鉴于KAIST的HPC根源,将DirectCXL原型放在一起的研究人员专注于使用远程直接内存访问(RDMA)协议将CXL内存池与跨系统直接内存访问进行比较。
2022-09-23 10:50:261101 嗨。在我的项目中,我使用Virtex 7和4 GTH接收40G流。我使用收发器向导为10GBASE-R生成GTH核心并从中复制GTH设置。这是正确的方式还是我需要使用GTH的特殊设置(RXCDR_CFG等...)?
2020-07-31 10:27:14
flash的读取时按页进行读取,无法按位读取,所以会不会是因为写入的数据是正确的,但只是我无法看到而已?3、例程中对nand flash进行测试前都会将nand flash中的数据先传递到DDR,我发现
2019-01-11 11:19:55
读取NAND FLASH时,假如#defineNFDATA __REG(0x4E000010)//NAND flash data 这行不更改成#defineNFDATA __REG_BYTE(0x4E000010)//NAND flash data为什么读出来的数据是反的,有同学知道吗,谢谢。。
2019-03-27 06:55:23
等优点适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。本篇文章存储芯片供应商宇芯电子介绍关于NAND
2020-11-05 09:18:33
。4.串行访问(Serial access)读取一个数据的时间是25ns,而一些旧的nand flash是30ns,甚至是50ns。5.输入输出端口是地址和数据以及命令一起multiplex复用的。6.
2018-06-12 10:13:36
。【Nand flash的一些典型(typical)特性】1.页擦除时间是200us,有些慢的有800us。2.块擦除时间是1.5ms.3.页数据读取到数据寄存器的时间一般是20us。4.串行访问
2018-07-18 15:48:43
probe过程中:clk_enable //打开nand flash控制器的clock时钟,request_mem_region //去申请驱动所需要的一些内存等相关资源
2018-07-17 15:00:00
s3c2410A nand 控制器控制的一块K9F1208U0B 移植u-boot后,可以读取nand上的数据,但都是坏块,但写不进去!!!问一下该如何处理???还想问一下,在没有内核和文件系统时,如何执行flash_erase等软件???
2019-05-17 07:45:16
2.2.4 内存访问的软件顺序程序流程中指令的顺序并不能保证相对应的内存处理顺序,原因如下处理器可以重新排序一些内存获取用来提高效率,当然,这种改变不能影响指令顺序的行为处理有多个总线接口在内存
2021-08-24 07:46:25
内存交错功能可并行阅读大内存芯片,减小内存访问时间。内存交错功能最多可并行访问单CPU内存板上的 32 个内存芯片。
2019-09-18 09:01:19
操作。但在性能上有以下差别: 1)读取数据时,Nand Flash 首先需要进行多次地址寻址,然后才能访问数据;而 Nor Flash是直接进行数据读取访问,因此NOR的读速度比NAND稍快一些
2023-02-17 14:06:29
bootloader用的固化的代码是怎么对NAND FLASH进行初始化呢,外接的NAND FLASH可能是各种各样,ROM bootloader在不知道外部是什么样的NAND FLASH的时候,就能从中读取UBL,然后放到指定的RAM中运行UBL吗?
2018-06-21 04:07:10
```
h616_sdio_set_address(addr);
// 发送地址
61. ```
h616_sdio_send_address();
}
// 读取NAND芯片数据
void nand
2023-11-15 18:07:57
C语言中的结构体指针在访问的时候怎么读取成员变量的数据
2023-10-10 07:07:58
指导请问DM3730的McBSP接口能否接无线模块的PCM接口?请问DM3730 DSP 访问GPMC可以写但一读就死机是什么问题?请教关于DM3730从NAND启动的型号问题求高手帮忙解决一个DM3730的EDMA问题
2018-08-29 17:39:07
中央处理器:imx6ul我正在尝试从nand flash中读取数据,发现有些数据总是固定为0xFn或0xnF,如下所示:数据的错误规则是每两次读取。第二次读取数据中2018字节的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15
。然而,我很难找到描述 LPC55S69 的两个内核如何访问芯片上的静态 RAM 和闪存资源的应用说明或技术规范。NXP 是否提供此类应用说明?我在哪里可以找到这个?我用各种搜索短语搜索了论坛,例如“双关心内存
2023-04-12 08:54:14
我正在使用 LPCXpresso55S16,我想从闪存中动态分配内存,向其中写入数据,从中读取数据,并在需要时释放它。是否有教程或任何人都可以帮助我吗?
2023-06-09 06:57:01
实现数据总线,因此一个数据周期需要两个总线周期。16位地址可访问64K外部地址空间。 外部内存地址与内部内存地址是平行的,因此都有0x0001,但是访问外部存储器通过MOVX指令实现。-----------------AVR:程序存储空间与SRAM数据存储空间独立编址。...
2021-11-23 09:10:33
(NOR Flash与NAND Flash连接线):NOR Flash与主控芯片的连接线分为数据线和地址线,所以可以随时访问任意地址。而NAND Flash与主控芯片的连接线只有一种,所以此线是复用...
2021-07-22 09:26:53
。OM[1:0]=11时,处理器从Test Mode启动。当从NAND启动时 cpu会自动从NAND flash中读取前4KB的数据放置在片内4KB大小的RAM里(s3c2440是soc),同时把这段片内
2018-03-12 10:19:26
同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据
2013-04-02 23:02:03
整个数据块。 2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开,所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据
2014-04-23 18:24:52
PC端访问服务器并读取服务器端的数据 怎么写啊? 需要访问数据库吗?听说还要服务器那边的用户名和密码才能访问数据库不需要两台pc机的通信的程序 求大神。。。。。
2016-07-27 09:00:06
使用寿命。该芯片几乎达到了协议的最高理论速度(25MB/s),连续读取最高速度可以到达20.6MB/s,连续写入最高速度可以达到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件传输时无论是大文件还是
2023-08-11 10:48:34
Flash memory是非易失性存储的,可用于FPGA或者车载芯片上的存储数据的加载。Flash Memory根据硬件上存储原理的不同,Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND
2022-07-01 10:28:37
发送端:ov7670拍照后存图于SD卡,nrf24L01采用SPI接口通信,接收端:mini板接收,显示并存储图片问题:SPI如何访问sd卡读取图片数据,并发送呢?求程序,一整套的程序就更好了。希望大家尽力帮帮忙,给点意见,不胜感激!
2020-06-10 09:25:30
发送端:ov7670拍照后存图于SD卡,nrf24L01采用SPI接口通信,接收端:mini板接收,显示并存储图片问题:SPI如何访问sd卡读取图片数据,并发送呢?求程序,一整套的程序就更好了。希望大家尽力帮帮忙,给点意见,不胜感激!
2020-06-15 04:35:15
我正在使用 ST25RU3993-EVAL 板读取 RFM3200-AFR 温度传感器的温度。我发现很难从温度传感器标签内存中读取温度代码。任何人都可以帮助我如何使用 ST 提供的 SDK 源代码访问特定的内存位置。
2022-12-26 10:30:51
你好:
咨询一个问题:我用STM32H743IIT6芯片,STM32CubeIDE,使用FMC驱动NAND FLASH,NAND FLASH ID读取正常。但是有几个问题:
擦除完block后
2024-03-08 06:54:22
如题,本人想玩下STM32对NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的访问,来熟悉这些器件的应用,不知这里有哪位大侠用STM32玩过这些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
我们正在进行一个使用英飞凌 TC377 芯片组的项目。 我们希望就如何访问 EMEM 内存征求意见。 我们正试图复制数据,然后从 EMEM 内存范围内的位置读取数据,但无法实现。
此外,我们还在尝试
2024-03-04 07:10:47
访问在读时自动添加05h和E0h命令,在写时自动添加85h命令。读取时,controller如何知道要从nand flash设备读取多少字节?有一个寄存器(如果存在,我找不到它),或者每次访问 AXI 映射内存都会生成一条对 nandflash 设备的读取指令?可能是突发长度来处理这个?
2023-04-04 06:38:32
starterware boot 读取 nand page 与 sy***ios 中 读取nand page 时间差异很大你好:遇到的问题为:starterware boot 读取 nand
2019-08-20 07:26:52
,nand flash的裸机程序可包含如下内容:1、nandflash 初始化2、复位3、等待就绪4、发片选(取消片选)5、发命令6、读取nand 状态7、发地址8、读(写)一个字节的数据9、读芯片
2015-09-14 21:19:54
官方网站:深圳市雷龙发展有限公司
目前雷龙发展代理的 SD NAND 已可在立创商城搜索到,其详情页也附有手册。
芯片简介
芯片外观及封装
实拍图:
根据官方文档介绍,此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-8-31 10:50 编辑
在编写一个读取wav文件的程序,发现一次读取40M以上的文件,消耗内存1G左右,太吓人了,请高手指点啊http
2015-08-31 09:40:29
我在uboot下裸机,从tftp下载到内存地址31000000,点灯运行成功,可是我将这段程序先放到nand里,在通过nand裸机程序拷贝到内存31000000,在执行,uboot重启啊。我md内存了,二者的机器码完全一样,不知道什么原因啊
2019-07-15 05:01:51
内存访问边界限制,我们可以通过一次内存访问读取地址3和4。但是,边界限制迫使处理器两次访问内存。那么,如果它使数据操作更加困难,为什么还要将内存访问限制在某些边界呢?存在内存访问边界限制是因为对地
2020-09-27 15:45:46
前言
大家好,我们一般在STM32项目开发中或者在其他嵌入式开发中,经常会用到存储芯片存储数据。今天我和大家来介绍一款存储芯片,我这里采用(雷龙) CS创世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
0xFFFF 开始顺序读取并继续进一步读取来确认它。但是如果我使用地址作为 0x51 并从位置 0x010000 开始读取(16 位中的内存地址将为 0x0000),那么我将无法获取数据。
2023-01-29 08:08:55
实验室的另一个读卡器可以访问内存,所以它应该适用于这个读卡器。该标签基于 EM4325 芯片,我正在尝试访问位于 0xEC 及以后的系统内存,数据表说这些页面没有读取保护。
2022-12-06 06:35:51
段发送数据,第一段数据由核0处理,第二段数据由核1处理,第三段……第八段数据由核7处理。想问一下,这种机制相比于单核从共享内存读取数据会慢多少,因为多核访问共享内存肯定存在冲突问题,谢谢!另外,每个核处理完各自的数据会不停的轮询读写共享内存的标志位,以此判断数据新的数据是否到达!
2018-06-25 01:31:27
,降低了成本。
flash 分为 nor flash 和 nand flash:
nor flash 数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址功能,可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦
2023-05-19 15:59:37
,优化了控制器,这些产品还提供更快的读/写速度。读取速度提高约8%,而写入速度提高将近20%。 市场对于能够支持智能手机、平板电脑等应用的NAND闪存的需求继续增长。带控制器的嵌入式内存尤其供不应求,因为
2018-09-13 14:36:33
实现LabVIEW访问Oracle数据库,从中读取一些数据进行判断并显示,必有重谢,哪位高手可以帮帮我呢,拜托了!
2017-03-20 15:03:12
的----将存储在SD NAND内的两张图片通过FPGA读取,并通过VGA的方式在显示器上轮回显示。1、目标使用 SD NAND数据读写控制器读取事先存储在 SD NAND的图片数据,将读取的图片数据
2023-01-06 17:06:04
Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。 这类产品容量小,读取速度慢,且
2022-12-16 17:18:37
本文章主要讲解了nand_flash初始化的方法,如何读取nand_flash上的数据
2022-02-17 06:54:13
样本代码显示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中访问文件。 文件系统为 FAT32。 用户可以将数据存储在 SPI NAND Flash 中作为数据记录器
2023-08-29 07:21:07
发送和接收数据的问题:我把我的数据发送到FX2LP,当我想再读取它时,数据被移动。如何将数据写入FIFO的第一个地址,并从第一个地址读取数据?接收数据JPG158.2 K 以上来自于百度翻译 以下
2019-06-18 09:12:45
指令的基本原则如下:所有在内存屏障指令之前的数据访问必须在内存屏障指令之前完成;所有在内存屏障指令后面的数据访问必须等待内存屏障指令执行完;多条内存屏障指令是按顺序执行的。ARM有三种内存屏障指令
2022-05-09 09:32:35
数据怎么传输?各引脚怎么配合?怎么确定访问地址、设置内存控制器?
2021-11-05 08:27:58
NAND闪存,但没有任何运气。(目标是实现NAND启动),这里所用的程序是尝试从U-BooD读取NAND的设备ID,如果成功的话,NAND和处理器之间的通信将一致。当我尝试打印MfFyID和DavyID
2019-10-29 09:30:45
字节,以便读取从我发送的地址的数据。SPI端口确实支持在字节写入期间读取数据字节到读取缓冲器中,但是无论如何我无法找到访问写入期间读取的数据。接收缓冲器不能直接访问,只能通过SPI5BUF(我
2019-06-14 12:09:07
NAND FLASH的数据读取只能按页读取吗?想按字节读取可以实现吗?
2019-09-26 08:31:39
这是同事用VB.net写通讯代码,通过VB去访问仪表库读取数据。现在想改成LABVIEW去读取数据,请问应该怎么做啊,求帮助,感谢各位大神。
2018-05-21 12:19:42
),专门用来读取nand flash 中的数据,写flash 不要求高速。这样的话,就等于是通过 单片机和 “nand 控制器” 同时控制nand flash芯片了。单片机负责写入,花费15个I/O口
2018-06-13 14:14:34
我按页读取NAND FLASH,可以读取oob数据,但是随机读取,怎么也定位不到oob区?请问怎么随机读取oob区数据?
2019-07-01 04:19:17
嗨,大家好!我想问一下,我是否可以将天线连接到我的spartan-3e板并从中发送信号?以上来自于谷歌翻译以下为原文Hi everyone! i want to ask if i can
2019-06-06 09:09:20
大家好,最近在处理数据的时候遇到这样一个问题,使用读取电子表格来读一个300M左右的TXT数据文件,运行时间很长并且报错内存不足,有什么办法能解决这个问题吗?谢谢各位了
2012-01-18 22:55:31
远程访问服务器的标准内存容量 标准内存容量是指远程访问服务器随机所带的内存容量大小。不同的产品随机
2010-01-08 14:25:52691 远程访问服务器的最大内存容量 最大内存容量是指远程访问服务器主板能够最大能够支持内存的容量。
2010-01-08 14:26:26738 DMA_读取GPIO电平到内存,单片机程序
2016-01-12 18:19:5510 5.4 多寄存器Load/Store内存访问指令 多寄存器Load/Store内存访问指令也叫批量加载/存储指令,它可以实现在一组寄存器和一块连续的内存单元之间传送数据。LDM用于加载多个寄存器
2017-10-18 15:56:191 内存SRAM-NOR-NAND资料汇总(附程序及原理图)
2017-11-29 17:49:5012 据外媒报道,英特尔和镁光宣布,它们不再合作开发下一代3D NAND内存。
2018-01-11 09:16:024070 此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙,与前一代相比改进了30%,读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能,电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978 内存卡一般采用半导体存储单元,常说的内存是RAM,表示既可以从中读取数据,也可以写入数据。当机器电源关内存闭时,存于其中的数据就会丢失。它是集成块集中在一起的一小块 电路板,它插在计算机中的内存插槽
2018-11-24 10:47:1632729 的存储卡,如SD、索尼的MemoryStick、MMC等,都包含了一个非常简单的经典结构,其中包含了独立的部分一个控制器、一个PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND内存芯片。在这种情况下,恢复的整个过程非常简单我们只是解焊了内存芯片,用PC-3000 FLASH直接读
2020-09-09 09:37:376149 在开始处理一体FLASH数据恢复之前,我们应该警告你,一体FLASH器件焊接的整个过程很复杂,需要良好的焊接技能和特殊设备。 如果您之前从未尝试过焊接一体FLASH器件,那么最好在一些数据不重要的配件在设备上尝试您的技能。 例如,您可以购买其中的几个,以测试您的准备和焊接技能。
2021-01-15 10:25:173299 现在很多现代的NAND闪存设备都采用了一种新型的架构,将接口、控制器和存储芯片集成到一个普通的陶瓷层中。我们称之为一体结构封装。
2021-06-15 09:56:252410 1、NOR flashNOR flash数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址功能,可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。2、NAND flashNAND flash数据线和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要讲解了nand_flash初始化的方法,如何读取nand_flash上的数据
2021-12-22 19:04:4615 你知道内存是怎么读取数据的吗?知道数据是怎么一个一个字节发送的吗?
2022-03-30 13:52:234486 当访问多维数组时,线程通常需要索引数组的更高维,因此快速访问是不可避免的。我们可以使用一种名为 共享内存 的 CUDA 内存来处理这些情况。共享内存是一个线程块中所有线程共享的片上内存。共享内存
2022-04-11 10:07:41937 在内核中访问IO内存(通常是芯片内部的各个I2C,SPI, USB等控制器的寄存器或者外部内存总线上的设备)之前,需首先使用ioremap()函数将设备所处的物理地址映射到虚拟地址上。
2022-08-04 18:10:521081 闪存存储设备:NAND芯片作为主要的闪存存储媒介,被广泛用于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器、内存卡(如SD卡、MicroSD卡)和闪存盘等。
2023-06-28 16:25:495232 TWU table walk unit:包含从内存中读取translation tables的逻辑 一个完整的页表翻译和查找的过程叫作页表查询(Translation Table Walk
2023-11-26 16:04:34249 电子发烧友网站提供《如何逐步设置并从ADC读取一个结果.pdf》资料免费下载
2023-11-27 11:44:570 这种存储技术不仅能容纳大量语音和数据文件,而且具有高速读取的特点,保障了实时通信的质量。SD NAND还注重安全性,通过数据加密和访问控制功能,确保对讲机中的敏感信息受到保护。其耐用性使其能够抵御对讲机在使用中可能遇到的振动和冲击。
2023-12-28 00:00:00331 ug内部错误,内存访问违例怎么解决 内部错误和内存访问违例是编程中常见的问题,它们可能会导致应用程序崩溃、数据丢失或系统不稳定。在本文中,我将详细解释内部错误和内存访问违例的原因,如何解决这些
2023-12-27 16:27:132140 电子发烧友网报道(文/黄晶晶)根据 IC Insights 统计,2020年全球存储芯片市场规模达 1,267 亿美元,其中DRAM和NAND Flash市场规模较大,占比分别为53%和44
2022-04-17 15:21:464854
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