与中端千元机在闪存上拉开了较大差距，UFS 2.2的出现将有助于改善这一现状。 相比UFS 2.1，UFS 2.2最大的特点是加入了WriteBooster写入加速，而写入速度的提升可以带来应用更快的启动
2020-08-22 08:55:00
11655 所谓闪存事件是指由于有网友测试华为P10闪存读写速度有低档为300MB/s左右，中档为600MB/s左右，高档为800MB/s三档，后猜测华为P10内存有EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1三种使用情况。
2017-05-18 06:00:003484 写入速度是之前的512GB eUFS 3.0的三倍，达到每秒1200 MB。三星表示，与使用固态硬盘或MicroSD卡的传统个人电脑相比，这将大大加快智能手机的数据传输速度。新一代闪存的串行读取速度
2020-03-18 11:33:374512 全新RX72N和RX66N提供高达4MB片上闪存，可达到业界最高的120MHz读取频率，同时具备1MB的片上SRAM。
2020-04-08 08:03:001897 对于 MB96F346RSBPMC，我不知道如何向闪存读取/写入数据。
有人可以指定用于读/写编程的编程引脚和接口吗？
2024-01-19 06:27:39
可达800MB/s，写入速度最高可达550MB/s•汽车质量和可靠性：具有先进的存储管理固件和硬件，包括ECC，符合JEDEC47，ISO26262和AEC-Q100 3级和2级标准•为OEM提供扩展
2022-02-02 08:17:42
，符合UFS 2.1协议规范，及西部数据iNAND SmartSLC 5.1架构，可提供高达550MB/s的连续写入性能，尺寸大小为11.5x13x1.0mm，能够为智能手机、平板电脑和PC笔记本电脑
2022-02-02 08:45:13
S25FL064LABBHA020闪存S25FL064LABBHV020西部数据宣布率先基于UFS 3.1规范协议推出iNAND MC EU521嵌入式闪存产品，新增多项功能，并进一步提高速度、容量
2022-01-28 15:23:27
的连续写入速度和4K IOPS的随机写入速度，西部数据新的8521系列EFD利用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技术提供加倍的连续写入速度（达500MB/s），以及最高可达10倍的随机写入速度
2022-02-03 11:32:41
Generation 6，助力写入速度高达750MB/s，可在3.6秒内完成2小时的电影下载，连续读取速度几乎是其前代产品的两倍。2019年5G爆发，2月21日三星已率先发布了Galaxy S10 5G手机
2022-02-01 22:50:14
如何避免套路，帮助大家选择到适合自己的手机？UFS2.1比UFS2.0快？实际上真是如此吗？
2021-06-18 06:27:23
UFS 3．0闪存与UFS 2．1闪存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
总的来说，UFS3.0的综合性能，特别是持续读写速度有着秒杀UFS2.1前辈的表现，只是在随机读写和SQLite性能上，却依旧和双通道的UFS2.1持平，有些小遗憾。最后，咱们再来科普一下eMMC
2021-07-22 07:17:09
ufs3.1和ufs2.1区别是什么？ufs3.0和ufs3.1区别是什么？
2021-06-18 08:00:29
编辑-ZMB6S在MBS-4 (SOP-4)封装里采用的4个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小方桥、贴片整流桥堆。MB6S的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为
2021-11-06 15:17:29
编辑-ZASEMI整流桥MB10S参数：型号：MB10S最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V最大有效值电压（VRMS）：700V最大直流阻断电压（VDC）：1000V最大平均正向输出整流
2022-01-20 16:40:49
编辑-ZASEMI整流桥MB6S参数：型号：MB6S最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V最大直流阻断电压（VDC）：600V最大平均正向整流输出电流
2022-01-10 17:14:03
。性能方面，这两款型号的硬盘的持续读取速度最高可达540MB/s，写入速度最高可达520MB/s。此外，Fixstars表示两款硬盘内置温度控制系统，监控硬盘运转的温度，从而避免温度过高损坏硬盘。价格
2016-01-15 16:35:19
手机参数为什么都是8GB+128GB？手机的这些参数是越大越好吗？这些数字代表什么？LPDDR4X是什么？UFS2.1又是什么？LPDDR4X与UFS2.1有什么差别？
2021-06-18 07:54:29
22MB/s 的写入速度，以 HS200 运行。然而，将一个 8MB 的文件发送到 eMMC，它被分成 16 个 512kB 的数据包，写入速度约为 12.5MB/s（每个 512kB 需要 40ms
2023-03-16 08:55:58
测试出来才到0.5MB/S的速率。芯片自带的测试程序可以测的速度7MB/S，和理论速度差不多。求问，VISA中有没有更高级的读取方法以提高读取速度？已解决！方法见后面回复。
2015-09-08 18:21:30
, 18.5 MB/s测试完成发现读速度只有200mb/s 写入速度是18.5mb/s写入的速度太慢了，我又使用了bonnie++去测试发现速度更慢写入23mb/s 读取138mb/sVersion
2022-07-12 16:50:24
全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ：SPSN）与专注于为互联网数据中心提供节能、可拓展系统解决方案的创新者 Virident 宣布共同开发和推出新一代存储解决方案。专为
2019-07-23 07:01:13
台标称高速机器2.0实测的：SLC 约27~35MB/S，3.0接口下写160~199MB/S闪存:双通道闪存是原装全新INTEL DDR SLC， 大部分是0坏块和11年周期。量产功能:可以量产
2012-06-16 10:09:48
？1 如果是接口速度：实际上400MB/S2 如果是移动硬盘速度：现阶段设备实际写入110M/S左右，读取130M/S实例问题：u***3.0 传输速度为什么超慢？问：我买了一个希捷睿品2.5寸
2012-12-02 16:41:07
與 UFS 速度比較:eMMC 目前spec. 已進版至 eMMC5.1 , 理想速度達到 400 ~ 600MB/sUFS 目前為UFS2.1 , 理想速度已達 1200MB/s以傳輸速度來說
2019-09-18 09:05:14
。之前emmc几乎统治了移动市场，这一标准从emmc4.3一路发展到现在的5.1，传输速度也从50MB/S一路狂飙600MB/S的速度。后来更强大的ufs就登场了，同样都是闪存芯片，读写速度确高不少，ufs2.0理论速度达到780MB/S、UFS 2.1更是高达1.5GB/S。UFS协议虽然是三星主
2021-07-22 09:07:47
上是天价了！如果搭配一部低端普通的手机使用，简直就是“门不当户不对”嘛！那这么高端昂贵的存储卡到底有何特殊之处呢？据三星官方解释道，该存储卡的读取传输速度最快可达95MB/s，写入传输速度最高可达
2015-12-16 11:31:26
什么是闪存？eMMC和UFS之间的区别在哪里？UFS2.0和2.1之间有何不同？
2021-06-18 09:20:44
使用AD2S1210并行读取角度和速度，在普通模式下读取位置和速度，出现如下问题：
1.位置读取完全正确，在电机不转时，速度寄存器的值却在-1和768之间跳变。
请问这是怎么回事，位置读取正确，速度却出现问题？
2023-11-20 07:14:18
的eMMC默认运行于HS200 模式，工作位宽为8。下面简单测试eMMC的读写速度，这里我们以读写ext4 文件系统为例。写入测试：读取测试：通过以上可以看到，eMMC的写入速度为67.1MB/s
2022-06-14 10:38:02
，因此实际接口带宽为23.2Gbps，可换算为2.9GB/s。并且电压也比前代UFS2.1更低，对降低设备的功耗和发热有着强大效果，实现了性能再翻倍！那么，UFS3.0有什么用呢？最直观的便是采用
2019-11-26 11:21:07
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 09:26 编辑
大家好。我们用L138，ARM侧linux写入ssd，测试速度只有不到2MB/s(100MB/64s)，可能是什么原因？读取
2018-06-21 17:23:22
C6748NAND FLASH读写速度能达到多少呢？我测得写入速度4.5MB/S左右，有点慢，请问这是正常速度吗？
2019-09-10 10:05:42
当我尝试将文件加载到 28 MB 的 spiffs 分区时，只有 16 MB 闪存被访问，之后它抛出错误提示“文件写入失败”，所以请告诉我如何使用总共 32MB 闪存？
2023-03-01 07:05:25
Spansion LLC近日推出64Mb串行外设接口(SPI)器件样品，作为其串行闪存系列产品之一。通过该器件，设计人员可以将此低成本简化接口收益带给如打印机这
2006-03-13 13:03:08791 闪存卡的存取速度 存取速度是指闪存卡在被写入数据或读取数据时的数据传输速度。不同类型的闪存卡采用
2010-01-09 15:03:29973 新型SDHC UHS-I存储卡是全世界首款完全符合SD 3.0--UHS104标准的存储卡，其将NAND闪存卡超快的读取和写入速度提升到了一个新台阶：最大读取速度达每秒95MB，写入速度达每秒80MB
2010-09-13 08:52:124037 Spansion近日日宣布推出读取速度达66MB/s的65nm FL-S NOR 闪存 系列，存储密度为128Mb至1Gb。与目前市场上的同类竞争方案相比，FL-S系列的DDR读取速度提高了20%，编程速度快了3倍，擦除速度快
2011-09-29 09:22:391676 
闪存设备制造商Centon日前推出了一款基于SandForce 2281主控的固态硬盘产品，该产品被命名为Diamond VVS1。符合SATA III传输规范，拥有400MB/s的读取速度和300MB/s的写入速度。
2012-03-28 10:02:151435 Buffalo最近发布了HD-GDU3系列外置硬盘，竟然整合了多达1GB DRAM缓存，写入速度也超过了惊人的400MB/s。
2013-02-28 14:09:403814 UFS存储卡在多媒体资料传输上具有优势，其连续读取速度可达每秒530MB，与SATA固态硬碟相当，是一般microSD卡的5倍，连续写入速度则是高阶microSD卡的2倍。以读取5GB的Full HD电影时，UFS卡只要10秒，而microSD则需50秒。
2016-07-11 10:08:051412 华为Mate 9身上有很多亮点，双曲面屏幕、麒麟960处理器、二代徕卡双摄、4.5V/5A快充等等不一而足，在存储方面其实也有个全球首发，那就是第一个用上了新一代UFS 2.1存储技术。
2016-11-08 09:34:285728 
的，三星在推出使用MLC闪存高性能的960 PRO系列的同时还推出了采用TLC闪存的960 EVO系列，速度看起来也比现在的M.2产品强得多，价格也较平易近人，今天我们就来一睹三星960系列M.2 SSD的强大之处。
2017-02-10 17:05:014499 华为P10是近期发布的一款新款高端手机，在其发布后背网友测试发现其手机闪存读写速度有较大差异，最高可以达到800MB/s，最低则只有300MB/s，因此被质疑其可能将EMMC5.1、UFS2.0和UFS2.1三种标准的闪存混着用。
2017-04-19 23:29:57941 昨晚测试了我手上的荣耀V9 6GB+128GB版本的闪存速度，结果意外的发现闪存速度772MB/s，这明显非常高，也证实荣耀V9 6GB+128GB版本使用的是UFS2.1。
2017-04-23 11:11:1712274 
最近手机圈备受关注的一件事，就是华为P10闪存规格eMMC和UFS混用的问题！小米6发布会上，雷军只字不提闪存规格的事，只在官网标注了UFS闪存，具体是2.0还是2.1成为了一个谜，但早期拿到工程机的大神测试，读写速度达到了UFS2.1的标准！
2017-04-26 09:34:4817512 
emmc5.1以及ufs2.0闪存是因为ufs2.1的产量问题之外，今日有媒体爆料三星将在国内市场上销售的所有的S8系列都标配ufs2.1规格的闪存，根本不给大家抽奖的机会。
2017-05-04 10:21:353752 华为p10闪存门令不少国人唏嘘，一款P10的闪存竟然分成了EMMC5.1，UFS2.0和UFS2.1三个版本，而三个版本闪存的速度分别为280MB/S，560MB/S，760MB/S三者差距之大，让不少消费者感觉自己买亏了。
2017-05-04 10:26:093540 
正在华为被P10“闪存门”事件困扰得头大之时，老对手三星又来补刀了。据多次曝光三星新品消息的微博博主“i冰宇宙”表示，国行S8/S8+将一律采用UFS2.1，不给你抽奖的机会。
2017-05-05 11:02:141283 近日闪存门可谓是愈演愈烈，而现在有网友发现三星在海外比如说美国地区悄悄地撤销了手机闪存描述，也就是删去了UFS 2.1闪存的描述。当然之前三星之前就在闪存描述下面指出，“部分国家规格可能有差别”。而经过网友的验证，部分美版的Galaxy S8/S8+手机使用的是东芝生产的UFS 2.0闪存。
2017-05-08 10:21:54551 
随着UFS的普及，多数人可能更关心UFS2.0/UFS2.1之间的具体区别，下面小编就带各位读者一探究竟。
2017-05-09 15:21:309606 
华为P10闪存门事件是不少用户发现自己的P10手机用的并不是最新版本的闪存UFS2.1，有的是UFS2.0，有的干脆是上一代闪存eMMC5.1，这三者的数据读取速度分布是700MB/s，500MB
2017-05-10 11:16:2110891 华为闪存门什么意思？华为P10系列的闪存疑似采用MIC颗粒和TLC颗粒混用，造成不同手机闪存速度差异巨大，速度最差的竟然只有200MB/s只能达eMMC5.1的标准，与官方宣传的UFS2.1的传输速度相差甚远。
2017-05-12 16:04:142994 华为P10闪存门事件后，手机闪存规格的使用成为热门关注对象。索尼官方表示，新旗舰Xperia XZ Premium将标配UFS2.1闪存。 5月17日，5月17日（明天），索尼将在北京正式发布
2017-05-16 14:26:314149 这是HTC对新旗舰U11的一个宣传海报：全部都是UFS2.1闪存存储，HTC U11玩转畅快品质保证。
2017-05-23 15:05:291505 华为P10闪存混用事件绝对是今年手机圈的大事，其影响力不容小嘘！小米6发布会上，雷军没有详细介绍闪存规格，而且官网参数也只显示UFS闪存。另外，三星也在旗舰机S8上混用闪存，并且国行版全部采用UFS 2.1版本！
2017-05-24 00:46:276184 了一个质疑华为P10的帖子“如何看待华为P10使用UFS2.1、UFS2.0和EMMC5.1三种不同规格闪存？”。帖子中称，实际测试华为P10读取速度有三个档次，分别是700、500、250MB
2017-05-30 21:26:238215 
的eMMC闪存，性能有非常大的提高。然而在论坛和贴吧中，有用户反映，华为P10采用不同级别不同规格的闪存芯片，疑似将UFS2.1、UFS2.0和eMMC5.1在P10手机上混用。华为P10用户对闪存读写速度的测试：读写速率大概有300MB/s、500MB/s、800MB/s三档。
2021-11-02 11:36:4414275 512GB和1TB的版本均采用TLC闪存，走PCIe 3.0 x4通道，最高连续读取3200MB/s，最高写入2400MB/s；4K随机最写入440K IOPS，最高读取380K IOPS。
2017-10-16 11:03:253326 据媒体Benchlife报道，知名主控厂商群联电子已经研制出了第二代UFS2.1主控，并且已经通过了华为和高通的认证测试，这意味着这款闪存距离上市不远了，而搭载麒麟处理器和高通处理器的产品，都能够用上这块闪存，会为手机带来更好的系统流畅性，特别是在应用安装、游戏读写等方面。
2017-11-17 15:33:553012 三星512GB UFS闪存开始量产，它具有860MB/s读取速度和255MB/s写入速度，它的存在必将灭亡手机存储卡。
2017-12-05 14:21:281450 据报道最大容量512GB的microSD存储卡终于开始发售，该卡支持Video Speed Class 10即V10标准，满足10MB/s写入速度，可用于一般的电子移动设备。
2018-01-23 16:06:441378 UFS 2.0闪存的亮点正是读取速快，相对主流动的eMMC 5.0闪存读取速更快，据悉UFS 2.0闪存一秒即可写入20首以上的歌曲，它能行更快的完成读取操控，从而更早的回到待机状态。
2018-02-20 10:13:002688 储器是新产品，普及还要一段时间，目前 3D TLC 快闪存储器如何发展，依然是关键。24 日，东芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固态硬盘，是旗下 96 层堆栈 3D TLC 快闪存储器首发，读取
2018-07-26 18:01:002026 经过测试，三星UFS存储卡（1TB）的随机读取速度达到了126.4MB/s，顺序读取速度达到了510.82MB/s，表现远远超过了传统MicroSD卡。
2019-09-10 15:01:002329 改善电池续航。Aura Pro X2 SSD 的最高读取速度为 3200MB/s，写入速度为 2400MB/s，最高容量为 2TB 版本。
2019-04-18 16:21:321972 
有外媒通过Blackmagic Disk Speed Test测试，2019款的MacBook Air可以达到1.3GB/s的读取速度和1GB/s的写入速度，而上一代的MacBook Air则可
2019-07-16 16:20:492577 骁龙855 Plus还支持UFS 3.0高速闪存。与UFS 2.1相比，UFS 3.0读取速度提升67%，写入速度提升31%，是目前行业最高存储标准，经过实际测试，UFS 3.0顺序读取达到
2019-09-04 13:21:00417 美光科技股份有限公司发布针对汽车应用的新型 UFS 2.1 托管型NAND 产品。该产品组合满足了车载信息娱乐系统和仪表板对快速系统启动和更高带宽的需求，从而增强了驾驶体验。Micron
2019-08-19 01:10:002921 采用UFS 3.0闪存的iQOO Neo 855版顺序读取速度可以达到1479MB/s，比UFS 2.1快90%，顺序写入速度更是提升160%.
2019-10-22 10:21:001928 2019进入第四季度手机圈突然活跃起来，一众新品纷纷登场，其中不少是高性能代表作。而在主打性能表现的新旗舰中，除了搭载规格更高处理器之外，UFS 3.0闪存也逐渐成为标配，甚至可以说无UFS 3.0不旗舰。
2019-09-29 09:49:5577713 性能是否够用与能否满足用户心理一直是两个事情，毕竟任何人都会追求极致的性能体验。首先，我们要弄清楚UFS2.1规格的读写速度是否能够满足5G网络使用需求。
2019-10-14 15:45:466891 Pmod SF3通过使用Micron的NOR闪存（N25Q256A）为用户提供32MB的外接非易失性存储器。通过使用SPI协议，用户可以对闪存进行写入和读取。
产品特点：
2019-11-28 14:32:401127 
自从一加7Pro推出之后，除了90Hz的屏幕，另一个亮点就是UFS3.0闪存颗粒，其传输速度达到了1.5GB/S，可以说是UFS2.1标准的两倍，而这并不是UFS 3.0的理论速度，其理论速度可以达到3GB/S，也就是一部高清电影可以轻松一秒传输。
2019-11-18 16:13:3246130 不久前，OEM厂商OWC为Mac Pro 2019推出了RAM升级包，8 x 128 GB，售价约 98000元，比苹果官方便宜一点。现在，OWC又为Mac Pro 2019推出了PCIe SSD，8TB容量，6000MB/s。
2019-12-25 16:25:533704 如果你仍不满足读取速度为3500MB/s的M.2固态硬盘，那么威刚（Adata）最新推出的XPG Sage或许能达到你的苛刻要求。
2020-01-08 17:06:313423 日前创见(Transcend)公司发布了MTE662T系列SSD产品，这是全球首款针对商业和工业环境的96层3D TLC NVMe SSD，顺序读取速度高达3400 MB/s。
2020-02-04 10:37:54920 小米有品上架了威刚SE800移动SSD，采用Type-C接口，读取速度可达1000MB/s。
2020-09-17 09:30:321291 读取速度平均约为 1800MB/s 左右，顺序写入速度约为 700MB/s 左右，随机写入约在 200-300M/s 范围中。在华为 Mate 40 Pro 的测试结
2020-11-03 11:37:373116 近日，有多位数码博主实测，华为Mate40 Pro的闪存读写速度堪称“恐怖”。小白测评实测显示，华为Mate40 Pro的持续读取、写入速度分别达到了1966MB/s、1280MB/s。
2020-11-03 13:56:1035706 。 基准测试结果表明，新款 MacBook Air 固态硬盘的写入速度约为以前型号的两倍，写入速度为 2190 MB/s，读取速度为 2675 MB/s。 IT之家了解到，苹果在发布时便提及了这方
2020-11-17 14:09:302625 存储可管理1280MB/s的顺序写入速度和548MB/s的随机写入速度，这明显比普通的UFS3.1存储芯片高近两倍（顺序读取速度平均约为1800MB/s左右，顺序写入速度约为700MB/s左右，随机写入约在200～300M/s范围中）。
2020-11-18 10:56:2821404 ，尽管没有 UFS 3.0、UFS 3.1 规格高，但是写入速度的巨大提升也非常可观。根据微博用户 @数码闲聊站 的实测，Redmi Note 9 Pro 顺序读取速度为 996.11MB/s，顺序写入速度
2020-11-30 09:53:007880 昨天，技嘉官方视频介绍了新品固态黑雕 PCIe 4.0 SSD ，其顺序读取速度达到了 5000MB/s。 在设计方面，技嘉黑雕 PCIe 4.0 SSD PCB 双面都有芯片，闪存颗粒来自东芝
2020-12-24 09:04:343192 据此前消息，vivo将于明日（12月29日）正式发布全新的vivo X60系列手机。根据博主@数码闲聊站的最新爆料，该系列将搭载满血版的UFS 3.1闪存技术，顺序读取达1900MB/s±，顺序写入
2020-12-28 17:43:315047 上，又一次反超小米11。 具体来说，数码博主宅数码Kael测得，零售版Mate40 Pro的闪存顺序读取速度为2012MB/s、顺序写入速度为1190MB/s，随
2021-01-04 09:49:542485 本教程演示了如何使用Menta OS提供的BlockDevice API使用Portenta H7的板载闪存来读取和写入数据。由于内部存储器的大小有限，我们还将...
2022-01-25 18:25:20
0 三星的UFS4.0闪存芯片采用全新第7代V-NAND技术，传输带宽每通道达到23.2Gbps，相较UFS3.1提升一倍，顺序读取速度可以达到4200MB/s，同时顺序写入速度也提升到2800MB
2022-05-05 10:45:273249 
4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。这也是首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品，号称可以给智能手机提供更强性能。 美光新一代的UFS 4.0模块能够
2023-07-19 19:02:21865 全球领先的存储解决方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]业界首款[2]面向汽车应用的通用闪存[3](UFS) 4.0版嵌入式闪存器件样品。这些性能更高的新型器件封装小巧
2024-01-31 18:19:00137
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