嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子日前宣布，正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse，此技术瞄准先进工艺平台，具备硅智财组件尺寸小与保存能力佳等特点，可满足客户产品在先进工艺产品之进阶需求。
2013-05-20 10:03:10
1109 在今年即将于美国加州举行的国际电子组件会议（IEDM）上，来自三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取内存（MRAM）的最新发展。
2016-11-29 10:32:211308 晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。 台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。
2017-06-07 10:54:181577 
据台湾经济日报最新消息，联电（2303）与下一代ST-MRAM（自旋转移力矩磁阻RAM）领导者美商Avalanche共同宣布，合作技术开发MRAM及相关28纳米产品；联电即日起透过授权，提供客户具有成本效益的28纳米嵌入式非挥发性MRAM技术。
2018-08-09 10:38:123129 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储器，这使得 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越感兴趣。
2022-07-26 11:08:341864 
本文旨在讨论各种MRAM的技术路径，其中包括磁场驱动型、自旋转移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋轨道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、电压控制
2022-09-29 15:30:253452 3月25日，科技之巅·麻省理工科技评论全球十大突破性技术峰会在北京召开，该峰会是全球最为著名的技术榜单之一，峰会围绕十大突破性技术在中国落地性最强，并对目前最受关注的领域进行深入解读。2018年
2018-03-27 16:07:53
2020年全球十大突破技术，2018-12-28 08:11:39盘点这一年的核心技术：22纳米光刻机、450公斤人造蓝宝石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾构机“弃壳返回”、远距离虹膜识别
2021-07-28 09:17:55
MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
MRAM与FRAM技术比较
2021-01-25 07:33:07
问题是很难避免的。于是在实践中交叉点阵列间的尺寸长度不能超过一定的限度，这样单位面积上的单元数(密度)受到限制。虽然当前的半导体集成电路早已突破了这一尺寸极限值，但MRAM技术中如何突破有待时日。
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.
2021-01-01 07:13:12
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需
2022-02-11 07:23:03
产品会取代独立存储器目前各厂商已经基本掌握了用于实现第一阶段应用的关键技术。在车载MCU中,通常是将设备工作时使用的sram存储器和用于存放程序的闪存集成在同一块芯片上。如果能够将自旋注入MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
Everspin串口串行mram演示软件分析
2021-01-29 06:49:31
在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存储原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存储器运用于计算机存储系统中。MRAM因具有许多优点,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
MRAM技术进入汽车应用
2021-01-11 07:26:02
印刷电路板设计解决方案供货商明导国际(Mentor Graphics)，宣布推出一种突破性布线技术，这种业界首创的拓朴布线(topology router)技术，能把工程师知识、电路板设计人
2018-08-31 11:53:50
核心板用的赢鹏飞Com335x_II的128MRAM，nand flash版，底板自己设计的，之前操作移植没有问题，今天在测试io输出以后，重启系统发现无法正确从nand flash引导了，通过SD
2020-05-06 03:37:43
Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
2021-02-24 07:28:54
的先进技术，在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国，***和其他亚洲国家。 那Everspin MRAM内存技术是如何工作
2020-08-31 13:59:46
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
STT-MRAM技术的优点
2020-12-16 06:17:44
求大神详细介绍一下STT-MRAM的存储技术
2021-04-20 06:49:29
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋转矩MRAM技术
2020-12-25 07:53:15
flyingstart 即 捕捉再启动功能，电机在未完全停止的情况下，变频器仍可直接启动。使能flyingstart功能，变频器找到当前电机的转速，在频率范围内和电机耦合，即可控制电机达到指定频率
2021-09-03 07:50:32
windows内存管理技术是怎么回事
2012-06-09 18:04:30
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2020-12-31 07:15:20
TAS-MRAM概念从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
2021-03-03 06:10:33
（这是 一种直流链路已经完全崩溃的长时间电源中断）。设置参数参数功能设置P1210自动再启动此参数可对自动再启动功能进行配置。= 0: 禁止= 1: 上电后跳闸复位，P1211 禁止= 2: 电源掉电后再
2020-12-22 15:41:10
在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器(MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。
2019-07-16 08:46:10
有何布局？设计人员又将迎来哪些全新机遇与重重挑战？作为中国电子产业的一份子，你缺的是一个提供最新市场探析，展现技术全貌的平台。鉴此，电子发烧友团队倾情打造的《可穿戴技术特刊》将是你的最佳选择，在这里你
2014-03-06 08:56:06
、燃料电池、太阳能、锂离子电池、新材料应用、能源提取。站在媒体角度来看，2017年的上半年可以称之为技术的升级之年。无论是出行能耗的应用，还是能源制取，还是能源利用率上，新技术的聚焦点都在如何更快捷、低成本的提高新能源利用率上。这释放了一个非常明显的市场信号--能源市场的转型。中顺动力电池
2017-08-17 15:13:01
市场，受到了用记的一致好评，创造了良好的社会效益和经济效益。可以说，每一款产品都有特色，“河南全新”每一种电机软启动柜产品都是电机节电产品中的明星。河南全新软启动柜、软启动控制柜、软启动综合柜，技术上采用了液态
2011-08-04 14:14:05
在半导体技术中，与数字技术随着摩尔定律延续神奇般快速更新迭代不同，模拟技术的进步显得缓慢，其中电源半导体技术尤其波澜不惊，在十年前开关电源就已经达到90+%的效率下，似乎关键指标难以有大的突破，永远离不开的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪声，少有见到一些突破性的新技术面市。
2019-07-16 06:06:05
视频监控技术在火灾报警领域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II测试系统的测试技术研究，提出了采用magnum II测试系统的APG及其他模块实现对MRAM VDMR8M32进行电性测试及功能测试。其中功能测试包括全空间读写数据0测试，全空间读写
2019-07-23 07:25:23
MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式
2020-07-02 16:33:58
工研院与佳世达宣布签约，将共同开发下一代便携式超声波系统与芯片，期望能突破欧美日垄断的高阶医材技术，发展自主核心技术及专利，以带动ICT产业与高阶医疗器材整合。
2012-12-06 08:43:501289 MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构，在这当中最为关键的三层，上下两层为磁性层（一为参考层，一为自由层），中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列，并可由电流来控制旋转方向。方向相同
2013-07-09 09:33:461004 去年有报道称，苹果将在iPhone8上配备三星的存储芯片。今年四月，Patently Apple又报道称三星将为2018年的设备发布全新MRAM存储芯片，标志着一项技术性突破。
2017-07-01 10:46:22540 ， 台湾公平会重罚高通，高通当天就火速向台湾研发团队告知暂停一切合作进行事项。 工研院坦言，5Ｇ是重要的技术发展，高通突喊暂停，工研院研发脚步绝不可能停；
2017-11-27 06:20:41277 随着越来越多具成本效益的应用选择磁阻随机存取内存(MRAM)，不仅为其带来了成长动能，业界生态系统也开始支持这一新兴内存选择。
2018-05-15 09:24:494004 台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议（IEDM）中发表铁电存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。
2019-12-10 14:15:492685 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)，包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP（12nm FinFET）工艺来制造新一代STT-MRAM（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种高性能存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中，电子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化
2020-04-07 17:06:30459 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（MRAM设备是Spintronics设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持
2020-04-09 09:13:145683 在新型 RAM 技术中，MRAM对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗，同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17720 MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未
2020-04-08 15:01:55861 MRAM内存的Everspin开始向STT-MRAM发运最高1Gb的芯片容量，这种内存密度使这些设备在许多应用中更受关注。Everspin代理商英尚微电子提供产品技术支持及解决方案。 主要的嵌入式半导体制造商为工业和消费应用中使用的嵌入式产品提供MRAM非易失性存储器选项。这些铸造厂包括全球
2020-06-23 15:31:031004 市场份额。下一代MRAM技术（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替换最快的SRAM应用。 图1 内存制造过程
2020-07-13 11:25:581037 MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看，可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短
2020-07-20 15:33:52616 第一代MRAM是toggle MRAM，采取磁场写入数据的方式，其特点是容易设计制造，缺点在于尺寸大，难以微缩。
2020-07-23 11:32:573606 的领先趋势来增强动力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用，但STT-MRAM似乎已成为主流。 STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变
2020-08-04 17:24:263389 了基础。 1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下: 技术指标: 具有sram芯片的随机存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存储密度; 具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。 产品目标: 取代计算机的DRAM内存，
2020-09-07 18:19:335079 
写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。Everspin一级代理英尚微电子本文介绍MRAM与其他内存技术的相比较。 MRAM与内存 内存选项的比较与其他内存技术选项相比，MRAM具有明显的优势（下表1）。 表格1 MRAM与其他内存技术相比具有相对优势 Flash 这项技术
2020-09-18 14:25:181049 
Everspin MRAM内存技术是如何工作的？ Everspin MRAM与标准CMOS处理集成 Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。 MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到
2020-09-19 10:49:551437 经常有人将MRAM称作是非易失性存储器（NVRAM）未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM存储芯片是可以在掉电时保留数据并且不需要定期刷新。MRAM存储芯片利用磁性材料和传统的硅电路
2020-09-24 16:19:431266 的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战不断涌现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力，同时考虑了汽车应用的需求。要为嵌入式MRAM选择合适的内存测试和修复解决方案，设计人员需
2020-10-14 15:52:19536 
一段不短的时间进行启动才能正式使用，而无法像其他家电一样即开即用。然而MRAM却是一种全新的技术，甚至有望令PC的应用方式彻底改变。 一、断电也能保存MRAM技术精髓 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，所谓非易失性是指关掉电源后，
2020-10-27 13:59:12563 的非易失性，这的确是很诱人的，毕竟它让使用MRAM内存的电脑可以像电视或者收音机那样能够马上启动。除了MRAM，目前也有不少非易失性存储器，其中包括大家最为熟悉的磁盘〔硬盘、软盘）、Flash Memory（闪存）和EPROM。 作为内存储器，
2020-10-30 14:27:281188 安卓卡顿不卡顿，内存是关键，频繁清理后台的话又会导致常驻APP减少，所以在Mate40系列手机上，华为推出了全新的内存扩展技术，可以让内存的等效容量变大四分之一，8GB等效10GB，12GB等效14GB。
2020-10-30 15:55:587185 是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。此磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便
2020-12-09 15:54:192403 
MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10274 在 MRAM 这类内存写入时，组件的穿隧氧化层会承受的庞大电压，使得数据的保存、写入耐久性，以及写入速度三者往往不可兼得，必须有所权衡。这意味着即使STT MRAM技术已经接近成熟，其受到的限制
2021-12-11 14:47:44519 MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRA...
2022-01-26 17:59:13
1 高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle MRAM形式的成熟技术的阴影。
2022-01-26 18:46:465 在新型 RAM 技术中，MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 加速科技在厦门地区上演“帽子戏法”，与厦门工研院达成正式合作。
2021-05-12 09:51:17654 
作为一种磁性技术，MRAM本质上是抗辐射的。这使得独立版本在航空航天应用中很受欢迎，而且这些应用对价格的敏感度也较低。它相对较大，在内存领域，尺寸意味着成本。
2023-08-30 15:28:50407 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
2024-01-18 14:44:00838 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。
2024-01-18 16:44:044839 台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346
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