存储芯片市场洗牌，谁将是最终赢家？ - 全文

从去年下半年开始，固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就缓步增长，而在三星Note7接连自燃事件之后，固态硬盘、内存条的价格更是堪称疯涨。在去年第四季度，动态随机存取记忆体（DRAM）现货价持续攀高，DDR4 4Gb存储芯片最近的现货均价已达3.347美元，涨幅达18%，创18个月来新高。镁光公司的NAND Flash 64GB MLC颗粒涨幅超过25％。在京东商城上内存的价格相对于去年年中也普遍上涨了三分之一。

而存储芯片价格之所以持续攀升，除了国外大厂因为技术升级出现意外导致产能吃紧之外，中国存储芯片基本依赖进口也是存储芯片大幅涨价的原因。

存储芯片市场被少数国际大厂垄断

存储芯片中比较常见的是NAND Flash和DRAM。NAND Flash闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NAND Flash。DRAM是动态随机存取存储器，只能将数据保持很短的时间，而且关机就会丢失数据，电脑上4G/8G/16G内存采用的就是DRAM。

目前，NAND Flash市场被三星与东芝联合的Toggle DDR阵营和英特尔与镁光为首的ONFI阵营把持，三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额，其中三星是领头羊，市场份额约38%。

而在DRAM市场，三星、SK海力士、镁光占据了主要市场份额。在2016年第四季度，三星的市场占有率达47.5%，SK海力士的市场份额为27.3%，镁光的市场份额为19.4%。相比之下，市场份额排名4-6的台系厂商的市场份额就比较有限了，南亚科的市场份额为3.1%，邦华电子和力晶科技的市场份额分别为1.3%和0.8%。

可以看出存储芯片供应商被牢牢把持在少数几家厂商手中，而且有着赢者通吃的现象，这对处于市场份额占据优势地位的国际大厂非常有利，对于追赶者来说就很不利了。

技术升级和新产品瑕疵等因素助推价格持续上涨

在存储芯片市场被国外垄断的情况下，最大的影响就是相关产品上价格波动大，以京东商城上的内存条价格为例，在去年年中DDR4-2400 8GB的内存价格在300左右，但如今不少品牌的DDR4-2400 8GB的内存价格已经超过400元，像金士顿的 Fury系列DDR4-2400 8GB内存价格为479，而Savage系列 DDR4 2400 8G 内存价格为549。金士顿的DDR4-2400 16GB*2套装内存的价格更是高达1899元。虽然也有一些品牌的标价要便宜一点，但在京东自营店中都显示为缺货。

不仅京东上的内存条价格高昂，即便是某些电子产品大国的内存价格也在涨。根据日本媒体报道，在3月25日，日本秋叶原地区DDR4-2400 16GB*2套装内存的最低价格为25704日元（约合1600元人民币），而基本上多数店家的报价都在28000-29000日元之间，相当于去年夏天时的两倍。DDR4-24004GB*2套装内存的价格也在过去的一个月中创造了最高涨幅，平均价格升到了7234日元（约合450元人民币），涨幅达到了15%。

而造成这一情况的原因很大程度上是因为三星、镁光等国际大厂在升级技术后生产的新产品出现瑕疵而不得不召回。

据媒体报道，在三星和镁光将DRAM的制程升级到10+nm之后，三星的18nm DRAM和镁光的17nm DRAM都出现了瑕疵。根据PC整机厂的测试，三星的18nm DRAM装机后会导致系统出错及出现蓝屏当机情况，业界估算三星为此不得不回总数达10万条DRAM模组。但即便召回之后，重新出货的产品依然存在瑕疵，并导致PC整机厂的不良率攀升。

镁光在将25nm升级到17nm之后，也出现与三星类似情况的良率问题——镁光的17nm DRAM由于设计及制程上均与25nm DRAM有较大差异，目前的良率连一半都很难达到，为此镁光还要求客户暂停所有认证程序。

而三星和镁光恰恰是DRAM的主要供应商，而其产品存在瑕疵加剧了供应链吃紧情况，像南亚科今年前三季产能已被预订一空……在这种情形下，2017年内存条继续涨价已然是定局。

三星成为存储芯片上涨的大赢家

在去年，虽然三星因为Note7接连自燃事件蒙受了巨大损失，但在去年年底存储芯片和屏幕等零件大幅涨价的情况下，三星反而大赚了一笔。

由于之前三星评估手机市场处于饱和状态，而消费级PC市场对NAND Flash需求也并不大，再三权衡之后三星选择了停止扩建计划，而与此同时，三星、苹果、步步高、华为、小米等几大手机厂商都在抢NAND Flash产能，进而导致供应链非常紧张，NAND Flash价格疯涨也就水到渠成。为此，以性价比著称的小米手机还不得不发布公告，表示因元器件价格上涨，不得不将红米4和红米4A价格提升100元。

在NAND Flash和DRAM价格持续增长的大背景下，三星获利颇丰。据研究机构DRAMeXchange的研究显示，2016年第四季全球DRAM总体营收大幅增长约18.2%，考虑到三星在去年四季度DRAM市场高达47.5%的市场占有率，称三星为DRAM涨价的最大赢家也不为过。

在2016年第四季度，即便因Note 7事件导致三星遭受了巨额损失，带来超过60亿美元的损失，但三星却越活越滋润。

根据三星发布的2016年第四季度初步财报显示：受存储芯片价格上涨和OLED显示屏出货量的增长推动，2016年四季度三星电子运营利润78亿美元，同比增长50%，创三年新高。韩国券商HMC Investment Securities分析师格雷格·罗表示：“三星电子第四季度的业绩让市场感到惊讶……存储芯片和OLED业务当然是最大的功臣。”

之前就有媒体报道，去年年底的存储芯片大幅涨价，是三星为了填补Note7接连自燃以及随后的召回事件造成的巨额经济损失，而首先挑起的。虽然这种说法真实与否有待验证，但从客观事实上看，去年4季度的存储芯片等元器件大涨价不仅使三星没有因为Note7事件伤筋动骨，反而日子过得还挺好。

跨国并购国外存储大厂难度很大

一直以来，西方国家在高科技上对中国严防死守，即便是存储芯片这种技术含量并不算太高的业务，国外政府也对中国严格限制。紫光曾经试图收购镁光和曾经试图通过收购西数进而收购闪迪的做法都最终夭折。

而最近东芝出售储存业务也对中国买家差别对待。根据日本朝日新闻报道，日本政府开始研议，如果是售给大陆或***的企业，将根据外汇及外国贸易法劝告东芝中止或重新考虑。外汇及外国贸易法是海外企业或投资人要收购日本半导体等业务时，有义务事前接受政府的审查。审查的结果，日本政府若认为有损“国家的安全”或“公共秩序”，可劝告卖方变更交易或中止交易，并发出强制令。

日本政府认为，东芝将出售的NAND 型快闪存储也被用于日本的企业、政府机关的资料中心，如果被破坏，很可能造成机密外泄，因此日本经产省将慎重审查。

但其实上，只要用于制造固态硬盘的NAND Flash本身是质量过硬的，那就几乎不存在安全风险，相比之下，固态硬盘采用的主控芯片是否存在后门才是有可能机密资料泄密的罪魁祸首。因此，日本以国家的安全为名禁止东芝将存储芯片业务出售给大陆或***的企业，其实是站不住脚的，日本政府此举，背后政治因素的成分更大——比如日本政府的经产省官员就曾表示，东芝公司可以卖给苹果这样的美国公司，但中国公司是不行的。日本经济同友会代表干事、东芝社外董事小林喜光就表示，西部数据等美国企业将是东芝半导体的合适买家。

投入巨资发展中国的存储产业

因此，想通过跨国并购获得先进技术的难度显然是比较大的，从境外挖人才投入巨资发展本国存储产业才是当下最合适的选择。

日前，紫光集团和国家开发银行、华芯投资管理有限责任公司分别签署了《“十三五”开发性金融合作协议》和《战略合作协议》。这项协议的内容显示，在“十三五”期间，国家开发银行将为紫光集团提供各类金融产品及服务，意向支持紫光集团融资总量1000亿元；作为国家集成电路产业投资基金唯一管理机构，华芯投资拟对紫光集团意向投资不超过500亿元人民币，重点支持紫光集团发展集成电路相关业务板块。

国家开发银行北京分行行长 徐明（左） 紫光集团董事长 赵伟国（右）

这是继2015年国家集成电路产业投资基金以股权投资方式给予紫光集团总金额不超过100亿元人民币支持，国家开发银行与紫光集团在各类金融产品上的意向合作融资200亿元之后，紫光集团又一次获得天量融资。

众所周知，紫光集团在南京和武汉分别掷出千亿级投资建设了存储工厂，而本次紫光从国家开发银行、华芯投资管理有限责任公司获得的1500亿融资，很可能就是为了帮助紫光解决部分存储芯片工厂的资金问题。

根据境外媒体报道，在人才方面，中国***的半导体人才已然成为大陆猎头瞄准的对象。由于镁光接手华亚科之后，人事和薪资上的调整，使得华亚科内部人心不稳。加上中国大陆的高薪聘请（据媒体报道是***的薪水乘以2或者乘以3 ），已经有上百位华亚科工程师集体跳槽中国紫光集团所属的长江存储和安徽合肥的存储工厂。在不久前，还有离职的华亚科前员工携带资料去大陆的某存储公司，回***后立即遭到调查局搜索的传闻。

不过，上述消息只是海峡对岸的传闻，紫光集团副总裁叶铭表示，挖人不是事实，对紫光集团旗下的长江存储在***挖人的内容完全否认。长江存储也否认在台抢人。

虽然中国大陆存储厂商是否在台抢人目前来看还是一个罗生门，但国家投资，海外挖人的总体思路是对的。在可行性上，比某奉行“贸工技”的大公司总是花大价钱从海外收购一些冷炙残羹要强得多。笔者也期待，中国存储产业能像面板产业那样在国家意志下茁壮成长，摆脱国外厂商的垄断和掣肘。