全球主要存储大厂最新动态及趋势

　　以手机、平板电脑及可穿戴设备等移动终端的兴起，不断侵蚀PC市场份额，人们对SSD的需求锐减，内存、硬盘亦是前行道路坎坷，然而，移动装置的盛行，为NAND Flash开辟了新的市场。面对新的市场，各大存储厂商也是各出新招，凭借自身优势抢占市场。

　　各大存储厂商动态

　　1）美光（Micron）开始样产SSD用16nm闪存芯片

　　7月17日消息，美光公司表示已经开始样产业内最小的128Gb（16GB）MLC闪存芯片。该芯片采用16nm的制程技术，比该公司的20nm工艺更加精细。美光声称，对于任何样产的半导体装置来说，该16nm制程工艺是“最先进的”。该公司计划在下一季度将16nm 128Gb的芯片带入量产（full production）阶段，当然，该芯片也将在明年推出的全新SSD产品家族中露面。闪存行业的制程竞赛又到达了另一个里程碑。

　　2）SanDisk与东芝合力扩建Fab 5，布局3D NAND技术

　　7月16日消息，SanDisk于日前表示，正与东芝（Toshiba）合力扩建位于日本三重县四日市的五号半导体制造工厂（Fab 5）第二期工程，并共同展开3D NAND记忆体技术的研发，为2D NAND Flash记忆体制程将于10奈米（nm）节点面临微缩瓶颈，预做准备。

　　据了解，五号半导体制造工厂第二期扩产工程，一方面将导入19奈米制程投产2D NAND Flash记忆体；另一方面则采用BiCS（Bit Cost Scalable）技术试量产3D NAND记忆体，该技术标榜具备高性能、低成本且架构可扩充性的优势，已于先前由东芝率先发表，而SanDisk已规画采用该项技术，生产3D NAND快闪记忆体产品，并预计于2016年投产首款3D NAND记忆体。

　　3）东芝启动Fab5第二期工程，为量产3D NAND铺路

　　7月8日消息，面对储存型闪存（NAND Flash）供货紧缩，以及2D NAND Flash将于10纳米制程面临微缩瓶颈，东芝（Toshiba）于近期宣布将于2013年8月底展开五号半导体制造工厂Fab 第二期建厂计划，以应未来NAND Flash扩产需求，并为日后投产3D NAND Flash预先做好准备。

　　为突破NAND Flash微缩关卡的主流技术，东芝正规划3D NAND Flash制程，东芝表示，未来将会有更多适用于3D NAND Flash的应用陆续出现，而五号半导体制造工厂扩产，将有助该公司提高市场竞争力，并迎合市场需求。

　　4）SanDisk收购SSD厂商SMART存储系统

　　7月3日消息，闪存公司SanDisk公司宣布，将收购SMART存储系统，交易价值约3.07亿美元。SMART存储系统作为企业级固态硬盘供应商，其母公司是SMART全球控股。此次收购是在西部数据WD收购sTec一周之后，企业级SSD厂商与基于闪存的存储系统再一次整合。

　　据悉，SMART 的专注于数据中心存储促使SanDisk公司的收购。此次收购可以让SanDisk应对一个16亿美元的企业级产品市场机会，并通过SATA对我们企业 SAS产品组合一个良好的补充。这次结合，SanDisk在全球范围内获得七个顶级存储厂商中的6个产品资格。

　　5）NAND Flash需求旺盛，美光扭亏为盈

　　6月21日消息，受益于DRAM及NAND Flash价格同步上涨，美光2013年会计年度第3季（3~5月）终于扭转连8季亏损态势而转亏为盈，税后净利0.43亿美元。对于下半年，美光高层认为，现阶段DRAM及NAND Flash市场供需已趋于平衡，下半年将呈现供给吃紧，其中特别看好NAND Flash市场旺季表现。

　　6）Microchip收购嵌入式存储IP厂商Novocell

　　6月9日消息，微控制器（MCU）厂商微芯科技（Microchip）已确认同意收购专营反熔丝嵌入式存储IP厂商Novocell Semiconductor。收购案最终通过Microchip一家全资子公司Silicon Storage Technology（SST）完成。Microchip截止目前仍没透露具体该收购案的收购价格。

　　Microchip高层透露，Novocell 将被收归SST麾下，从而成为SST全资子公司。未来SST将就Novocell相关产品组合和Roadmap进行投资。