAM比SRAM慢的原因有哪些

哈弗结构是什么意思?加剧CPU和主存之间速度差异的原因有哪些?导致DRAM比SRAM慢的原因有哪些?虚拟存储器的最大容量是由什么原因决定的?
2021-08-11 08:07:31

嵌入系统存储相关资料推荐

(SRAM、DRAM、DDRAM)4.主存储器(Flash、PROM、EPROM、EEPROM)5.外部存储器(磁盘、光盘、CF、SD卡)6.远程二级存储(分布...
2021-12-22 06:30:43

嵌入系统结构与协同性探讨

结束语  通过对嵌入系统结构与协同性探讨,分析了嵌入系统的特点和协同性。应用结构协同思路与流程,建立一个结构良好与嵌入核心硬件层密切相关的Bootloader 和BSP,对顺利植入裁剪良好的OS
2021-07-27 07:00:00

嵌入系统结构硬件层中间层系统软件层

嵌入系统(二)嵌入系统结构硬件层中间层系统软件层应用软件层常用开发工具GNU ToolsQTEclipse交叉开发环境交叉调试系统测试内存分析工具性能分析工具覆盖分析工具嵌入系统结构硬件层硬件
2021-12-22 08:03:19

嵌入系统中DRAM控制器的CPLD应用方案

处理器的 BIU(总线接口)单元产生存储器读请求。对微处理器的存储器范围编程后,BIU单元执行刷新周期时,被编程的存储器范围片选有效。存储器是嵌入计算机系统的重要组成部分之一。通常采用静态存储器,但是在
2011-02-24 09:33:15

嵌入系统硬件体系结构由哪几部分组成

第二章嵌入系统硬件体系结构本章要点:⑴嵌入硬件的相关基础知识。⑵嵌入硬件平台基本组成。⑶ARM系列微处理器简介。2.1相关基础知识2.1.1嵌入式微处理器1.嵌入式微处理器的组成嵌入系统
2021-11-09 06:33:39

开放网络化数控平台的基本结构是由哪些部分组成的

开放网络化数控的基本概念是什么? 开放网络化数控平台的基本结构是由哪些部分组成的?
2021-08-05 07:27:45

浅析DRAM和Nand flash

包括:DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器(Dynamic RAM),“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次,不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09

相变存储器(PCM) :新的存储器技术创建 新的存储器使用模式

存储器的一般用途是代码储存。系统需要一个相对较小进的存储,大约小2Gb. 这样 .代码可以从NOR闪存直接执行,这种存储器也常用于嵌入文件系统的存储器,这些类型的系统中 DRAM 常用便签存储器。在这
2018-05-17 09:45:35

芯片堆叠的主要形式

下图。    硅通孔TSV型堆叠  硅通孔TSV型堆叠一般是指将相同的芯片通过硅通孔TSV进行电气连接,这种技术对工艺要求较高,需要对芯片内部的电路和结构有充分的了解,因为毕竟要在芯片上打孔,一不小心就会损坏
2020-11-27 16:39:05

详细介绍关于SRAM随机存储器的特点及结构

器(DRAM)与静态随机存储器(SRAM)两大类。DRAM 以电容上存储电荷数的多少来代表所存储的数据,电路结构十分简单(采用单管单电容1T-1C的电路形式),因此集成度很高,但是因为电容上的电荷会泄漏,为了能
2022-11-17 16:58:07

频谱分析仪原理结构框图

频谱分析仪是常用的电子测量仪器之一,他的功能是分辨输入信号中各个频率成分并测量各个频率成分的频率和功率。下面看一下传统频谱分析仪的原理和现代频谱分析仪(或称为信号分析仪)的发展。图1是传统的扫频频谱分析仪的结构框图。图1传统扫频频谱分析仪的结构框图
2019-07-01 06:37:50

测长机各部分结构名称

过程,通过智能测力识别方式防误操作撞针,做到无损伤测量。 SJ51系列测长机各部分结构名称 SJ51系列测长机采用高精度光栅测量系统、超高精密研磨导轨
2022-10-28 17:07:13

DRAM原理 - 1.存储单元阵列#DRAM

DRAM
EE_Voky发布于 2022-06-28 15:17:53

DRAM原理 - 5.DIMM层次结构#DRAM原理

DRAM
EE_Voky发布于 2022-06-28 15:20:45

DRAM原理 - 6.猝发模式与内存交错#DRAM原理

DRAM
EE_Voky发布于 2022-06-28 15:21:11

网络节点的交换结构

网络节点的交换结构在图1所示的交换结构中,分析FDLs和TWC对交换性能的影响。图中,1~4分别代表4条光纤输入和输出,每条光纤上复用9条波长,其中一条用于发
2009-02-28 11:44:141055

DRAM的总体结构框图

DRAM的总体结构框图
2009-12-04 17:13:323310

基于当代DRAM结构存储器控制器设计

基于当代DRAM结构存储器控制器设计 1、引言 当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60%的速率增长,存储器芯片每年仅仅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714

DRAM模块,DRAM模块是什么意思

DRAM模块,DRAM模块是什么意思 DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM",翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,
2010-03-24 16:17:211587

MCP存储器,MCP存储结构原理

MCP存储器,MCP存储结构原理 当前给定的MCP的概念为:MCP是在一个塑料封装外壳内,垂直堆叠大小不同的各类存储器或非存储器芯片,
2010-03-24 16:31:282241

什么是存储转发型交换机/可堆叠交换机

什么是存储转发型交换机/可堆叠交换机 存储转发型交换机 目前交换机采用的交换方式主要有“存储
2010-04-07 16:43:421182

存储器的层次结构原理图解分析

存储器的层次结构原理图解分析   学习目录:     理解多级存储层次的思想及其作用;     掌
2010-04-13 16:16:1212759

集线器的堆叠

集线器的堆叠   部分集线器具有堆叠功能。集线器堆叠是通过厂家提供的一条专用连接电缆,从一台集线器的"UP"堆叠端口直接连接到另一台集线器的"DOWN"堆叠端口
2010-01-08 10:15:161443

赛灵思堆叠硅片互联技术

超越摩尔定律,赛灵思全球首发堆叠硅片互联技术,推出突破性的容量、带宽和功耗 ,引领行业发展。 堆叠硅片互联技术 每个工艺节点 FPGA 容量提升 2 倍的优势 Virtex-7 系列的核心部分
2011-03-28 17:06:470

Hypertable底层存储结构分析

通过分析Hypertable 的源代码,描述了CellStore 存储结构,介绍其读写流程,总结了该结构存在的缺陷,并提出了优化思路。优化步骤主要包括:将关键字数据进行合并,建立关键字到数据
2011-05-12 16:37:2827

DRAM和FLASH怎么选型#硬声创作季

DRAM存储技术
电子学习发布于 2022-11-20 21:15:03

多层芯片堆叠封装方案的优化方法

芯片堆叠封装是提高存储卡类产品存储容量的主流技术之一,采用不同的芯片堆叠方案,可能会产生不同的堆叠效果。针对三种芯片堆叠的初始设计方案进行了分析,指出了堆叠方案失
2012-01-09 16:14:1442

基于FPGA的可堆叠存储阵列设计与优化

基于FPGA的可堆叠存储阵列设计与优化
2017-01-07 21:28:580

DRAM 原理 2 :DRAM Memory Organization

DRAM Storage Cell 章节中,介绍了单个 Cell 的结构。在本章节中,将介绍 DRAM 中 Cells 的组织方式。
2017-03-17 16:12:144417

MCU与新的和不同的存储单元和存储结构

记忆技术不停滞不前。存储结构的变化速度更快和更有效的结构的创建和使用在连续几代人如DRAM SDRAM DDR DDR1、2、3、等。
2017-06-06 14:22:115

存储器芯片DRAM/NAND/RRAM技术详解

日前,存储器芯片主要供应商之一美光公司(Micron)在香港举行了 2014 夏季分析师大会,会上美光的高层管理人员就 DRAM、NAND 和新型存储器的市场趋势、技术发展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

FPGA存储器项使用DRAM的方法技术解析

FPGA中的存储DRAM 某些FPGA终端,包含板载的、可以动态随机访问的存储块(DRAM),这些存储块可以在FPGA VI中直接访问,速率非常高。 DRAM可以用来缓存大批量的数据,而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740

紫光国芯携手长江存储开展DRAM合作

紫光国芯26日在互动平台表示,公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计,目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力,公司会考虑与其合作。
2017-11-27 11:05:411848

基于再生码的分布式存储节点修复优化

的局部可修复码,显著降低了修复网络开销.然而,现有的基于编码的分布式容错存储方案大都假设节点处于星型逻辑网络结构中,忽略了实际的物理网络拓扑结构和带宽信息.为了实现拓扑感知的容错存储优化,相关研究在纠删码
2017-12-26 19:11:241

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储分析

存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DRAM,主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR),两者各占三成。非易失性:断电以后
2018-04-09 15:45:33109972

配备DRAM的三层堆叠式CMOS影像传感器介绍

Sony的Xperia XZ Premium和Xperia XZ两款旗舰级智能手机搭载了具有960fps画面更新率的Motion Eye相机模组。这款三层堆叠的CMOS影像传感器(CIS)被面对背地安装在DRAM上,使得DRAM与影像讯号处理器(ISP)面对面接在一起。
2018-04-28 17:54:3411745

DRAM存储器市场将保持量价齐增态势

存储器市场爆发,DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%,首次超越逻辑电路,成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074

长鑫存储DRAM项目正式首次投片,国产DRAM在大力的突破

据国际电子商情,日前,消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片,启动试产8Gb DDR4工程样品
2018-07-23 17:12:0311871

从下游需求结构看国内存储芯片市场局势

下游需求结构来看,手机、服务器、PC三大应用消耗了绝大部分存储器芯片。主流存储器市场以DRAM及NANDFlash为主,立基型存储器则以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND
2018-07-27 17:17:372728

如何减少比特币全节点相关的带宽

miniketch最初是作为一个项目的组成部分开发的,该项目研究使用set reconciliation在比特币上的节点之间共享交易数据,即“set reconciliation Relay”或SRR。SRR的目标是显著减少与运行比特币全节点相关的带宽。
2019-02-12 10:24:10730

紫光存储新调整 ,国微转让DRAM业务

随着福建晋华和合肥长鑫两大阵营投入研发 DRAM 技术,若两大厂研发成功且量产,西安紫光国芯的DRAM设计实力恐与这两家再度拉大,合并紫光国芯后的紫光存储要如何进行大整合,以发挥集团的存储战力,还待时间观察。
2019-02-25 10:22:499118

长鑫存储亮相闪存技术峰会 引领中国DRAM技术突破

作为中国DRAM产业的领导者,长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变,用自主研发的DRAM技术和专利,引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463

一文分析2020年存储器的行业现状

独立存储器市场和相关技术的摘要,包括NAND,DRAM,持久性存储器,NOR,(NV)SRAM,新兴的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025

DRAM存储器的工作原理详细介绍

DRAM模块是大多电子设备均存在的模块之一,大家对于DRAM也较为熟悉。但是,大家真的了解DRAM吗?DRAM的基本单元的结构是什么样的呢?DRAM的工作原理是什么呢?如果你对DRAM具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。
2020-10-31 11:51:2942485

DRAM与NAND的有什么样的区别

DRAM是目前常见的存储之一,但DRAM并非唯一存储器件,NAND也是存储设备。那么DRAM和NAND之间有什么区别呢?DRAM和NAND的工作原理分别是什么呢?如果你对DRAM和NAND具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。
2020-10-31 11:51:2547036

易失性存储DRAM是什么,它的主要原理是怎样的

DRAM是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-11 15:11:293686

DRAM、NAND和嵌入式存储器技术的观察与分析

最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会,Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM,NAND,新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。以下概述了讨论的相关主题。DRA
2020-12-24 13:13:46752

【IoT】产品设计:结构设计之什么是堆叠设计(一)

1、什么是堆叠设计也称作系统设计,根据产品规划,产品定义的要求,为实现一定的功能,设计出合理可靠的具备可量产性的PCB及其周边元器件摆放的一种方案。2、堆叠工程师一般由结构工程师进行堆叠,有些公司
2021-11-07 10:36:0018

单片机的存储结构相关知识

由于单篇文章字数限制,关于单片机的存储结构相关知识这里我只能分3篇文章来给大家分享,希望大家理解,大家可以关注我查看相关文章内容以便大家深入的学习。废话不多说,干货直接上。
2022-03-02 10:32:35933

华为公布两项芯片堆叠相关专利

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,华为密集公布了多项技术专利,其中引人注意的是华为再次公布了两项与芯片堆叠有关的专利。为何说再次,因为就在一个月前,华为同样公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”的专利。多项与芯片堆叠相关专利的公开,或许也揭露了华为未来在芯片技术上的一个发展方向。
2022-05-09 09:50:205437

美光出货全球最先进的1β技术节点DRAM

有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用全球最先进技术节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:27494

美光正式出货全球最先进的 1β技术节点DRAM

的 1β DRAM 产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。美光率先在低功耗 LPDDR5X 移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒 8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升,将为市场带来巨大收益。除了移动应用,基于 1β 节点
2022-11-02 11:50:51579

美光出货全球最先进的1β技术节点DRAM

的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术,其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能
2022-11-02 17:27:48724

【行业资讯】美光推出先进的1β技术节点DRAM

内存与存储解决方案领先供应商美光科技(Micron Technology Inc.)宣布,其采用全球最先进技术节点的1βDRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证,并做好了量产准备。
2023-02-01 16:13:051914

动态随机存储器集成工艺(DRAM)详解

槽(Deep Tench)式存储单元和堆叠(Slack)式电容存储单元。 70nm 技术节点后,堆叠式电容存储单元逐渐成为业界主流。为了使系统向更高速、高密度、低功耗不断优化,DRAM存储单元也在不断微缩(如14nm 工艺节点)。
2023-02-08 10:14:575004

AMD要在CPU上堆叠DRAM内存,新一代捆绑销售诞生?

要说玩堆叠存储,AMD确实是走得最靠前的一位,例如AMD如今在消费级和数据中心级别CPU上逐渐使用的3D V-Cache技术,就是直接将SRAM缓存堆叠至CPU上。将在今年正式落地的第四代EPYC
2023-02-27 09:36:32938

全彩堆叠结构Micro LED,靠什么“打天下”?

硅基全彩堆叠结构正在成为Micro LED的一条新技术路线。
2023-07-14 14:09:31429

dram存储器断电后信息会丢失吗 dram的存取速度比sram快吗

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存储器是一种易失性存储器,意味着当断电时,存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据,电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电,电容会迅速失去电荷,导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032207

华为公布“芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备”专利

芯片技术领域的应用概要,用于简化芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备、芯片堆栈结构的制造技术。该芯片的堆叠结构至少包括两个堆叠的芯片,每一个芯片包括电线层,电线层设有电具组。
2023-08-09 10:13:421369

DRAM内存分为哪几种 dram存储器的存储原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021030

堆叠DRAM单元STI和阱区形成工艺介绍

在下面的图中较为详细的显示了堆叠DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图,虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32:371168

动态随机存取存储器(DRAM)的相关知识

本文将介绍芯片设计中动态随机存取存储器(DRAM)的相关知识,包括其工作原理、分类以及在现代电子设备中的应用。
2023-10-23 10:07:34819

交换机为什么要堆叠?有哪些设备可以堆叠?如何建立堆叠

和可扩展性。为了详尽、详实、细致地解释,我将在下面文章中分为以下几个部分进行阐述:交换机堆叠的背景和概念、堆叠的优势、可以堆叠的设备、堆叠的建立和配置。 1. 交换机堆叠的背景和概念: 交换机堆叠技术最初出现于高端
2023-11-09 09:24:351140

三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00250

已全部加载完成