共五代产品。对于HBM3E，SK海力士预计2023年底前供应HBM3E样品，2024年开始量产。8层堆叠，容量达24GB，带宽为1.15TB/s。 近日，三星电子也更新了HBM3E的进展。据韩媒报道
2023-10-25 18:25:24
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据中心的硬件版图上站稳脚跟，当然，英伟达的野心远不止于此。英伟达最主要的布局就在于2019年3月，花费69亿美元收购了以色列芯片公司Mellanox，而这家公司所擅长的正是为服务器、存储和超融合基础设施
2022-03-29 14:42:53
英伟达不断推出GPU卡，并且实现多卡互联NVLink，实际整个系统会累积到一个较大的公差，而目前市面上已有的连接器只能吸收较少的公差，这个是怎么做到匹配的呢？
2022-03-05 16:17:06
加密货币专用产品上的预期营收降至1亿美元，实际营收只有1800万美元。预计未来这一业务对公司的贡献可以忽略不计。”英伟达CEO黄仁勋也做出类似表态，他表示，随着数字化加密货币的价格一路走低，英伟达专用
2018-08-24 10:11:50
英伟达TX2数据手册，喜欢请关注
2018-01-07 22:08:07
在 8 月 14 日的 SIGGRAPH 2018 大会上，英伟达 CEO 黄仁勋正式发布了新一代 GPU 架构 Turing（图灵），以及一系列基于图灵架构的 GPU，包括全球首批支持即时光线追踪
2018-08-15 10:59:45
加强联发科芯片在游戏和AI方面的功能与性能，计划最早于2024年将含有英伟达图形技术的GPU集成到联发科的芯片上。
目前联发科已成为Chromebook系统芯片的领先供应商之一，不少廉价
2023-05-28 08:51:03
【NVIDIA社招】英伟达上海热招ASIC验证工程师一．公司简介 NVIDIA (英伟达™)公司(纳斯达克代码：NVDA)是全球视觉计算技术的行业领袖及GPU(图形处理器)的发明者。作为高性能处理器
2016-11-11 17:38:35
【NVIDIA社招】英伟达上海热招ASIC验证工程师一．公司简介 NVIDIA (英伟达™)公司(纳斯达克代码：NVDA)是全球视觉计算技术的行业领袖及GPU(图形处理器)的发明者。作为高性能处理器
2016-09-26 10:14:45
LM***-Q1的datasheet，在Vout=3.3V/2A的情况下，Vin最大只做了36Vdc，难道不能48vdc输入么，而且输出电流在0-1A的变化中，Vout变化幅度有点大啊，从3.34到3.28了，这个稳压效果不是很好啊，见下图：
2019-07-24 12:56:53
为什么我的Labview 2023 Q1用Crack破解后依然需要激活？
运行时如图。
2023-11-12 11:20:27
光照时，Q1的B极电位很低，经测量为0.37 V，Q1的E极为0 V，Q1的C极为3 V, 根据三极管三个极电位比较，集电极反偏，发射极正偏，Q1不是应该处于放大状态吗？当RP有光照时，经测量Q的E极为
2023-03-22 13:42:20
关于74HC164应用，这种接法，开关的频率为多少？同1时刻，Q1和Q分别4输出高电平还是低电平?
2019-09-06 10:35:19
[/td][td=140]芯片级系统级上升时间2-10ns0.7-1ns峰值电流/KV0.66A3.75A2.测试设备不同MK2-芯片级静电枪-系统级3.测试方法不同芯片级HBM测试需要对IC按照
2020-10-16 16:36:22
[tr=transparent]R1右边连接蓄电池，这个电路简单的给蓄电池充电。有个不明白的现象，请教大家：当蓄电池没接上时候，IRF_CON标号低电平时候，Q1截至，Q1的D极电压为0，当蓄电池（26V）接入时候，为什么测Q1的D极有9V电压？[/tr]
2018-04-17 22:00:02
恩智浦S32V/英伟达DRIVE PX2/TI的TDA4/寒武纪1M/高通SA8155对比分析哪个好？
2021-09-30 07:03:20
讲述两个内容，芯片验证以及验证计划。首先来看看芯片验证在芯片设计当中的地位。芯片验证是在一个芯片设计的过程当中，验证各个转化阶段是否正确的执行的过程，一个芯片的设计涉及到多个阶段的转化。首先，分析市场需求
2021-01-21 15:59:03
机，miniPC整机，工控一体机，零售机和快递柜等需要边缘计算的场景。 #3英伟达NVIDIA Jetson Xavier NX 21T算力机器人无人值守设备智能边缘盒子 方案介绍 这是一款
2022-09-29 14:31:40
联发科计划周一下午举行 2023“旗舰科技 智领未来”记者会，由联发科 CEO 蔡力行与重量级嘉宾一同出席，这位嘉宾应该是近来引起全球关注、并成为 AI 创新推动者的英伟达 CEO 黄仁勋。早些时候
2023-05-28 08:47:33
这是网上的一个电路图，解释是说如果C8漏电或输出短路，则在起机瞬间，RT1的压降增大，Q1导通从而使Q2没有栅极电压不导通，RT1进而烧毁，保护后极电路。但我看不懂当RT1压降增大，是怎么使Q1导通的？Q1的b极电压是如何大于e极电压的？
2018-10-25 11:57:56
请分析上面电路图原理？R3,J6,Q1起什么作用？可以省略吗？
2021-05-22 13:52:02
请问能否解释一下TPS***参考设计中的Q1的用处？
2019-06-28 07:42:03
如果不用Q1行不行啊，我是在网上看的原理图，不明白这个Q1的作用，请帮解释下，谢谢
2019-05-05 23:02:36
1，Q1 mos管GS电容放电回路是怎么样的？2，初始上电，驱动电路路径是怎么样的？经R5 1MC6 103 ?3, mos管GS电容 充电路径是怎么样的
2018-10-23 11:05:56
过流保护电路变成恒流电路了，为什么Q1发烫且一会就烧坏了，管子的耐压和电流都够，为什么会被烧？
2022-09-20 10:15:19
在这个电路图中，MCU_CTL是MCU发出的数字控制信号，有没有可能在某种条件下，上管Q1和下管Q3同时导通？
2024-03-29 16:31:42
10月份开始出样给客户，而NVIDIA使用HBM 2显存的Tesla P100此前说是2017年Q1季度才会出货，AMD的HBM 2显存要等到Vega显卡来临，也是在2017年上半年，运气好点是Q1
2016-12-07 15:54:22
概述：PIC***-Q1是德州仪器公司出品的一款降压－升压开关模式调节器。其规定的工作温度范围为-40℃～+125℃。TPIC***-Q1同时又是一款符合汽车电子标准的DC/DC电源管理IC。
2021-04-07 06:59:35
导读：关于VR，有人唱衰，有人认为前景无限。在本周的VRX大会上，英伟达总经理格林斯特恩则认为VR在明年将实现爆发。
据外媒报道，要说VR市场今年的大赢家，绝对非索尼莫属。凭借399
2016-12-13 14:32:48
SK海力士正忙于处理来自客户的大量HBM3E样品请求。英伟达首先要求提供样品，这次的出货量几乎是千钧一发。这些索取样品的客户公司可能会在今年年底收到样品。全球领先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供应HBM3，并已索取HBM3E样品。各大科技公司都在热切地等待 SK 海力士的样品。
2023-07-12 14:34:39712 
热点新闻 1、三星计划为英伟达AI GPU提供HBM3和2.5D封装服务 据报道，英伟达正在努力实现数据中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封装的采购多元化。消息人士称，这家美国芯片巨头正在
2023-07-20 17:00:02419 
在此之前，英伟达将大部分gpu的高级成套产品委托给tsmc。半导体方面，将sk海力士的hbm3安装在自主制造的单一gpu芯片上，生产英伟达h100。但是最近随着生成型人工智能的普及，h100的需求剧增，在处理nvidia的所有订单上遇到了困难。
2023-08-02 11:54:18736 在随后大约1小时20分钟的演讲中，黄仁勋宣布全球首发HBM3e内存——推出下一代GH200 Grace Hopper超级芯片。黄仁勋将它称作“加速计算和生成式AI时代的处理器”。
2023-08-09 14:48:00517 
GH200 Grace芯片搭载全球首款HBM3e处理器，可通过英伟达的NVLink技术连接其他GH200芯片，计划明年二季度投产。
2023-08-09 17:19:41446 
2023年8月8日，NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋在计算机图形年会SIGGRAPH上发布了HBM3e内存新一代GH200 Grace Hopper超级芯片。这款芯片被黄仁勋称为“加速计算和生成式AI时代的处理器”，旨在用于任何大型语言模型，以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:17793 sk海力士表示：“以唯一批量生产hbm3的经验为基础，成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础，从明年上半年开始批量生产hbm3e，巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:49585 该公司表示，HBM3E（HBM3的扩展版本）的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E，巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:41552 HBM3E内存（也可以说是显存）主要面向AI应用，是HBM3规范的扩展，它有着当前最好的性能，而且在容量、散热及用户友好性上全面针对AI优化。
2023-08-22 16:28:07575 有分析师爆料称三星将成为英伟达的HBM3存储芯片关键供应商，三星或将从第四季度开始向英伟达供应HBM3。
2023-09-01 09:46:5140572 ，skjmnft同时已经向英伟达等用户ERP交付样品。 该公司的HBM3E内存采用 eight-tier 布局，每个堆栈为24 GB，采用1β 技术生产，具备出色的性能。Multiable万达宝ERP具备数字化管理各个业务板块,提升
2023-10-10 10:25:46428 基于英伟达的“Hopper”架构的H200也是该公司第一款使用HBM3e内存的芯片，这种内存速度更快，容量更大，因此更适合大语言模型。英伟达称：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的内存，与A100相比，容量几乎是其两倍，带宽增加了2.4倍。
2023-11-15 11:17:31379 NVIDIA H200的一大特点就是首发新一代HBM3e高带宽内存(疑似来自SK海力士)，单颗容量就多达141GB(原始容量144GB但为提高良率屏蔽了一点点)，同时带宽多达4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13405 
由于hbm芯片的验证过程复杂，预计需要2个季度左右的时间，因此业界预测，最快将于2023年末得到部分企业对hbm3e的验证结果。但是，验证工作可能会在2024年第一季度完成。机构表示，各原工厂的hbm3e验证结果将最终决定英伟达hbm购买分配权重值，还需要进一步观察。
2023-11-27 15:03:57457 
由于hbm芯片的验证过程复杂，预计需要2个季度左右的时间，因此业界预测，最快将于2023年末得到部分企业对hbm3e的验证结果。但是，验证工作可能会在2024年第一季度完成。机构表示，各原工厂的hbm3e验证结果将最终决定英伟达hbm购买分配权重值，还需要进一步观察。
2023-11-29 14:13:30376 
数据量、复杂度在增加，HBM内存被彻底带火。这种高带宽高速的内存十分适合于AI训练场景。最近，内存芯片厂商已经不约而同地切入HBM3E竞争当中。内存控制器IP厂商Rambus也率先发布HBM3内存
2023-12-13 15:33:48941 
美光已明确表示，预期明年将进占市场份额约5%，排名第三。为了缩小与各领军者间的距离，他们决定在受到瞩目的HBM3E上加大研发力度，且计划于2023年最后阶段为英伟达提供测试。
2023-12-26 14:39:31165 英伟达（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存，为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
2023-12-29 16:32:50613 据最新传闻，英伟达正在筹划发布两款搭载HBM3E内存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超级芯片，这也进一步说明了对于HBM内存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276 美国IT企业投资规模的加大使得HBM市场迅速成长。预计至2024年，HBM供应紧缺问题将愈发严重。对此，三星计划于2023年末和2024年初供应第四代HBM产品HBM3，并计划启动第五代HBM产品HBM3E的量产。在此
2024-01-03 13:41:02412 值得一提的是，半导体产品的研发周期通常共九个阶段，而 SK 海力士已经成功走过了各个环节，正在进行最后的产量提升阶段。这代表着现有的HBM3E产能均可满足从此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45222 在严格的9个开发阶段后，当前流程全部完成，步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志，这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可，同步启动大规模生产及交货。
2024-02-21 10:17:05282 在全球存储半导体市场的激烈竞争中，SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发工作，并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品，并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:08645 近日，全球存储解决方案领导者SK海力士宣布，他们已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的开发，并且已经通过了英伟
2024-02-25 11:22:21403 目前，只有英伟达的Hopper GH200芯片配备了HBM3e内存。与现有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，单个平台可以达到10TB/s的带宽，单颗芯片能够实现5TB/s的传输速率，内存容量高达141GB。
2024-02-25 11:22:42135 美光执行副总裁兼首席商务官萨达纳（Sumit Sadana）称，公司已实现HBM3E的市场首发和卓越性能，同时能耗具有显著优势，使公司在AI加速领域稳占先机。他还强调，美光拥有业界顶尖的HBM3E及HBM4路线图，DRAM与NAND技术相结合
2024-02-27 09:38:42127 美光指出，专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产，有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示，“2024年1~12月，美光HBM预估全数售罄”。
2024-02-27 10:25:15154 “随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大，我们的新产品HBM3E 12H应运而生，”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道，“这个存储方案是我们在人人工智能时代所推崇的HBM核心技术、以及创新堆叠技术的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25232 2024年2月27日 - 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00269 近日，三星电子宣布，已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存（HBM3E）产品——HBM3E 12H，再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解，HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的HBM产品，其性能也实现了质的飞跃。
2024-02-27 14:28:21390 据手机资讯网站IT之家了解，MI300加速器配备了HBM3内存模块，并面向HBM3E进行了重新设计。另外，该公司在供应链交付合作方面颇为深入，不仅与主要的存储器供应商建立了稳固的联系，同时也与如台积电等重要的基板供应商以及OSAT社区保持着紧密的合作关系。
2024-02-27 15:45:05188 美国记忆体制造巨头美光（Micron）于26日宣布，其最新的高频宽记忆体HBM3E已正式量产。此项技术将被用于今年第2季度的英伟达（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，标志着
2024-02-28 14:17:10173 AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发，且伴随服务器平均HBM容量增加，经测算，预期25年市场规模约150亿美元，增速超过50%。
2024-03-01 11:02:53272 
其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一
2024-03-04 14:51:51569 
内存解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业
2024-03-04 18:51:41765 
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球内存与存储解决方案的领先供应商，近日宣布已经开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。这一重要的里程碑式进展再次证明了美光在内存技术领域的行业领先地位。
2024-03-05 09:16:28396 近日，全球领先的半导体存储器及影像产品制造商美光公司宣布，已开始大规模生产用于人工智能的新型高带宽芯片——HBM3E。这一里程碑式的进展不仅标志着美光在半导体技术领域的又一次突破，也预示着人工智能领域将迎来更为强劲的计算能力支持。
2024-03-08 10:02:07157 三星电子近日宣布，公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升，这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51179 同日，SK海力士宣布启动 HBM3E 内存的量产工作，并在本月下旬开始供货。自去年宣布研发仅过了七个月。据称，该公司成为全球首家量产出货HBM3E 的厂商，每秒钟能处理高达 1.18TB 的数据。此项数据处理能力足以支持在一小时内处理多达约 33，800 部全高清电影。
2024-03-19 09:57:44311 SK海力士作为HBM3E的首发玩家，预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验，将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
2024-03-19 15:18:21309 据悉，HBM3E广泛应用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技术。至于GDDR7，有望在RTX 50系列显卡中得到应用。
2024-03-20 10:25:59150 在英伟达GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名为GB200，将于今年晚些时候上市。
2024-03-20 11:32:04403 
Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化，以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
2024-03-20 14:12:37314 
HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379 提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存，黄仁勋在会上直接认可三星实力，称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试，未来可能增加采购量。
2024-03-20 16:17:24390 英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系，计划从后者采购高带宽存储（HBM）芯片。HBM作为人工智能（AI）芯片的核心组件，其重要性不言而喻。与此同时，三星正努力追赶业内领头羊SK海力士，后者已率先实现下一代HBM3E芯片的大规模量产。
2024-03-25 11:42:04338 据悉，HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量，较8层堆叠的HBM3 8H，分别提升了50%以上的带宽及容量。
2024-03-25 15:36:1194 据最新消息透露，英伟达即将从今年9月开始大规模采购12层HBM3E内存，而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
2024-03-26 10:59:06146 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:08131 据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而，三星方面不愿透露具体客户信息。
2024-03-27 09:30:09107 12层HBM3e将每个堆栈可用的总带宽提高到惊人的1,280GB/s，这比单个堆栈上RTX 4090可用的全部带宽还要高。
2024-03-29 10:47:0991 
HBM3自2022年1月诞生，便凭借其独特的2.5D/3D内存架构，迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3不仅继承了前代产品的优秀特性，更在技术上取得了显著的突破。它采用了高达1024位的数据路径，并以惊人的6.4 Gb/s的速率运行，实现了高达819 Gb/s的带宽，为高性能计算提供了强大的支持。
2024-03-30 14:34:101600 
电子发烧友网报道（文/李弯弯）据报道，继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。半导体行业知情人士称，各大科技巨头都已经在向SK海力士请求获取HBM3E样本，包括
2023-07-06 09:06:312165 
和B100两款芯片。来源：英伟达官网 首款搭载HBM3e 的GPU ，推理速度几乎是H100 的两倍 与A100和H100相比，H200最
2023-11-15 01:15:002296 
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