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电子发烧友网>存储技术>三星计划明年资本支出预算提到1.5倍,欲想独霸DRAM和闪存市场

三星计划明年资本支出预算提到1.5倍,欲想独霸DRAM和闪存市场

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三星电子有意放缓内存产能?降价等着吧

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2020-12-28 15:49:032454

浅析台积电2021年资本支出计划及先进工艺研发情况

在台积电昨日最新举办的法人说明会上,多位台积电高管分享台积电2021年资本支出计划,透露台积电N3、3D封装等先进工艺研发情况,并公布台积电2020年第四季度营收情况。
2021-01-15 10:33:392814

台积电宣布今年大规模资本支出计划后,将面临巨大的盈利压力

迈赫迪?胡赛尼(Mehdi Hosseini)表示,台积电今年的资本支出计划将带来扩大长期市场的机会。 胡赛尼解释说,台积电资本支出计划的决定一定程度上受到了来自三星芯片制造代工业务竞争威胁的影响。 新加坡的一位分析师透露,在台积电宣布今年大规模资本支出计划后,该公司将面临巨大的
2021-01-20 09:47:381717

台积电今年资本支出金额或创历史新高

据台积电官网信息显示,公司董事会核准资本预算约117亿9480万美元(约3,242亿9,327万元新台币),不到今年资本支出的一半。在1月14日发布的去年四季度财报中,台积电管理层预计今年的资本支出在250亿美元到280亿美元之间。
2021-02-23 15:19:181905

三星在NAND闪存市场将面临哪些挑战?

众所周知,三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位,占有30%以上的份额。但是,由于竞争对手开始表现出更好的工艺,它们似乎在挑战三星的技术能力。
2021-02-26 15:49:373205

联电产能供不应求,今年资本支出大增五成至15亿美元

为了满足客户强劲需求,联电今年资本支出将达15亿美元,较去年的10亿美元增加50%,其中,85%的资本支出将投入12英寸厂,主要以28nm以下制程为主,15%的资本支出投资8英寸厂。
2021-04-09 14:24:131906

三星西安闪存工厂全面投产 三星稳居市场第一

全球NAND闪存行业今年的资本支出,将达到299亿美元,较去年的277亿美元增加22亿美元,同比增长8%。
2022-04-02 11:49:373626

三星电子计划明年增加最大工厂P3工厂的芯片产量

12月26日消息,据国外媒体报道,三星电子计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。 三星电子位于韩国平泽市的P3工厂是三星电子最大的芯片制造厂,三星电子计划扩大P3工厂产能。这座工厂将为DRAM
2022-12-27 17:07:441865

三星DRAM月产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号

但这并不是全部,报道称三星内部计划将减产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司将避免扩产存储芯片。Omdia预计,明年下半年三星DRAM月产量将保持在60万片,较目前水平进一步减少。
2023-07-06 15:57:361181

三星电子坚持下调DRAM和NAND产能,即便市场需求上升

      近日有消息称,三星电子在当地时间周四发布的二季度财报中预计,存储芯片的需求在下半年将逐渐恢复,但是即便如此,三星电子并没有计划增加产量,并且打算继续削减DRAM和NAND闪存的产量
2023-07-31 10:31:16816

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中,由于市场持续低迷,三星电子正式公布了存储器减产计划
2023-08-16 10:23:581255

2024年资本支出大减20%?台积电:明年1月评论

据统计,台积电公司资本支出近年来不断上升,2020年资本支出172.4亿美元,2021年突破300亿美元,年增长65.4%,2022年增至363亿美元,全年增长21%。但到2023年,资本支出预计将降至320亿至360亿美元。
2023-09-26 10:53:30934

传台积电将下调资本支出至300亿美元以下 为近年低点

在今年7月的法律中,台积电财务长黄仁昭表示,大学每年的资本支出计划都考虑到顾客今后数年间的需求及增长,指出了以下几点。制定短期应对不确定、对人适当紧缩资本支出计划,今年资本支出在320亿至360亿美元之间。
2023-10-17 11:42:081036

三星西安厂计划将NAND工艺升级为236层 明年初更换设备

据业界2日透露,三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造,将目前正在生产的128段(v6) nand闪存生产线扩大到236段(v8)。三星决定从明年初开始更换设备,并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:032419

三星电子将扩大尖端DRAM/NAND产量

Kim Jae-jun补充道:“三星电子将通过维持投资来进一步巩固其在尖端存储器市场的地位,以确保其中长期竞争力。”三星电子负责半导体业务的DS部门计划每年投资47.5万亿韩元的资本支出
2023-11-03 16:17:571753

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:112284

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

传台积电2024年资本支出或降至280亿~300亿美元

业内人士认为,如果台积电明年资本支出比今年少,将会对闳康、家登、帆宣、汉唐等设备合作工厂的订单产生影响。但是外界预测,即使台积电明年资本支出不会急剧增加,研究开发投资依然会持续增加,将会快马加鞭地提高先进的制造技术。
2023-12-05 11:13:061260

三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:211562

三星计划NAND闪存价格谈判 涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

京元电资本支出大增,专注AI芯片测试

晶圆测试大厂京元电近日宣布重大决策,董事会决定将今年资本支出大幅提升至138.28亿元新台币,较原计划53.14亿元新台币激增1.6,这一数字也创下了中国台湾厂区历年资本支出的新高。此次大幅度增加资本支出,主要目的是为了满足日益增长的人工智能(AI)和高性能计算(HPC)芯片测试需求。
2024-08-10 17:07:091852

三星与铠侠计划减产NAND闪存

近日,据供应链消息,三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产,并预计根据市场状况分阶段实施。
2024-10-30 16:18:46970

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星晶圆代工部门2025年资本支出减半

据外媒报道,三星计划在2025年对其晶圆代工部门进行大规模的投资削减。据悉,该部门的设备投资预算将从2024年的10万亿韩元锐减至5万亿韩元,削减幅度高达50%。
2025-01-24 14:05:29961

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