20nm能让我们超越什么？对于像赛灵思（Xilinx）这样刚刚在28nm上花了巨资量产的公司，为什么又要去追20nm呢？20nm FPGA会带给我们什么样的科技进步？20nm FPGA背后到底蕴藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:34
1317 台积电（TSMC）的高管对即将来临的20nm芯片生产与销售信心满满，台积电CEO张忠谋上周就曾做过一个预测，他说最新的20nm工艺芯片2014年的成绩会比先前28nm芯片头两年卖得还要好。
2013-01-23 08:57:45699 赛灵思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。赛灵思20nm产品系列建立在其业经验证的28nm突破性技术基础之上，在系统性能、低功耗和可编程系统集成方面拥有着领先一代的优势。
2013-01-31 15:52:16893 台积电的20nm芯片生产设施或将与本月20日开始安装,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC产品样品,正常情况下将在2014年进入量产。
2013-04-07 09:41:26910 三星与台积电工艺之战从三星跳过20nm工艺而直接开发14nmFinFET打响，从10nm到如今的7nm之争，无论谁领先一步，都是半导体工艺的重大突破。 在半导体代工市场上，台积电一直都以领先的工艺
2017-03-02 01:04:491675 近日，***进一步削减其2013年上网电价补贴，削减幅度为9.23%至11.88%，而同时将其太阳能发电装机容量目标提高30%。 据***媒体报道，***经济部能源局（BureauofEnergy
2012-12-04 19:50:52
，二阶段试验完成。二是进一步加大技术研发、开放合作、融合创新的力度，在ITU和3GPP的框架下，积极推动形成全球统一的5G标准，与国内外产业界共同推动移动通信产业的发展。
2019-01-13 15:23:13
的传输速率，更因简化了纠错算法，进而降低了功耗，一举数得。进一步凸显了成本效益。3D NAND FLASH是现在和未来，19nm 的2D NAND FLASH是过去和现在。目前，在车规的应用中，旺宏有
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑
一步一步教你开发嵌入式linux应用程序
2012-08-13 16:15:18
及设备用电安全的需要，更进一步提高电源的可靠性，及时发现供电隐患，提高设备的运行寿命，对电源进行在线管理已经成为普遍的需求。针对早期的UPS电源的RS232标准，已经无法满足目前计算机硬件及软件技...
2021-12-28 08:05:27
进一步理解量子力学经典理论与应用 多方面丰富相关图表为了进一步深入理解量子力学理论经典及其应用，从多个方面丰富内容，附图页码一致，符合国际标准。声学，声波自然现象，以及经典原子理论的应用等对理解量子力学经典之波的概念有益。大湾区2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
让我们进一步聆听大师对量子力学归属的现代物理的解说，及其常用图表iii（待续3）“现代物理”术语通常指的是二十世纪物理学快速的概念发展。相对的，在1900年之前艰辛地发明的所有的物理学都标记
2020-06-28 17:48:16
已经在友好的ARM中开发了android布局，以显示M24LR内存中的温度和消息。我想知道如何进一步开发工作应用程序。 是CR95HF DLL文件有帮助吗。 我们检查了PC软件，NFC＆amp; amp;的可用代码。数据记录器应用程序。#software＃raspberry-pi＃cr95hf
2019-08-22 11:10:49
适合对C语言有一定基础积累的童鞋 想进一步学习C语言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
专家：1、这个指标的纹波是否在设计许可的范围之内？在一般情况下，DC-DC电源转换的纹波在一个什么范围内可以认为是正常的？2、从原理图上，pcb图上，这个设计是否还能够进一步优化降低纹波？还请指出。
2014-10-28 15:59:25
你好E4406A有问题----当我启动时 - 设备按我的意愿启动自动对齐，但是当它达到adc对齐时它不会更进一步。根本没有消息。可以用abort终止它，并且分析仪似乎正常工作---- ??我可以用
2018-12-28 16:06:57
我有一个设计，生成一堆以下消息：错误：包：1107- 包无法将下面列出的符号组合成单个IOB组件，因为所选的站点类型不兼容。但他们没有进一步的信息说明哪些符号。我还有一堆尚未连接的符号。是否由于断开
2018-10-15 11:45:18
SOP位移传感器防水功能将进一步提高位移传感器应用的行业越来越广，使用的环境也是各种各样，SOP位移传感器有些系列可以适用于潮湿、油污、灰尘等各种恶劣环境，但是有好些客户问咱们的位移传感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以进一步降低待机模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
你好，我有一个小问题。我使用100m时钟芯片。每个时钟只有10ns，ad9106寄存器的最小输出波形只有100Hz。如何将波形频率设置为进一步降低到10Hz？我已将配置设置为相关寄存器的最大值。拍
2023-12-01 06:12:19
imx_pll1416x_tbl 还报告了额外的时钟频率。
是否可以在 opp-table 中引入这些额外的频率以进一步降低时钟频率？
如果是，哪些值应该用于属性 opp-microvolts、opp-supported-hw、clock-latency-ns？
2023-04-23 11:14:12
借这个机会，申请这块开发版，便于日常学习，而且我即将大四了，希望用这块开发版能更进一步的学习，一则方便之后的课设，二则便于找工作，三则嵌入式也是自己敢兴趣。衷心希望能获得这次机会，谢谢。项目描述：之前
2015-06-24 17:06:36
【OK210试用体验】u-boot篇 -- u-boot进一步定制 从u-boot单板的自定义，到SPL的移植，都还没有完全定制出自己的S5PV210单板信息，还是掺杂着S5PC100
2015-09-07 11:38:52
项目名称：进一步深入学习紫外线的检测试用计划：我以前自己动手做过紫外线的检测传感器，可是制作出来的传感器受干扰十分严重，通过光谱分析之后发现，是因为我所选用的滤光片达不到要求性能。所以一直想找个机会重新学习一下，对紫外线的检测原理。细致的完成整个系统的分析，进而吸收这个板子所含的学问。谢谢。
2017-04-10 15:41:43
项目名称：进行进一步学习和研究试用计划：此前一直从事单片机开发，想进一步深入学习各种MCU，看到有此活动，特来申请。也为下一步项目无人机摄像头驱动选择合适的芯片。
2020-04-23 10:36:17
【单片机开发300问】怎样进一步降低功耗功耗，在电池供电的仪器仪表中是一个重要的考虑因素。PIC16C××系列单片机本身的功耗较低（在5V，4MHz振荡频率时工作电流小于2mA）。为进一步降低
2011-12-07 13:59:56
今年7月，东南大学有序物质科学研究中心研究团队发现了一类新型分子压电材料，首次在压电性能上达到了传统无机压电材料的水平，这一材料将有望使电子产品体积进一步缩小、弯折衣服就可对手机充电等应用成为可能。那么，压电材料是什么？新型分子压电材料是什么样子的？它具有哪些优势？
2020-08-19 07:58:38
兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
初学linux，安装了Ubuntu系统界面，请教该如何进一步快速学习，大家有什么好的初学的资料分享一下，谢谢啦
2015-08-24 18:39:29
初学者除了学好书本上的基本知识外，如何能进一步学习Protel
2017-03-03 09:19:29
替代品的需求日益高涨。那么，首先简单介绍一下叠层陶瓷电容器的结构。如图所示，涂有粉状陶瓷材料的片状电介质与电极组成重叠交替的结构。为使大家进一步了解结构与静电电容的关系，使用以下公式来说明。从公式中可以
2018-12-03 14:35:18
各路神仙，我想问下在写flash擦除命令字 ‘60’之前 。要不要写使能命令“06”
2020-06-15 06:59:52
（使用FPGA引脚和DAC）任何人都可以给出一些答案如何进一步使用以上两个文件查看DSO上的输出 提前感谢你Counter.v 3 KB以上来自于谷歌翻译以下为原文Hello to all
2019-07-03 08:41:24
各位大侠好，最近公司要求将CC2640R2模块的功耗进一步缩减，我应公司要求做了一个最简电路，目前外围电阻、电位器、LED等繁杂的元件已尽数砍掉，现在测量出仅中心的绿板CC2640R2模块待机功耗在
2019-10-21 10:02:32
如何进一步加强对RFID的安全隐私保护？
2021-05-26 06:09:27
时间为9:00到11:00），也可以刷卡打开闸机。闸机配有发卡器和读卡器。请问附件中的通讯协议是属于TCP/IP协议吗？如果方便远端的计算机控制闸机，是不是要进一步封装附件中的通讯协议呢？例如，建立一个
2017-12-08 00:26:24
GN1302 晶振引脚连接 2 个 30pf 电容，每天大约慢 4 秒，如何进一步提高精度?时钟每天慢 4 秒是因为晶振的外部负载电容过大，即 30pf 电容过大。如果使用的晶振的负载电容参数为
2022-12-29 17:36:43
一、引言内存是嵌入式系统中的关键资源，内存占用主要是指软件系统的内存使用情况。本篇博客将介绍如何分析内存使用以便进行进一步优化内存占用相关的基础概念和相关工具。二、内存占用内存占用是应用程序运行时
2021-12-15 06:05:33
如何让计算机视觉更进一步接近人类视觉？
2021-06-01 06:27:08
传感器为震动速度传感器，待提取信号频率0.1~200Hz ,幅度几十uV，原来采用AD620放大，现在希望进一步降低功耗与噪声，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
网络时间协议NTP是什么意思？NTP授时的原理是什么？怎样去进一步提高NTP的授时精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、电视手机。这些采用多种RF技 术的手机在提供便利的同时也使得手机的设计变得复杂，如何进一步集成射频元件也变得至关重要。
2019-08-27 08:33:19
级放大再加给AD7714时，测得人分辨率还要低一些。由于是用干电池得到AD7714的输入信号，该信号相对来说很稳定，而且板上的噪声也不是太大。请问各位大虾，还有什么方法可以进一步提高AD7714的分辨率啊？不胜感激！
2023-12-25 06:33:32
IC尺寸微缩仍面临挑战。为了使芯片微缩，总是利用光刻技术来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔定律的其他一些技术。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm设计中，采用硅衬底
2014-01-04 09:52:44
软件还远远不够。。。它的性能被进一步提升，使用起来比之前任何时候都要简单。首先，在WEBENCH® Filter Designer登录页内，你可以轻松进入滤波器设计工具软件。图1显示的是你的第一个滤波器
2018-09-04 14:59:10
英特尔SSD 800P，900P，905P系列的存储介质都是相变存储器，我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
C6748通过摄像头采集的图像如何进一步处理，比如如何导入到MATLAB里面处理？？
2018-07-25 06:23:56
像我们看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具体指什么呢
2018-10-08 17:18:18
如何进一步减小DTC控制系统的转矩脉动？
2023-10-18 06:53:31
LSI推出新型MegaRAID控制卡和主机总线适配器，进一步扩展6Gb/s SAS产品系列
LSI 公司日前宣布推出新型 MegaRAID 控制卡和主机总线适配器 (HBA)，进一步壮大了业界最丰富的 6G
2010-01-22 09:05:061068 台积电又跳过22nm工艺 改而直上20nm
为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术，台积电已经决定跳过22nm工艺的研
2010-04-15 09:52:16867 GlobalFoundries日前试产了20nm测试芯片，该芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的设计工具。此次试制的测试芯片使用了双重图形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269 晶圆代工巨擘台积电（TSMC）日前表示，将在 20nm 节点提供单一製程，这与该公司过去针对不同製程节点均提供多种製程服务的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076 GlobalFoundries 已开始在纽约的 Fab 8 厂房中安装硅穿孔（TSV）设备。如果一切顺利，该公司希望在2013下半年开始採用 20nm 及 28nm 製程技术製造3D堆叠晶片。
2012-05-01 10:13:121039 GlobalFoundries 公司正在仔细考虑其 20nm 节点的低功耗和高性能等不同製程技术，而在此同时，多家晶片业高层也齐聚一堂，共同探讨即将在2014年来临的 3D IC ，以及进一步往 7nm 节点发
2012-05-06 11:06:351253 据台湾媒体报道，台积电（TSMC）预计会在下月试产20nm芯片制程，即将成为全球首家进入20nm技术的半导体公司。若该芯片试产成功，将超越英特尔（Intel）的22nm制程，拉开与三星电子（
2012-07-18 09:44:33840 8月14日消息，ARM和芯片工厂Globalfoundries日前宣布，双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。 ARM之前和台积电进行了紧密合作，在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理
2012-08-14 08:48:11636 台积电积极开发20nm制程，花旗环球证券指出，在技术领先优势下，未来1~2年内有机会独吞苹果（Apple）A7处理器订单。野村证券评估，台积电明年第1季开始试产A7，顺利的话，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 近期，Altera发布其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术，延续在硅片融合上的承诺，克服了20nm设计五大挑战，实现了系统集成、串行带宽、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077 电子发烧友网讯：关于摩尔定律的经济活力问题，有很多的讨论。在过去的一年中，20nm节点进入到这个辩论的前沿和中心。无论说辞如何，包括赛灵思在内的行业领导在20nm研发上的积极
2012-11-14 11:19:521196 据《韩国日报》报道，NVIDIA在新制造工艺上已经选中了台积电的20nm，双方的长期合作将继续深入下去，而这也意味着，NVIDIA代号麦克斯韦（Maxwell）的下代GPU仍将出自台积电之手。
2012-12-07 17:00:14839 Xilinx公布其在20nm产品的表现上还将保持领先一代的优势，究竟在20 nm制程上，Xilinx的产品有哪些演进使其保持领先竞争对手一代的优势？详见本文
2013-01-10 09:33:43961 赛灵思公司今天宣布，延续28nm工艺一系列行业创新，在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业首款20nm器件，也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807 20nm会延续摩尔定律在集成上发展趋势，但是要付出成本代价。2.5D封装技术的发展，进一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解决了DRAM总线电源和带宽问题，在一个封装中集成了种类更多的IC。随着系统性能的提高，这一节点也增加了体系结构的复杂度。目前为止，它也是功耗管理最复杂的节点。
2017-09-15 09:54:30
10 4.4 实验内容使用JTAG烧写Nand Flash 1．实验目的 通过使用JTAG烧写Flash的实验，了解嵌入式硬件环境，熟悉JTAG的使用，为今后的进一步学习打下良好的基础。本书
2017-10-18 17:03:486 在28nm技术突破的基础上，赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公司。此外，该新型器件也是赛灵思将向市场推出的首款采用UltraScale技术
2018-01-12 05:49:45706 耐高温聚合物电介质材料以其优良的耐高温稳定性、优异的介电性能以及良好的耐环境稳定性等在电工绝缘领域中具有广阔的应用前景。系统综述了国内外近年来在耐高温聚合物电介质材料基础与应用领域的最新研究进展
2018-01-15 11:31:350 随着NAND Flash产能开出，市场价格持续松动，刺激市场搭载SSD的需求大增，业者认为，2018年下半NAND Flash价格将一路走跌，将促使SSD与HDD价差进一步收敛，目前SSD价差逐步
2018-06-28 07:18:00597 据调研机构IC Insights 周二(10 日) 最新研报指出，预计全球主要NAND 供应商将大幅扩大资本支出，来拉高产能，估计今年的NAND 记忆体价格将进一步走跌。
2018-07-13 15:04:363502 
赛灵思公司（Xilinx）今天宣布Kintex UltraScale KU115 FPGA器件正式出货，从而使得其进一步扩展了其20 nm产品阵容。作为Kintex UltraScale系列的旗舰
2018-09-07 15:08:007603 据外媒报道，两名知情人士透露，中国电动车初创公司威马汽车（WM Motor）旨在最新一轮融资中筹集至少20亿元（2．88亿美元）资金，以推动公司进一步发展。此举也使得这家成立不到4年的公司估值超过200亿元人民币。
2018-10-26 18:04:20916 美国爱达荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（纳斯达克代码：MU）今天宣布旗下 QLC（四级单元）NAND 技术提升市场领导地位的进一步举措——其广受欢迎的美光 5210
2018-11-12 17:48:301154 一小段上升期。随着5G通信和AI技术的发展，数据中心将继续增长。2020年中国新增数据中心市场容量将占全球新增量的50%左右。 2020年更多创新技术及成熟技术将在数据中心中被广泛采用。服务器芯片NAND FLASH也出现供不应求现象。5G通信和人工智能的发展，数据中心将进一步
2020-03-25 16:12:05854 
在20nm以下制程，该公司也将沿用此一发展策略，持续加强与IC设计公司合作，进一步提高生产效率与降低投资风险。
2020-09-08 14:11:272024 晶体管是器件中提供开关功能的关键组件。几十年来，基于平面晶体管的芯片一直畅销不衰。走到20nm时，平面晶体管开始出现疲态。为此，英特尔在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圆厂在16nm/14nm予以跟进。
2021-03-22 11:35:242075 【转载】更进一步的了解Keil Flash的下载算法
2021-11-26 16:36:111 使用FlashMemory作为存储介质。 根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND FLASH两类。主要的差异如下所示： NAND FLASH读取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
在20nm 工艺节点之后，传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量，NAND集成工艺开始向三维堆叠方向发展。在三维NAND
2023-02-03 09:16:578266 UltraScale是基于20nm工艺制程的FPGA，而UltraScale+则是基于16nm工艺制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 一、电介质的损耗 介质损耗是指绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。介质损耗也叫介质损失，简称介损。表征某种绝缘材料的介质损耗，一般不用W或J等单位来表示
2023-09-24 16:08:312299 一、电介质的电导 电介质的电导可分为离子电导和电子电导，离子电导以离子为载流体，电子电导以自由电子为载流体。 1、离子电导 实际工程上所用的电介质多少含有一些杂质离子，这些离子与电介质分子联系非常
2023-09-26 16:47:53809
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