12月9日，Rambus线上设计峰会召开，针对数据中心的存储挑战、5G边缘计算，以及内存接口方案如何提高人工智能和训练推理应用程序的性能，Rambus中国区总经理苏雷和Rambus高速接口资深应用工程师曹汪洋，数据安全资深应用工程师张岩带来最新的产业观察和技术分享。
2020-12-21 22:15:27
5856 /s。 过往，三星和SK海力士在HBM内存领域占据领先地位。目前，各大内存厂商在HBM2E层面已经开始铺货。就以SK海力士的节点来看，2020年
2021-08-23 10:03:281550 近年来，随着内存带宽逐渐成为影响人工智能持续增长的关键焦点领域之一，以高带宽内存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR开始逐渐显露头角，成为搭配新一代AI/ML加速器和专用芯片的新型内存解决方案
2020-10-23 15:20:174876 
然而在此过程中，我们除了看到AI对算力的要求以外，内存带宽也是限制AI芯片发展的另一个关键要HBM2E成为了AI芯片的一个优先选择，这也是英伟达在Tesla A100和谷歌在二代TPU上选择这个内存方案的原因。
2020-11-09 12:45:402443 HBM作为基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，打破内存带宽及功耗瓶颈。HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器，通过使用先进封装(如TSV硅通孔、微凸块)将多个DRAM芯片进行堆叠，并与GPU一同进行封装，形成大容量、高带宽的DDR组合阵列。
2024-01-02 09:59:131471 
三星电子宣布推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。它是第二代Aquabolt的后继产品，具有16GB的两倍容量和3.2Gbps的更高稳定传输速度。
2020-02-05 13:40:231255 出货将会专供于人工智能领域。在AI/ML当中，内存和I/O带宽是影响系统性能至关重要的因素，这又促进业界不断提供最新的技术，去满足内存和I/O的带宽性能需求。 在英伟达、AMD的GPU/CPU芯片封装中，已经应用到了HBM内存技术，通过在一个2.5D封装中将
2021-09-01 15:59:413663 带宽上的限制，主打大带宽的HBM也就顺势成了数据中心、HPC等高性能芯片中首选的DRAM方案。 当下JEDEC还没有给出HBM3标准的最终定稿，但参与了标准制定工作的IP厂商们已经纷纷做好了准备工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的内存子系统，近日，新思科
2021-10-12 09:33:073582 电子发烧友网报道（文/周凯扬）随着AI芯片逐渐成为半导体市场的香饽饽，与之相关的附属产物也在不断升值，被一并炒热。就拿高带宽内存HBM来说，无论是英伟达的GPU芯片，还是初创公司打造的AI芯片
2023-08-15 01:14:001120 电子发烧友网报道（文/黄晶晶）新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看，HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E
2023-10-25 18:25:242156 
基于ATOM E3825的3U PXIe 主板控制器一、板卡概述： 本主板采用intel ATOM 处理器 E3825 设计主板控制器，是一种低成本、低功耗解决方案。板卡采用Intel Bay
2016-03-31 11:47:05
HBM传感器性能介绍 T10F扭矩传感器可测量扭矩和转速，是第一款扭矩法兰，采用测量剪应力替代扭矩应力对扭矩进行测量。这种技术是HBM公司的专利。它设计紧凑，占有非常小的空间；高侧向的防护允许
2020-06-19 16:31:10
代表能够自动符合 OIML R60 标准, 因此其测试条件更加严格。 这就是为什么，对于质量控制的测量过程，HBM 新一代的 C6 精度称重传感器需要在实验室条件下测试的原因。其他厂商的相关产品也在
2018-11-02 16:11:12
江山科技最新推出JS-9500内存检测仪(SD/DDR/DDR2/DDR3)为领先业界的软硬件测试系统,采用国际内存业界最先进自动储存器测试程序,能快速、准确检测内存条, 内存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500内存检测仪(SD/DDR/DDR2/DDR3)为领先业界的软硬件测试系统,采用国际内存业界最先进自动储存器测试程序,能快速、准确检测内存条, 内存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500内存检测仪(SD/DDR/DDR2/DDR3)为领先业界的软硬件测试系统,采用国际内存业界最先进自动储存器测试程序,能快速、准确检测内存条,笔记本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A内存检测仪(SD/DDR/DDR2/DDR3)为领先业界的软硬件测试系统,采用国际内存业界最先进自动储存器测试程序,能快速、准确检测
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500内存测试仪(SD/DDR/DDR2/DDR3)为领先业界的软硬件测试系统,采用国际内存业界最先进自动储存器测试程序,能快速、准确检测内存条, 内存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500内存测试仪(SD/DDR/DDR2/DDR3)为领先业界的软硬件测试系统,采用国际内存业界最先进自动储存器测试程序,能快速、准确检测内存条, 内存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500内存测试仪(SD/DDR/DDR2/DDR3)为领先业界的软硬件测试系统,采用国际内存业界最先进自动储存器测试程序,能快速、准确检测内存条,笔记本
2009-08-17 23:00:19
这里写目录标题STM32（CM3内核） 内存映射一.CM3内核简介二.CM3内核地址映射三.搭建代码，实现映射STM32（CM3内核） 内存映射一.CM3内核简介《CM3权威指南》摘抄一段简介
2022-02-11 07:48:56
的DDR3内存控制器或内存控制器生成的设计生成的设计，我得到此错误“启动状态结束：低。在我的设计或PCIe中只有PCIe内核的其他比特流示例设计已成功配置。分享我的一些观察， - 配置过程中电压似乎稳定
2020-06-09 15:48:02
产品，其它产品也将陆续推出。凭借其创新的架构和强大的功能，SPEAr1310以最先进的技术引领嵌入式市场，实现前所未有的成本竞争力、性能以及灵活性。”内置DDR2/DDR3内存控制器和完整的外设接口
2018-12-12 10:20:29
我正在制作一个我正在获取数据的项目。每个数据等于一个内存地址。我希望为每个内存地址添加1内存的时钟是数据的两倍，然后是数据的时钟，因此ican获取此内存地址中的值，然后加1在测试台我发送计数器的数据
2019-06-25 14:30:22
更积极，继Altera之后赛灵思也宣布了集成HBM 2做内存的FPGA新品，而且用了8GB容量。 HBM显存虽然首发于AMD显卡上，不过HBM 2这一代FPGA厂商比GPU厂商更积极 AMD
2016-12-07 15:54:22
Rambus首次公布HBM3/DDR5内存技术参数，最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被认为是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能，7nm是一项非常复杂的技术。
2017-12-07 15:00:001552 见识过HBM的玩家对该技术肯定印象深刻，那么未来它又该如何发展呢？HPE（惠普企业级）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些观点，在他看来DDR内存要走到尽头了（DDR is Over），特别是一些需求高带宽的场合中。
2018-03-22 08:54:484526 
高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半导体和SK Hynix发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）等。
2018-11-10 10:27:4930050 环球仪器旗下的FuzionSC半导体贴片机系列，能以表面贴装速度实现半导体封装的精准技术。FuzionSC贴片机之所以能精确高组装HBM内存，皆因配备以下神器：
2020-09-04 09:28:132005 
三星宣布新的HBM2内存集成了AI处理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461856 韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片，可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽，每秒处理819GB的数据，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142068 点击蓝字关注我们 从高性能计算到人工智能训练、游戏和汽车应用，对带宽的需求正在推动下一代高带宽内存的发展。 HBM3将带来2X的带宽和容量，除此之外还有其他一些好处。虽然它曾经被认为是一种
2021-11-01 14:30:506602 
在FPGA上对传统内存进行基准测试。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]试图通过使用高级语言（例如OpenCL）在FPGA上对传统存储器（例如DDR3）进行基准测试。相反，我们在最先进的FPGA上对HBM进行基准测试。
2022-12-19 16:29:461267 凭借Rambus GDDR6 PHY所实现的新一级性能，设计人员可以为带宽要求极为苛刻的工作负载提供所需的带宽。和我们领先的HBM3内存接口一样，这项最新成就表明了我们不断致力于开发最先进的内存性能，以满足生成式AI等先进计算应用的需求。
2023-05-17 14:22:36574 HBM技术之下，DRAM芯片从2D转变为3D，可以在很小的物理空间里实现高容量、高带宽、低延时与低功耗，因而HBM被业界视为新一代内存解决方案。
2023-06-30 16:31:33644 
据业内消息人士透露，随着人工智能（AI)服务器需求的激增，高带宽内存(HBM)的价格开始上涨。
2023-07-07 12:23:41395 近日，HBM成为芯片行业的火热话题。据TrendForce预测，2023年高带宽内存（HBM）比特量预计将达到2.9亿GB，同比增长约60%，2024年预计将进一步增长30%。
2023-07-11 18:25:08724 
SK海力士正忙于处理来自客户的大量HBM3E样品请求。英伟达首先要求提供样品，这次的出货量几乎是千钧一发。这些索取样品的客户公司可能会在今年年底收到样品。全球领先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供应HBM3，并已索取HBM3E样品。各大科技公司都在热切地等待 SK 海力士的样品。
2023-07-12 14:34:39712 
在随后大约1小时20分钟的演讲中，黄仁勋宣布全球首发HBM3e内存——推出下一代GH200 Grace Hopper超级芯片。黄仁勋将它称作“加速计算和生成式AI时代的处理器”。
2023-08-09 14:48:00517 
NVIDIA官方宣布了新一代GH200 Grace Hopper超级芯片平台，全球首发采用HBM3e高带宽内存，可满足世界上最复杂的生成式AI负载需求。
2023-08-10 09:37:12931 
2023年8月8日，NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋在计算机图形年会SIGGRAPH上发布了HBM3e内存新一代GH200 Grace Hopper超级芯片。这款芯片被黄仁勋称为“加速计算和生成式AI时代的处理器”，旨在用于任何大型语言模型，以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:17793 sk海力士表示：“以唯一批量生产hbm3的经验为基础，成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础，从明年上半年开始批量生产hbm3e，巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:49585 该公司表示，HBM3E（HBM3的扩展版本）的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E，巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:41552 HBM3E内存（也可以说是显存）主要面向AI应用，是HBM3规范的扩展，它有着当前最好的性能，而且在容量、散热及用户友好性上全面针对AI优化。
2023-08-22 16:28:07575 与此同时，SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客户在基于HBM3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
2023-08-23 15:13:13480 ，skjmnft同时已经向英伟达等用户ERP交付样品。 该公司的HBM3E内存采用 eight-tier 布局，每个堆栈为24 GB，采用1β 技术生产，具备出色的性能。Multiable万达宝ERP具备数字化管理各个业务板块,提升
2023-10-10 10:25:46428 基于英伟达的“Hopper”架构的H200也是该公司第一款使用HBM3e内存的芯片，这种内存速度更快，容量更大，因此更适合大语言模型。英伟达称：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的内存，与A100相比，容量几乎是其两倍，带宽增加了2.4倍。
2023-11-15 11:17:31379 Rambus产品营销高级总监 Frank Ferro 在 Rambus 设计展会上发表演讲时表示：“HBM 的优点在于，可以在可变的范围内获得所有这些带宽，并且表示获得了非常好的功耗。”
2023-11-15 15:50:19283 
NVIDIA H200的一大特点就是首发新一代HBM3e高带宽内存(疑似来自SK海力士)，单颗容量就多达141GB(原始容量144GB但为提高良率屏蔽了一点点)，同时带宽多达4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13405 
由于hbm芯片的验证过程复杂，预计需要2个季度左右的时间，因此业界预测，最快将于2023年末得到部分企业对hbm3e的验证结果。但是，验证工作可能会在2024年第一季度完成。机构表示，各原工厂的hbm3e验证结果将最终决定英伟达hbm购买分配权重值，还需要进一步观察。
2023-11-27 15:03:57457 
HBM4 预计将于 2026 年推出，具有针对英伟达和其他 CSP 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下，HBM4 将标志着其最底部逻辑芯片（基础芯片）首次使用 12 纳米工艺晶圆，由代工厂提供。
2023-11-28 09:45:13215 
目前，AI服务器对HBM（高带宽内存）的需求量越来越大，因为HBM大大缩短了走线距离，从而大幅提升了AI处理器运算速度。HBM经历了几代产品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e刚出样品。
2023-11-28 09:49:10481 
由于hbm芯片的验证过程复杂，预计需要2个季度左右的时间，因此业界预测，最快将于2023年末得到部分企业对hbm3e的验证结果。但是，验证工作可能会在2024年第一季度完成。机构表示，各原工厂的hbm3e验证结果将最终决定英伟达hbm购买分配权重值，还需要进一步观察。
2023-11-29 14:13:30376 
中国北京，2023年12月7日—— 作为业界领先的芯片和IP核供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布Rambus HBM3内存控制器IP
2023-12-07 11:01:13124 
作为业界领先的芯片和 IP 核供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 内存控制器 IP 现在可提供高达 9.6
2023-12-07 14:16:06342 大模型时代AI芯片必备HBM内存已是业内共识，存储带宽也成为AI芯片仅次于算力的第二关健指标，甚至某些场合超越算力，是最关键的性能指标，而汽车行业也开始出现HBM内存。
2023-12-12 10:38:11255 
数据量、复杂度在增加，HBM内存被彻底带火。这种高带宽高速的内存十分适合于AI训练场景。最近，内存芯片厂商已经不约而同地切入HBM3E竞争当中。内存控制器IP厂商Rambus也率先发布HBM3内存
2023-12-13 15:33:48941 
美光已明确表示，预期明年将进占市场份额约5%，排名第三。为了缩小与各领军者间的距离，他们决定在受到瞩目的HBM3E上加大研发力度，且计划于2023年最后阶段为英伟达提供测试。
2023-12-26 14:39:31165 英伟达（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存，为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
2023-12-29 16:32:50613 据最新传闻，英伟达正在筹划发布两款搭载HBM3E内存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超级芯片，这也进一步说明了对于HBM内存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276 1月2日消息，韩媒报道，NVIDIA已经向SK海力士、镁光，交付了700亿至1万亿韩元（约合5.4亿至7.7亿美元）的预付款，业内预计了这笔款项在10.8亿美元到15.4亿美元之间。
2024-01-02 16:31:12223 美国IT企业投资规模的加大使得HBM市场迅速成长。预计至2024年，HBM供应紧缺问题将愈发严重。对此，三星计划于2023年末和2024年初供应第四代HBM产品HBM3，并计划启动第五代HBM产品HBM3E的量产。在此
2024-01-03 13:41:02412 ABSTRACT摘要Nvidia表示，H200TensorCoreGPU具有更大的内存容量和带宽，可加快生成AI和HPC工作负载的速度。NvidiaH200是首款提供HBM3e的GPU，HBM3e
2024-01-17 08:25:26287 
值得一提的是，半导体产品的研发周期通常共九个阶段，而 SK 海力士已经成功走过了各个环节，正在进行最后的产量提升阶段。这代表着现有的HBM3E产能均可满足从此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45222 在严格的9个开发阶段后，当前流程全部完成，步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志，这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可，同步启动大规模生产及交货。
2024-02-21 10:17:05282 在全球存储半导体市场的激烈竞争中，SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发工作，并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品，并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:08645 近日，全球存储解决方案领导者SK海力士宣布，他们已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的开发，并且已经通过了英伟
2024-02-25 11:22:21403 目前，只有英伟达的Hopper GH200芯片配备了HBM3e内存。与现有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，单个平台可以达到10TB/s的带宽，单颗芯片能够实现5TB/s的传输速率，内存容量高达141GB。
2024-02-25 11:22:42135 美光执行副总裁兼首席商务官萨达纳（Sumit Sadana）称，公司已实现HBM3E的市场首发和卓越性能，同时能耗具有显著优势，使公司在AI加速领域稳占先机。他还强调，美光拥有业界顶尖的HBM3E及HBM4路线图，DRAM与NAND技术相结合
2024-02-27 09:38:42127 美光指出，专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产，有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示，“2024年1~12月，美光HBM预估全数售罄”。
2024-02-27 10:25:15154 “随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大，我们的新产品HBM3E 12H应运而生，”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道，“这个存储方案是我们在人人工智能时代所推崇的HBM核心技术、以及创新堆叠技术的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25232 2024年2月27日 - 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00269 近日，三星电子宣布，已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存（HBM3E）产品——HBM3E 12H，再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解，HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的HBM产品，其性能也实现了质的飞跃。
2024-02-27 14:28:21390 据手机资讯网站IT之家了解，MI300加速器配备了HBM3内存模块，并面向HBM3E进行了重新设计。另外，该公司在供应链交付合作方面颇为深入，不仅与主要的存储器供应商建立了稳固的联系，同时也与如台积电等重要的基板供应商以及OSAT社区保持着紧密的合作关系。
2024-02-27 15:45:05188 美国记忆体制造巨头美光（Micron）于26日宣布，其最新的高频宽记忆体HBM3E已正式量产。此项技术将被用于今年第2季度的英伟达（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，标志着
2024-02-28 14:17:10173 除了GPU，另一个受益匪浅的市场就是HBM了。HBM是一种高性能的内存技术，能够提供比传统DRAM更高的带宽和更低的延迟，这使得其在需要大量数据传输和处理的人工智能应用中具有显著优势。
2024-02-29 09:43:05118 AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发，且伴随服务器平均HBM容量增加，经测算，预期25年市场规模约150亿美元，增速超过50%。
2024-03-01 11:02:53272 
其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一
2024-03-04 14:51:51569 
2024 年 3 月 4 日全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽
2024-03-04 18:51:41765 
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球内存与存储解决方案的领先供应商，近日宣布已经开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。这一重要的里程碑式进展再次证明了美光在内存技术领域的行业领先地位。
2024-03-05 09:16:28396 近日，全球领先的半导体存储器及影像产品制造商美光公司宣布，已开始大规模生产用于人工智能的新型高带宽芯片——HBM3E。这一里程碑式的进展不仅标志着美光在半导体技术领域的又一次突破，也预示着人工智能领域将迎来更为强劲的计算能力支持。
2024-03-08 10:02:07157 三星电子近期研发的这款36GB HBM3E 12H DRAM确实在业界引起了广泛关注。其宣称的带宽新纪录，不仅展现了三星在半导体技术领域的持续创新能力，也为整个存储行业树立了新的性能标杆。
2024-03-08 10:04:42195 三星电子近日宣布，公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升，这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器（HBM）。
2024-03-08 10:10:51179 这一结构性调整体现出三星对于存储器领域HBM产品间竞争压力的关注。SK海力士已然在HBM3市场夺得先机，并因其在人工智能领域的广泛运用吸引了大量订单。
2024-03-10 14:52:501433 同日，SK海力士宣布启动 HBM3E 内存的量产工作，并在本月下旬开始供货。自去年宣布研发仅过了七个月。据称，该公司成为全球首家量产出货HBM3E 的厂商，每秒钟能处理高达 1.18TB 的数据。此项数据处理能力足以支持在一小时内处理多达约 33，800 部全高清电影。
2024-03-19 09:57:44311 SK海力士作为HBM3E的首发玩家，预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验，将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
2024-03-19 15:18:21309 据悉，HBM3E广泛应用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技术。至于GDDR7，有望在RTX 50系列显卡中得到应用。
2024-03-20 10:25:59150 HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379 提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存，黄仁勋在会上直接认可三星实力，称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试，未来可能增加采购量。
2024-03-20 16:17:24390 英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系，计划从后者采购高带宽存储（HBM）芯片。HBM作为人工智能（AI）芯片的核心组件，其重要性不言而喻。与此同时，三星正努力追赶业内领头羊SK海力士，后者已率先实现下一代HBM3E芯片的大规模量产。
2024-03-25 11:42:04338 据悉，HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量，较8层堆叠的HBM3 8H，分别提升了50%以上的带宽及容量。
2024-03-25 15:36:1194 据最新消息透露，英伟达即将从今年9月开始大规模采购12层HBM3E内存，而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
2024-03-26 10:59:06146 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:08131 据业内透露，三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司，有能力在2024年9月实现对英伟达的替代，这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而，三星方面不愿透露具体客户信息。
2024-03-27 09:30:09107 12层HBM3e将每个堆栈可用的总带宽提高到惊人的1,280GB/s，这比单个堆栈上RTX 4090可用的全部带宽还要高。
2024-03-29 10:47:0991 
HBM3自2022年1月诞生，便凭借其独特的2.5D/3D内存架构，迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3不仅继承了前代产品的优秀特性，更在技术上取得了显著的突破。它采用了高达1024位的数据路径，并以惊人的6.4 Gb/s的速率运行，实现了高达819 Gb/s的带宽，为高性能计算提供了强大的支持。
2024-03-30 14:34:101600 
电子发烧友网报道（文/李弯弯）据报道，继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。半导体行业知情人士称，各大科技巨头都已经在向SK海力士请求获取HBM3E样本，包括
2023-07-06 09:06:312165 
和B100两款芯片。来源：英伟达官网 首款搭载HBM3e 的GPU ，推理速度几乎是H100 的两倍 与A100和H100相比，H200最
2023-11-15 01:15:002296 
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