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HBM:突破AI算力内存瓶颈,技术迭代引领高性能存储新纪元

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封装的新型内存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能计算芯片中,HBM芯粒通过硅转接板与计算芯粒实现2.5D封装互联,具有高带宽、高吞吐量、低延迟、低功耗、小型化等技术优势,可以满足AI大模型高访存的需求,成为当前高性能智能计算芯片最主要的技术路线,其中核心技术是计算芯粒与
2023-09-20 14:36:32664

一文解析HBM技术原理及优势

HBM技术是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,它可以为高性能计算、人工智能、数据中心等领域提供高带宽、高容量、低延迟和低功耗的存储解决方案。本文将介绍HBM技术的原理、优势、应用和发展趋势。
2023-11-09 12:32:524343

如何加速HBM仿真迭代优化?

如何加速HBM仿真迭代优化?
2023-11-29 16:13:18189

Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能

为增强AI/ML及其他高级数据中心工作负载打造的 Rambus 高性能内存 IP产品组合 高达9.6 Gbps的数据速率,支持HBM3内存标准的未来演进 实现业界领先的1.2 TB/s以上内存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps 的性能,可支持 HBM3 标准的持续演进。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的数据速率,Rambus HBM3 内存控制器的数据速率提高了 50%,总内存吞吐量超过 1.2 TB/s,适用于推荐系统的训练、生成式 AI 以及其他要求苛刻的数据中心工作负载。
2023-12-07 14:16:06329

大模型时代必备存储HBM进入汽车领域

大模型时代AI芯片必备HBM内存已是业内共识,存储带宽也成为AI芯片仅次于算力的第二关健指标,甚至某些场合超越算力,是最关键的性能指标,而汽车行业也开始出现HBM内存
2023-12-12 10:38:11221

AI大模型不断拉高上限,内存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到来

数据量、复杂度在增加,HBM内存被彻底带火。这种高带宽高速的内存十分适合于AI训练场景。最近,内存芯片厂商已经不约而同地切入HBM3E竞争当中。内存控制器IP厂商Rambus也率先发布HBM3内存
2023-12-13 15:33:48885

英特尔AI PC处理器发布 存储芯片迎国产化迭代机遇

AI PC也将显著增加更高带宽的内存需求,以提升整体运算性能。由此或将带来存储领域芯片迭代及国产化机遇。
2023-12-19 10:59:22404

佰维发布CXL 2.0 DRAM,赋能高性能计算

设备内存之间的一致性,突破内存瓶颈,缩减整体响应时间。此外,CXL支持部署新的内存层,可以弥合主内存和SSD存储之间的延迟差距。 随着AI应用爆发,“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上, CXL内存
2023-12-27 10:35:01286

佰维发布CXL 2.0 DRAM,赋能高性能计算

设备内存之间的一致性,突破内存瓶颈,缩减整体响应时间。此外,CXL支持部署新的内存层,可以弥合主内存和SSD存储之间的延迟差距。 随着AI应用爆发,“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上, CXL内存
2023-12-27 15:17:3199

英伟达大量订购HBM3E内存,抢占市场先机

英伟达(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存,为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
2023-12-29 16:32:50586

AI突破与融合:2024年中国智能技术新纪元

随着人工智能领域的不断突破,2024年注定将成为中国智能技术发展的一个新纪元。当下,AI技术不仅在理论研究上取得了重大进展,其在商业应用、社会服务等领域的融合也日益深入。本文将结合近期网络上的AI热点,展望中国在AI技术方面的发展趋势和应用前景。
2024-01-03 15:41:38222

佰维存储研发突破,为AI高性能计算赋能

近日,佰维存储在接受调研时透露,公司近期成功研发并发布了支持CXL2.0规范的CXLDRAM内存扩展模块。这款产品具有支持内存容量和带宽扩展、内存池化共享、高带宽、低延迟、高可靠性等优势,特别适合于AI高性能计算的应用。
2024-01-23 16:13:02369

2024年:AI技术引领手机行业迈入全新纪元

2024年是AI手机元年。未来五年,AI对手机行业的影响,完全可以比肩当年智能手机替代功能机。
2024-02-21 16:15:40265

新型内存技术助力存储网络变革,将替代DRAM

 值得注意的是,持久内存是一种内存与外部存储器的结合体,具备迅速持久化特性,对于硬盘读写次数频繁引发性能瓶颈问题,存在突破解决之道。
2024-02-22 15:03:29147

我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元

我国在光存储领域获重大突破 或将开启绿色海量光子存储新纪元 据新华社的报道,中国科学院上海光学精密机械研究所与上海理工大学等合作,在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破性进展。可以说是“超级光盘
2024-02-22 18:28:451335

美光抢滩市场,HBM3E量产掀起技术浪潮

除了GPU,另一个受益匪浅的市场就是HBM了。HBM是一种高性能内存技术,能够提供比传统DRAM更高的带宽和更低的延迟,这使得其在需要大量数据传输和处理的人工智能应用中具有显著优势。
2024-02-29 09:43:0598

什么是HBM3E内存?Rambus HBM3E/3内存控制器内核

Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
2024-03-20 14:12:37110

SK海力士成功量产超高性能AI存储HBM3E

HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274

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