9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064 英特尔(Intel)与美光科技(Micron)日前发表新型非挥发性记忆体技术──3D XPoint,该种记忆体号称是自1989年NAND快闪晶片推出以来的首个新记忆体类别,能彻底改造任何装置、应用、服务,让它们能快速存取大量的资料,且现已量产。
2015-07-30 11:38:161044 目前NAND闪存需求依然居高不下,厂商也有动力扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 比NAND闪存更快千倍 40纳米ReRAM在中芯国际投产引起业界关注!曾经一度大举退出内存生产的中芯国际,为何锁定瞄准ReRAM?主要原因在于ReRAM应用在物联网(IoT)装置拥有愈长的电池续航力,一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。
2017-03-01 09:54:151191 国产手机势头越来越强劲,把三星和苹果的市场份额抢占不少,但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失,就比如闪存芯片,这基本上被韩国厂商垄断了。近日,高启全接受媒体采访时表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 电子发烧友早八点讯:三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325876 快一些。● NAND的写入速度比NOR快很多。● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。在需要使用的场合,还得考虑到NAND FLASH 有SLC 、MLC 、TLC。MLC和TLC产品可以轻松
2020-11-19 09:09:58
Nand flash是flash存储器的其中一种,Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快
2020-11-05 09:18:33
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
NAND 比NOR 便宜;NAND 的容量比NOR 大(指相同成本);NAND 的擦写次数是NOR 的十倍;NAND 的擦除和写入速度比NOR 快,读取速度比NOR 稍慢;1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
正在研究的30 多种不同的非挥发性内存技术,一些技术已有小批量出货。四种领先的技术提供了多方面胜过闪存的优势,如读/写速度快 100倍、可写次数明显更高,它们是相变内存(PCM或PRAM)、铁电随机存取
2014-04-22 16:29:09
,IFFT.
2. 如果仅考虑32BIT的定点DSP运算,比如FIR,DFFT,IFFT等,ADSP-CM403BSWZ-CF(240Mhz)和ADSP BF518(400Mhz)相比到底谁速度快?
2024-01-15 06:04:12
一般地址线和数据线共用,对读写速度有一定影响;而NOR Flash闪存数据线和地址线分开,所以相对而言读写速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空
2014-04-23 18:24:52
据线共用,对读写速度有一定影响;而NOR Flash闪存数据线和地址线分开,所以相对而言读写速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空,然后再写入,也就
2013-04-02 23:02:03
QN9080量产时闪存编程指南
2022-12-14 06:13:01
一般可通过PAD连接闪存,比如Cadence公司的Octal-SPI NAND Flash controller, 支持8-bit的数据和地址传输,这样的速度会比传统的单比特串行SPI快很多。因为
2022-07-01 10:28:37
USB 3.0相对于USB 2.0数据传输速度快上10倍?
2021-05-24 07:24:18
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑
方案:银灿IS902E, 比市场上普通USB3.0 902速度快且兼容性更好.理论寿命: SLC 10万次以上写速度:同一
2012-06-16 10:09:48
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我对内存使用有一些疑问: XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存?如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动,则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表,斯巴达6家族有广泛的第三方SPI(高达x4)和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是,如果它支持NAND闪存,我不太清楚吗?我想构建和FPGA + ARM平台,我当时
2019-05-21 06:43:17
用LaVIEW的vi保存数据的时候为什么没有调用Windows的dll函数保存文件速度快?解答:这是因为LabVIEW在向硬盘写数据的时候会通过LabVIEW的Run-Time Engine
2009-05-26 09:34:44
oled0.96寸屏spi和i2c驱动那个刷屏速度快
2023-09-25 08:21:47
是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到
2015-09-14 21:19:54
一次可以发送接收10G文件的工具速度快大家是否因为自己不能给异地的朋友传送大容量文件而苦恼过呢?是否因为传输速度太慢而郁闷过呢?现在就来试试看吧数据快递这款软件吧,它能帮你实现你所要的。1.传送方法
2008-08-20 17:02:54
东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块,这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品,包括手机和数码相机,样品将于2008年9月出厂,从第四季度开始量产
2008-08-14 11:31:20
为什么DSP硬件乘法器和哈弗总线运算速度快?为什么MCU、DSP和FPGA会同时存在?
2021-10-22 06:48:33
你好我想用7系列收发器IP,但我不知道为什么GTX可以高速运行?为什么GTX收发器的速度比基本的IOB快?
2020-08-13 10:31:42
当我在 401re 上使用由SPINFamily工具生成的powerstep01_target_config时,速度配置文件的运行速度比在SPINFamily工具上运行的速度快 10 倍。我也改变
2022-12-19 08:37:26
`在看C专家编程的时候, 上面有一幅图,整理的是内存媒介的速度,与成本的关系说明, 这里我在网上找了一张说明更为细致的图:那为什么寄存器的速度会比内存快?Mike Ash写了一篇很好的解释,非常通俗
2015-12-27 10:19:01
采用霍尔传感器测量电机转速为什么测量显示的速度比实际速度大十倍左右??求大神答疑解惑,感谢感谢
2019-10-30 21:20:48
,它将在应对千倍(1000x)移动数据挑战中发挥关键作用。那么什么是MuLTEfire?为什么说它性能堪比LTE呢?
2019-08-01 06:09:22
请问使用c语言给单片机编写的程序在运行的时候if语句运行的快,还是switch语句执行的速度快?在优化之前的人写的程序,有人看到程序中使用了大量的if条件判断语句,就说这个程序运行的效率低,写的不好!说switch语句好,执行效率高。请问是这样吗?但是我觉得对于单片机来说是不是都差不多呢?
2023-11-08 06:55:33
,优化了控制器,这些产品还提供更快的读/写速度。读取速度提高约8%,而写入速度提高将近20%。 市场对于能够支持智能手机、平板电脑等应用的NAND闪存的需求继续增长。带控制器的嵌入式内存尤其供不应求,因为
2018-09-13 14:36:33
的变化。 需求不足跌价成必然2018年NAND闪存之所以大降价,一个关键原因就是64层堆栈的3DNAND闪存大规模量产,实现了从32层/48层堆栈到64层堆栈的飞跃,使得NAND闪存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
解决方案。NOR Flash的传输效率很高,但写入和擦除速度较低;而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点,在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力
2019-07-19 07:15:07
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器(我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器)。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr?我走对路了吗?
2022-12-20 07:17:39
我在用LTspice做电源仿真的时候,我发现仿真的速度很慢,该如何设置LTspice来让仿真的速度快一些,thanks
2024-01-05 07:03:07
NAND闪存技术已经远离ML403板支持的CFI兼容性,您无法再找到与Xilinx为ML403板提供的闪存核心兼容的闪存芯片。我目前的项目仅限于Virtex 4平台,由于速度需求,不能使用带有MMC
2020-06-17 09:54:32
在 CPU 上推断出 FP32 模型格式和 FP16 模型格式。
FP32 模型格式的推断速度比 FP16 模型格式快。
无法确定推断 FP32 模型格式的原因比 CPU 上的 FP16 模型格式快。
2023-08-15 08:03:04
这种新型传感器是由新加坡南洋理工大学的研究人员研制的,它对可见光和红外线都高度敏感,这就意味着它可以用于尼康品牌的所有产品。这种传感器对光线的敏感度超过现在摄像机所使用的成像传感器千倍,这都
2013-06-04 17:30:00
`检测颗粒热值的设备哪种程序计算正确速度快?检测颗粒热值的设备哪种程序计算正确速度快?【英特仪器】138 3923 4904测量榆木杨木枣木颗粒大卡的设备,检测花生皮秧颗粒压块热值机器,测试玉米芯棒
2019-07-13 12:34:59
课题做的FPGA图像处理,导师让查资料找方法证明FPGA图像处理的优点,为什么速度快。我实在找不到方法证明。特向大神们求助,谢谢!
2015-10-24 11:13:12
用FMSC读取flash的速度快还是用QSPI的速度更快
2023-10-12 07:11:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 编辑
看USB3.0与SATA哪个速度快
2012-08-20 19:01:16
,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些
2022-06-16 17:22:00
的实现提供了廉价有效的解决方案。 Nand flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而应用越来越广泛,如嵌入式产品中包括手机、数码相机、U盘等。 (2)Nor
2023-02-17 14:06:29
三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术,据三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布,继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品,并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081045 镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别,他表示镁光今年年中将开始批
2010-03-04 11:02:511088 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在:
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型,其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 于NAND闪存的固态盘凭借其体积小、非易失性、访问速度快、可靠性高以及功耗低等诸多优点,能较好缓解I/O性能瓶颈问题,已经逐渐成为研究热点。但是由于写前擦除特性和擦除次数
2011-09-21 16:53:2090 介绍了一种最新DDR NAND闪存技术,它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制,提供更好的读写速度,以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法
2011-12-15 17:11:3151 苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层,256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍,单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存,这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 的存储,这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%。
2017-04-12 01:07:11991 现在,西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存,其使用的是新一代BiCS 4技术(下半年出样,2018年开始量产),除了TLC类型外,其还会支持QLC,这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 武汉建设NAND工厂,预计今年内量产,据悉国产NAND闪存是32层堆栈的,是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。
2018-05-16 10:06:003750 随着移动设备、物联网应用的兴起,对于节能的数据储存与内存技术需求日益增加。 目前的内存技术以DRAM与NAND闪存为主流,但DRAM的读写速度快无法长时间储存数据;NAND Flash能保存数据, 但读写速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 DVEVM可以启动或(默认),与非门,或通用异步接收机/发射机(UART)。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层(FTL)软件让它访问;然而,由于它的价格低,速度快,寿命长,许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况,三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒,堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167 ,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底就要大规模量产了。
2018-08-03 16:15:031188 此前,XJTAG 推出了一类集成型XJFlash特性,使闪存编程速度快50倍。 XJFlash 让工程师自动生成定制的编程解决方案,克服采用边界扫描对与FPGA连接的快闪内存进行编程时的速度
2018-09-20 07:28:002690 从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 出样40nm ReRAM存储芯片,更先进的28nm工艺版很快也会到来,这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍,耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:162811 科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
2018-11-23 08:45:2812115 由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2019-04-17 16:32:345462 国产存储芯片再下一城,日前有产业链方面的消息称,中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片,这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:121582 现在,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 近日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产,将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
2019-09-17 11:45:193516 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 美光宣布,已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 在CES展会上,SK海力士正式宣布了128层堆栈的4D闪存(本质还是3D闪存,4D只是商业名称),已经用于自家的PCIe硬盘中,这是六大闪存原厂中第一个量产128层堆栈闪存的,预计三星、西数、东西都会在今年跟进100多层的闪存。
2020-01-10 14:23:27640 无论消费者还是企业机构,大多数人在谈到闪存时,首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲,NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度,使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 我们都知道,构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存,目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营,今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 在为期三天的 2020 年虚拟闪存峰会期间,NEO 半导体首席执行官兼创始人许志安(Andy Hsu)进行了详细的演讲,介绍了该公司全新 X-NAND 闪存架构,该架构有望将 SLC 闪存的速度
2020-11-15 09:27:402041 根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 该NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在NAND闪存的应用中,程序/擦除周期存在一个限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块将变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 在NAND闪存的应用中,编程/擦除周期存在限制,称为“P/E周期”。在NAND闪存中,当每个块的P/E周期达到最大值时,这些块变得不可工作,需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时,此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 NAND闪存,所有主要闪存制造商都在积极采用各种方法来降低闪存的每位成本,同时创造出适用于各种应用的产品。闪存制造商还在积极展开研究,期望能够扩展3D NAND闪存的垂直层数。虽然15nm似乎是NAND闪存目前能够达到的最小节点,但开发者
2023-07-18 17:55:02486 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 中芯国际方面表示:“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点,已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07266
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