在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17
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ROM：Read-Only Memory，只读存储器。
2023-12-19 09:03:01784 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。图3：MRAM读写周期FRAM技术FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器（1T-1FC）架构，该
2022-11-17 15:05:44
RAM,ROM,EPROM,EEPROM,FLASH ROM的区别1、RAM指的是“随机存取存储器”，即Random Access Memory。它可以随时读写，而且速度很快，缺点是断电后信息丢失
2022-01-07 07:51:17
基础部分——RAM和ROM的区别？RAM：简称随机存储器，掉电后数据会丢失，任何时候都可以读写，读写速度快；ROM：简称只读存储器，掉电后数据不会丢失，但数据不能随意更新。——什么是IO的上拉和下拉
2021-11-08 09:04:22
RAM和ROM的区别？答：ROM（只读存储器）：它的信息一次写入后只能被读出，而不能***作者修改或者删除。一般用于存放固定的程序或数据表格。但是，“只读”这个概念有时候可以被一些新特性的器件颠覆
2019-03-22 09:46:44
Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。于是，存储器的分类令人
2012-01-06 22:58:43
硬磁材料、环状元件（4）光盘存储器激光、磁光材料2.按存取方式分类（1）存取时间与物理地址无关（随机访问）随机存储器在程序的执行过程中 可读可写只读存储器 在程序的执行过程中 只读（2）存取时间与物理地址有关（串行访问）顺序存取存储器磁带直
2021-07-29 07:40:10
擦除，擦除后又可重新写入新的程序。 4、可电改写只读存储器（EEPROM）： EEPROM可用电的方法写入和清除其内容，其编程电压和清除电压均与微机CPU的5V工作电压相同，不需另加电压。它既有
2017-12-21 17:10:53
，擦除后又可重新写入新的程序。 4、可电改写只读存储器（EEPROM）： EEPROM可用电的方法写入和清除其内容，其编程电压和清除电压均与微机CPU的5V工作电压相同，不需另加电压。它既有
2017-10-24 14:31:49
概述：AT24C08是ATMEL公司出品的一款8192位的串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)，每个存储单元有1024字，每个字为8位。AT24C08系列芯片采用8引脚PDIP，8引脚JEDEC SOI
2021-04-06 08:35:58
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇详细介绍了用FRAM替换SRAM时需要考虑的因素 FRAM注意事项FRAM与SRAM
2020-10-16 14:34:37
flash存储转换成铁电存储,应该怎么改代码？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器
2020-05-07 15:56:37
一． 概述：FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料,拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器（FRAM）,容量为
2019-07-11 06:08:19
数据存储方案有静态存储器SRAM加电池的组合、FLASH闪存芯片、EEPROM和铁电存储器FRAM (Ferroelectric Random Accessmemory)等。SRAM加电池的组合容易因
2014-04-25 11:05:59
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-19 11:53:09
铁电存储器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁——一种非易失性的RAM。相对于其它类型的半导体技术
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性
2014-06-19 15:49:33
AT24C04B-PU港定ATMEL原厂现货电可擦除可编程只读存储器DIP封装AT24C04B-PU Microchip Technology / ATMEL Corporation 电可擦除可编程只读存储器 PB/HALO FREE 1.8V EEPROM PB/HALO FREE 1.8V DIP封装
2018-11-30 17:35:13
AT25128A是ATMELCorporation公司生产的一款144位串行电可擦除可编程只读存储器。它提供131,072/262,144位串行电可擦出可编程的只读存储器（EEPROM），换算成
2021-04-23 08:03:09
摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列
2014-04-25 13:46:28
非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存储原理EEPROM即电
2020-12-16 16:27:22
。 Everspin MRAM技术可靠 与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先，磁极化不会像电荷一样随时
2020-08-31 13:59:46
M24C08只读存储器介绍
2021-03-24 07:31:49
M24C64/M24C32是一个只读存储器，它受IIC总线控制，工作电压可降至2.5V，这些设备可兼容IIC的存储协议，这是一个使用双向数据总线和串行时钟的两线串行接口。
2021-05-11 07:20:30
MSP430G2553单片机里的ADC10MEM存储器怎么在IAR环境中说是只读存储器呢？怎么更改它的设置？
2013-11-26 17:22:09
生产，进一步发展出了可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）。EPROM需要用紫外线长时间照射才能擦除，使用很不方便。1980s又出现了电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），它
2021-06-20 18:20:44
ROM只读存储器，在单片机运行时，只能从中读取数据，不能向里面写数据。特点是掉电不丢失数据，在单片机中主要用来存储代码和常量等内容。FLASH存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。SRAM
2022-01-26 07:14:56
ROM存储和RAM存储在物理结构上有什么区别，如何才能实现只读存储和随机存储？
2023-10-30 07:09:38
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供bai电的时候仍然可以保持数据，而RAM
2021-12-09 08:32:12
当系统运行了一个嵌入式实时操作系统时（RTOS），操作系统通常都是使用非易失的存储器来运行软件以及采集数据。存储器的选择面很广阔，其中包括电池供电的SRAM（静态随机访问储存器），各种各样的闪存以及串口EEPROM（电可擦的，可编程的只读存储器）。
2019-06-28 08:29:29
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
stm32扩展铁电存储器FM16W08的程序怎么写？？有参考 的吗读写程序该怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
/写存储器，在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS与MR3A16ACMA35原作者：宇芯电子
2023-04-07 16:26:28
) ： 可自由对存储内容进行读写。* ROM (Read Only Memory) ： 只读存储器。各种存储器的特点项目RAMROM易失非易失SRAMDRAMFeRAMMask
2019-04-21 22:57:08
TAS-MRAM概念从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
2021-03-03 06:10:33
阅读哦。 一、存储器卡 存储器卡（Memory Card）是一种用电可擦除的可编程只读存储器（EEPROM）为核心的，能多次重复使用的IC卡。没有任何的加密保护措施 ，对于卡片上的数据可以任意改写
2020-12-25 14:50:34
这条指令不会丢失，这是个什么地方呢？这个地方就是单片机内部的只读存储器即ROM(READ ONLY MEMORY)。为什么称它为只读存储器呢？刚才我们不是明明把两个数字写进去了吗？原来在89C51中
2022-01-26 07:12:18
概述：24LC16B是一款电可擦写可编程只读存储器芯片。
2021-04-08 07:04:40
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
如何使用多余的代码内存来释放一些Ram。什么是只读存储器？微控制器存储器被分为对应于电气特性（例如，易失性与非易失性）和结构因素的类别，例如8051在内部数据存储器和“外部”数据存储器之间的区别（外部...
2021-12-20 06:42:35
富士通FRAM存储器有哪些特点？富士通FRAM存储器在智能电表中有什么应用？
2021-07-11 06:09:49
我们公司是代理富士通铁电存储器FRAM，单片机和华邦的FLASH。因为刚开始接触到这一块，只大概了解是用在电表，工业设备等产品上。但是曾找了很多这种类型的客户，都普遍很少用，只是有一些对产品性能要求
2014-03-13 10:00:54
带FRAM存储器MSP430常见问题及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（铁电随机存取存储器）的首字母缩写，它是非易失性存储器
2018-08-20 09:11:18
富士通半导体（上海）有限公司供稿铁电随机存储器（FRAM） RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。
2019-07-26 07:31:26
（ＲＡＭ）和非易失性存储器（ＲＯＭ）产品的特性。 ＦＭ１８０８是基于铁电存储器原理制造的并行接口２５６ｋｂｉｔ铁电存储器，该存储器相比其它类型的存储器有三大特点：●几乎可以像ＲＡＭ那样无限次写入；●可随
2019-04-28 09:57:17
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真铁电存储器FM25640吗？或者直接用哪儿器件可以替代仿真吗？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
方式随机存取存储器（RAM）静态 RAM（SRAM）动态 RAM（DRAM）动态 RAM 和静态 RAM 的比较只读存储器（ROM）存储容量的扩展存储器与 CPU 的连接提高访存速度的措施存储器概述
2021-07-26 06:22:47
。RAM中的存储的数据在掉电是会丢失，因而只能在开机运行时存储数据。其中RAM又可以分为两种，一种是Dynamic RAM(DRAM动态随机存储器),另一种是Static RAM(SRAM,静态随机存储器)。ROMROM又称只读存储器，只能从里面读出数据而不能任意写入数据。ROM与RAM相比
2022-01-26 06:05:59
集成铁电存储器的MCU，由于在MCU上集成了铁电存储器，该产品数据写入速度比基于闪存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它还可在所有的电源模式中提供数据保存功能、支持超过100万亿次
2021-11-10 08:28:08
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
存储器的分类及原理,动态随机存储器,静态随机存储器,只读存储器,其他存储器和技术.
2008-08-17 22:29:43
20 24AA04/24LC04B（24XX04*）是一种4kbit电可擦除可编程只读存储器。该设备被组织为两块256 x 8位存储器，具有2线串行接口。低电压设计允许工作电压低至1.7V，待机电流和有效
2022-11-10 15:35:07
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
AT24C04电可檫编程只读存储器
脚号 电压（V） 红笔测（KΩ） 黑笔测（KΩ） 引脚功能
1 5 8.5 14 地址线0
2 0 0 0 地址线1
3 0 0 0 地址线2
4 0 0 0 地
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2008-01-16 23:42:307752 铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:504172 
数控只读存储器构成的二进制码一七段显示变换器
2009-04-10 10:11:30567 
存储器卡,存储器卡是什么意思
存储器卡(Memory Card)是一种用电可擦除的可编程只读存储器(EEPROM)为核心的，能多次重复使用的IC卡。没
2010-04-01 17:44:073641 电子发烧友网核心提示： 可编程只读存储器PROM是早期的PLD，是一种简单PLD。电子发烧友网小编带大家一起来深入了解什么是PROM、PROM的发明过程和PROM的分类等知识。 什么是PROM？ PROM，
2012-10-12 14:33:1710307 FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
2017-03-28 18:05:301459 作为现代最重要的发明之一，可擦除可编程只读存储器（EPROM）的问世要从一次质量控制问题说起。
2018-08-20 18:26:357183 本视频主要详细介绍了只读存储器分几种，ROM、可编程只读存储器、可编程可擦除只读存储器、一次编程只读内存、电子可擦除可编程只读存储器以及闪速存储器。
2018-11-27 17:29:0712376 只读存储器（简称ROM）所存数据，一般是在装入整机前事先写好的。整机工作过程中只能从只读存储器中读出事先存储的数据，而不象随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
2020-03-08 10:46:002559 存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器（ram）和只读存储器（rom）两大类。要说它俩有什么区别，下面就由英尚微电子为大家解惑
2020-05-10 10:28:222798 只读存储器和随机存储器区别：作用不同、特点不同
2020-07-27 15:09:4316295 的领先趋势来增强动力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。 STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时
2020-08-07 17:06:122003 相信有很多人都对计算机里的各种存储器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就会存在，内存条是 dram 还是 nand？nand flash 和 nor flash 的区别又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
“永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和 FRAM（铁电 RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们
2020-12-14 11:30:0038 只读存储器的主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入／输出的驱动程序及引导操作系统。
2020-12-03 10:17:1721984 铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
2020-12-03 11:53:166108 对于存储器，大家都有所了解，比如我们每天使用的手机内就具备存储器。为增进大家对存储器的认识，本文将对只读存储器的种类予以介绍，并对相变存储器、存储器生命周期、技术进行对比。如果你对存储器相关内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2020-12-06 10:31:007265 只读存储器，大部分只读存储器用金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管制成，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
2020-12-17 10:49:257964 
半导体存储器芯片，按照读写功能可分为随机读写存储器（RandomAccessMemory，RAM）和只读存储器（ReadOnlyMemory，ROM）两大类。
2020-12-28 10:11:386046 半导体存储器芯片中的只读存储器（Read Only Memory，ROM），是一种存储固定信息的存储器，在正常工作状态下只能读取数据，不能即时修改或重新写入数据。
2020-12-28 15:33:035983 带电可编程只读存储器数据表的可编程祸不单行电压监控器
2021-05-15 09:48:541 “持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都声称具有相似的性能优势：低电压操作、长寿命和非常高的速度。他们
2021-06-17 15:35:451040 根据组成元件的不同，ROM内存可以分类为掩模型只读存储器(MASK ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EEPROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:213984 什么是FRAM？ FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM（只读存储器）和RAM（随机存取存储器）的特性，具有写入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 一些自旋电子存储器已经面世。MRAM（磁性随机存储器）已经商业化，在某些情况下可以取代电子存储器，但它是基于铁磁开关的。
2022-07-22 17:05:141596 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45:462548 存储器是用来进行数据存储的（指令也是一种数据），按使用类型可分为只读存储器ROM(Read Only Memory)和随机访问存储器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最为常见的一种形式。
2023-06-27 16:45:30458 
只读存储器（ROM）是一种计算机存储设备，用于存储固定数据和指令，其特点如下： 数据固定性：只读存储器中的数据是在出厂时被编程固化的，用户无法进行修改。这意味着ROM中的信息是静态的、不可
2024-01-17 14:17:39293 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料，这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性，芯片能在常温、没有电场的情况下，数据保持此状态达100年以上，铁电
2023-06-08 09:52:17
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