最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示，长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存，明年开始逐步提升产能，预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。
2019-08-27 09:32:51
2672 9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151919 的堆叠NAND闪存 V-NAND实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠，并通过TLC实现了512 Gb（千兆位）容量。它计划于2020年投放市场，并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈
2019-11-25 09:52:316441 东芝推出全球首款注148层3D堆叠式结构闪存注2，该闪存容量达到256Gb（32GB），同时采用了行业领先的三阶存储单元（TLC）技术。这款全新闪存适用于各种产品应用，包括消费级固态硬盘（SSD）、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。据悉，样品将于9月开始发货。
2015-08-19 13:37:591707 目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 明年苹果iPhone将迎来十周年，届时将发布的iPhone 8将进行大幅升级，除采用了OLED曲面屏全新设计外，配置方面自然也会提升不少。考虑到今年iPhone 7和7 Plus都将存储提升至256GB，如果苹果再提升，明年512GB版iPhone就有望跟我们见面。
2016-11-21 10:39:181372 据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 1、三星宣布512GB eUFS3.1闪存已大规模生产，写入速度提升3倍 据ZDnet报道，三星电子宣布，已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存（eUFS） 3.1。这款新的闪存
2020-03-18 11:33:375189 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-20 10:02:323312 DTDUO3C/32GB/64GB闪存硬盘DTDUO3C/128GB全球记忆体模块龙头金士顿 (Kingston)亚太区Flash Memory业务总监苏治源表示，该公司NAND Flash产品去年
2022-02-10 12:26:44
快速向TB级推进，也将加快目前512GB容量PCIe SSD价格下滑的速度。据报价，PCIe SSD 512GB价格已下滑至48美金，2019年累计跌幅已高达23%。随着新一代SSD在2019下半年战局
2022-02-06 15:39:12
3.0 USB U盘 (512GB)，同时预告今年第一季将率先推出1TB(1024GB)版本，届时将会是世界上容量最大的U盘。此款U盘的最高读写速度可达每秒240MB/160MB，是Kingston
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是采用BiCS 4技术的QLC的存储芯片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。同时西部数据在他们的PPT中表示从
2022-02-03 11:41:35
工作者将高达10亿人。现今的行动工作者，希望能在极小、最轻便的机制上，享有越来越优异的产品效能和耐久力。SDCS2/512GBSDCS2/32GB-2P1ASDCS2/64GB
2022-02-08 11:17:32
的变化。 需求不足跌价成必然2018年NAND闪存之所以大降价，一个关键原因就是64层堆栈的3DNAND闪存大规模量产，实现了从32层／48层堆栈到64层堆栈的飞跃，使得NAND闪存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
STM32F4的USB端口能读写512GB的UFS卡吗？
2024-03-28 06:42:15
三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:041005 金士顿发布512GB新品固态硬盘
金士顿今天发布了新款SSDNow V+系列固态硬盘，容量达到512GB。虽然原本印象中SSDNow V系列以低价面向固态
2010-01-27 09:22:02660 11月21日消息，目前苹果iPhone手机最高存储容量为256GB。现在有微博网友爆料，苹果将在明年将iPhone8高配版存储容量升级为512GB。
2016-11-21 17:54:063043 如今，不少手机都不能拓展内存，用户在使用时，可能会遇到过存储空间不足的情况，只能不断删文件清出空间。为了解决这一问题，台湾某厂商就推出了一款UFS 2.1主控制器，最高可搭配512GB闪存。
2017-03-13 14:38:521144 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 据外媒NEOWIN报道，英特尔今天宣布推出SSD 545s固态硬盘，它是主流的SATA驱动器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64层3D TLC闪存。 这是世界上首款可供商用的64层3D NAND SSD产品，且目前仅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选？
2017-08-01 10:21:1396142 
东芝在SSD技术上已经是领先各大厂商，东芝对于64层堆叠设计的3D TLC闪存真是爱的太深，产品布局之神速令人惊叹。现在又将64层堆叠设计的3D TLC闪存带到了企业及产品上，得益于这种高容量堆叠
2017-08-08 15:56:272744 尽管不少用户对TLC的寿命和稳定性都保持谨慎的态度，但东芝将TLC应用到企业级，却也表达了东芝对TLC的信心。继主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、单芯片的BG3之后，就在近日，东芝再将64层堆叠设计的3D TLC闪存带到了企业级领域，而这也是全球首次。
2017-08-09 15:53:564419 512GB和1TB的版本均采用TLC闪存，走PCIe 3.0 x4通道，最高连续读取3200MB/s，最高写入2400MB/s；4K随机最写入440K IOPS，最高读取380K IOPS。
2017-10-16 11:03:254169 三星512GB UFS闪存开始量产，它具有860MB/s读取速度和255MB/s写入速度，它的存在必将灭亡手机存储卡。
2017-12-05 14:21:281953 三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441513 苹果之前向外宣布明年的新iPhone将会进行扩容到512GB储存容量，不久后就有网友爆出中国厂商已经率先为iPhone加512GB存储，抢先苹果官方一步，还表明升级512GB 容量并不太复杂。
2017-12-10 09:59:519806 在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技术，Intel的单Die升级到了512Gb，不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。
2017-12-25 15:18:453696 据报道最大容量512GB的microSD存储卡终于开始发售，该卡支持Video Speed Class 10即V10标准，满足10MB/s写入速度，可用于一般的电子移动设备。
2018-01-23 16:06:442136 日前，东芝（TOSHIBA）、西数（WD）等存储器大厂分别宣布推出 96 层堆栈的 QLC 快闪存储器，核心容量可达 1.33TB，单一模块就可做到 2.66TB 容量。不过因 QLC 快闪存
2018-07-26 18:01:002759 日前，英国一家名为Integral Memory的公司，推出了全球首款512GB TF存储卡。
2018-06-01 15:10:005350 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 由于NAND闪存价格上涨，SSD普及的道路走的异常艰难，同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存，把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点，具有极高的性价比和极强的市场竞争力，或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:365391 的3D TLC闪存以及QLC闪存，其中TLC闪存阵容扩大，多款新品性能提升，容量最大可达30.72TB，而QLC闪存无疑是下一步的重点，除了1Tb核心的还会有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消费
2018-10-18 17:33:006571 趋势看，128GB、256GB、512GB容量的机型也层出不穷，闪存容量高达1TB的机型也出现过，因此存储卡的作用与需求将越来越小，从三星的512GB的存储卡目前只上架不发售的情况看，似乎有炫技的意图在里面。
2018-11-02 14:42:434062 支持64层3D QLC后，现已全面支持最新96层3D NAND闪存颗粒。此次发布的96层3D TLC NAND闪存固态硬盘解决方案，客户无需修改硬件，为客户快速量产提供了极大的便利性。联芸科技最新发
2018-11-19 17:22:318411 日前有消息称紫光纯国产的SSD硬盘就要上市了，使用是他们研发生产的64层堆栈3D TLC闪存，P/E次数可达1500次，这个技术及规格在主流SSD中已经不低了。
2019-03-15 10:38:455883 国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:122056 据Digitimes报道，长江存储（YMTC）将于年底前投入64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动，目前良率已经实现了显著爬升。
2019-05-08 09:18:443189 随着3D闪存的问世，固态硬盘的容量一直在提升，同时SSD主控技术也在进步。早在850 PRO和850 EVO这一行业首个使用V-NAND技术的消费者固态硬盘，当时用的还是MHX主控，闪存则是从32层堆栈升级到了48层堆栈。
2019-05-09 11:25:2626064 目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
2019-05-16 10:18:143966 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:003069 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端产品。该机配备6.4英寸显示屏，后置三颗摄像头，包括一个主摄像头、一个景深镜头和一个广角镜头；配备4000mAh电池，辅以64GB存储，支持512GB最大扩容。
2019-06-12 16:44:443317 今年早些时候，西部数据发布了WD Black SN750、闪迪Extreme Pro M.2 NVMe 3D两个系列的新品SSD，都基于西数自研主控、64层3D TLC闪存颗粒，元器件、性能、软件都
2019-07-15 09:52:036449 2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:504051 紫光旗下的长江存储迈出了国产闪存的重要一步，已经开始量产64层堆栈的3D闪存，基于长江存储研发的Xstacking技术，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
2019-09-17 11:45:194095 9月19日晚上20点，Redmi最强旗舰K20 Pro尊享版将正式发布，官方最新预热海报显示，新机将搭载512GB超大存储空间。
2019-09-18 11:48:315657 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光旗下的长江存储迈出了国产闪存的重要一步，已经开始量产64层堆栈的3D闪存，基于长江存储研发的Xstacking技术，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949 紫光集团旗下长江存储正式宣布，公司已开始量产基于Xtacking？架构的中国首款64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-10-08 11:29:181727 今年一季度，紫光旗下的长江存储（YMTC）开始投产 64 层堆栈 3D 闪存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月产能仅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 国产存储芯片终于“抬起了头”。
在被美日韩掌控的存储芯片市场上，终于有中国公司可以杀进去跟国际大厂正面竞争了。据报道，今年一季度，紫光旗下的长江存储（YMTC）开始投产 64 层堆栈 3D 闪存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月产能仅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767 2019年智能手机的闪存容量进一步提升，中高端手机基本上是128GB起步，高端会上512GB，个别产品顶配直接上1TB容量了。按照这个趋势下去，明年1TB容量的手机会更多，因为SK海力士现在已经开始出货1TB UFS 3.1闪存给手机厂商，堆栈层数达到了128层。
2019-11-21 08:53:08776 如同HDD硬盘中的SMR技术一样，QLC闪存现在也有人人喊打的趋势，究其原因就在于QLC闪存性能、可靠性比TLC闪存更差，但是现在的价格还没有达到预期。对厂商来说，六大原厂今年都量产了QLC闪存，不过西数认为QLC闪存要到1XX层时才会爆发。
2019-12-10 09:42:151116 为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB？
2019-12-17 09:55:3518017 为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB？
2019-12-17 09:59:537203 在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-08 08:41:5212167 在CES展会上，SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存（本质还是3D闪存，4D只是商业名称），已经用于自家的PCIe硬盘中，这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的，预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-08 10:34:135597 长江存储确认自主研发的64层已经在去年投入量产(256Gb TLC)，并正扩充产能，将尽早达成10万片晶圆的月产能规模。
2020-01-17 15:06:232412 西数公司今天正式宣布了新一代闪存技术BiCS5，这是西数与铠侠（原来的东芝存储）联合开发的，在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈。
2020-02-06 15:13:363554 今日，三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存，可用于手机、平板等。
2020-03-17 11:45:262694 三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片，其连续写入速度超过1.2GB/s，是其前代产品写入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143844 3月18日消息，据国外媒体报道，三星电子日前公告称，该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片，适用于旗舰智能手机。
2020-03-18 17:01:052969 今年初，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔曾公开表示，长江存储将跳过如今业界常见的96层堆叠闪存技术，直接投入128层闪存的研发和量产工作。
2020-04-08 16:38:211265 在今年，全球闪存厂商都在集体奔向100+层，例如SK海力士的128层已经稳定出货，并计划在年底推出196层内存，三星、镁光、西数、Intel也都已经突破了百层。近期，国内长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，将跳过96层，直接投入128层闪存的技术研发和量产。
2020-04-11 16:47:514000 128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830 对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。
2020-04-20 09:25:073912 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。 据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321786 今年的iPhone 12系列总计有64GB、128GB、256GB和512GB四种容量，从国内外的情况来看，尽管首波仅上市了两款，可销量着实恐怖。
2020-11-05 09:32:351517 SSD硬盘，之前他们也有一些移动硬盘之类的产品，但不是重点，现在SSD硬盘会是发力的关键了，今年9月份宣布了全新的朗系列SSD硬盘，目前已经上市。 朗系列SSD是2.5寸SATA规格的，但是闪存及主控全是国产的，其中闪存是长江存储的3D闪存， 64层堆栈、TL
2020-11-13 14:54:243214 叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb（64GB），当然后期很可能会加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技术，而且176层闪存已经量产并出货了，已经用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD，明年还会发布更多新产品。 在176层闪存技术上，美光
2020-11-14 10:01:202368 、512GB，那么这两种情况下SSD有什么区别，厂商为什么要隐瞒部分SSD容量呢？ 针对这个现象，长江存储旗下的致钛科技今天继续科普SSD硬盘，这次就谈到了SSD足容的问题。 首先，闪存颗粒在设计的时候都是以2的幂次方来设计的，比方说256GB、512GB等，所以依托于闪存颗粒进行
2020-12-01 16:24:3612229 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:272200 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:233708 12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。
2020-12-08 11:01:412103 2020年闪存继续降价，SSD硬盘也一路下滑，1TB硬盘也成了很多人装机的选择。马上就要到2021年了，业界预计明年QLC闪存会更普及，其性能、可靠性等指标已经追上TLC闪存，堆栈层数也全面迈向100+层。
2020-12-25 10:00:135908 100+层。 这么多年了，大家都知道了SLC、MLC、TLC及QLC闪存类型的区别，QLC闪存量产上市才2年左右，但是发展很快，因为它的容量、成本优势最大，消费者不爽的主要是性能差，尤其是缓存外性能不如HDD硬盘，还有就是可靠性差，担心会挂。 前不久Intel发布了144层堆栈
2020-12-25 10:50:252768 2020年闪存继续降价，SSD硬盘也一路下滑，1TB硬盘也成了很多人装机的选择。马上就要到2021年了，业界预计明年QLC闪存会更普及，其性能、可靠性等指标已经追上TLC闪存，堆栈层数也全面迈向100+层。
2020-12-25 14:30:332242 2019年长江存储国产的64层闪存开始量产之后，2020年他们又带来了128层闪存，2021年则会带来192层闪存。 日经新闻亚洲版报道称，中国闪存厂商长江存储正在加速扩张闪存产能，计划在2021
2021-01-12 14:37:427344 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。 各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-19 18:03:412917 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。
2021-02-20 10:40:582714 据供应链消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存储容量将从 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20892 今日，作为先进内存技术的厂商，三星宣布开发出三星首款512GB内存扩展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商业化迈出了重要一步，CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。
2022-05-10 10:16:082306 美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 搭载 MediaTek 天玑 8100 5G 移动平台，兼具澎湃性能与冰封能效；LPDDR5 + 512GB 超大存储组合，处理速度大幅提升；144Hz 高配 LCD 屏幕，畅享高配护眼视觉
2022-10-27 09:57:186528 三星电子计划从今年第四季度开始生产128gb和256gb产品，并生产512gb产品。256gb产品的连续读取速度为2000兆/秒，连续写入速度为700兆/秒。
2023-07-14 11:33:521477 据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下nand闪存的库存缓慢，很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:241963 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 据了解，日本存储巨头铠侠于近日宣布推出全新第四代UFS 4.0闪存颗粒。该系列闪存包含256GB、512GB及1TB三种容量版本，主要面向高端智能手机等新一代移动设备领域。
2024-04-23 14:28:522415 Lexar NM620 512GB SSD PCIE3.0 X4测评
2024-06-16 14:30:501833 
intel 660P SSD PCIE 3.0X4 512GB测评
2024-06-16 14:32:492191 
融合现有存储单元与先进的 CMOS 技术，实现投资效益最大化 全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样 （1
2025-07-28 15:30:20574
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