9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 SK海力士本周宣布,他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品,该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前,他们推出了96层第5代3D NAND,但低价促使他们削减了产量,而第4代72L
2019-11-25 17:21:555462 据DigiTimes的消息人士报道,NAND闪存的整体价格将在2020年急剧上升。该报告来自存储器芯片制造商的多个消息来源,最有可能是SK Hynix,美光和三星等更著名的公司。随着价格的上涨
2020-01-06 11:15:333821 报导,存储器三强三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速为10纳米DRAM时代做准备。因存储器削价竞争结束后,三大厂认为以25
2014-04-04 09:08:421340 目前NAND闪存需求依然居高不下,厂商也有动力扩大产能了,SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存,这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层,256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍,单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存,这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 国产手机势头越来越强劲,把三星和苹果的市场份额抢占不少,但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失,就比如闪存芯片,这基本上被韩国厂商垄断了。近日,高启全接受媒体采访时表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 根据外资的报告指出,NAND Flash 的产能问题,2017 年三星、美光、东芝/西数、SK Hynix 都会在下半年量产 64 层,以及 72 层堆栈的 3D NAND Flash 的情况下,原本预计产能会有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121258 NAND Flash是一种非易失存储器,也就是掉电不丢失类型,现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash,比如U盘、固态硬盘,手机存储等等,电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 闪速存储器 (Flash Memory)简称闪存器或闪存,是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory, NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash)和与非闪存
2023-11-23 09:36:17917 TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器的特点①按顺序存取数据;②存储器内部以块为单元进行分割,而各块又以页为单位进行
2018-04-11 10:11:54
大家好!小金子为各位介绍一款JSC品牌1Gbit NAND FLASH。这款JSHU271G08SCN-25型号的规格书与SK海力士和Spansion进行了对比,惊讶的发现竟然完全一样。唯一
2018-01-10 09:55:21
存储级内存(SCM)取代NAND闪存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
ARM/DSP/FPGA的区别是什么?对比分析哪个好?
2021-11-05 06:08:20
ARM与单片机对比分析哪个好?
2021-11-05 07:16:04
CPLD与FPGA对比分析哪个好?
2021-06-21 06:10:12
CPLD与FPGA的对比分析哪个好?
2021-11-05 08:20:40
RAM有哪些分类?特点是什么?DRAM和SRAM对比分析哪个好?
2022-01-20 07:16:10
DSP、MCU、ARM、CPLD/FPGA对比分析哪个好?
2021-10-22 07:17:10
仿真软件中电磁场怎么计算?EM仿真和schmetic仿真对比分析哪个好?
2021-09-30 06:50:03
,而这-顺序从所有 CPU 角度来看都一样。这可大幅简化共享数据段所需的一致性协议。 共享存储器保护与地址扩展 — C64x+ 和 C67x DSP 架构均将存储器保护作为内部存储器设计(L1、L
2011-08-13 15:45:42
LTE与WiMAX对比分析哪个好?
2021-05-31 06:22:29
存储器(DRAM)类似的高密度,而且还具有读取无破坏性、无需消耗能量来进行刷新等优势,因为磁体没有漏电(leakage)之说。MRAM 与闪存(FLASH)同样是非易失性的,它还具备了写入和读取速度相同
2020-11-26 16:23:24
翻转)现象上,NAND的出现几率要比NorFlash大得多。这个问题在Flash存储关键文件时是致命的,所以在使用NandFlash时建议同时使用EDC/ECC等校验算法。
4、寿命对比
在NAND
2023-06-26 08:13:11
Arduino和STM32各自的特点是什么?STM32和Arduino对比分析哪个好?
2021-11-04 06:34:07
eFuse与传统保险丝对比分析eFuse应对云应用过流保护的挑战
2021-03-09 07:10:27
串行存储器A25L010资料下载内容包括:A25L010引脚功能
2021-03-29 06:31:18
串行和并行接口SRAM对比分析,看完你就懂了
2021-05-19 06:16:24
这个是译码法来选择片外的存储器,用三根线可以选择8个8KB的片外存储器(8*8=64KB),但是要是把64KB的存储地址分配给4KB的存储器,为什么需要4根高位地址线,求专家详解
2018-12-18 14:38:17
启动模式讲完了,我们知道是主闪存存储器启动的。主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000),但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它。 接下来,再看一下它的启动流程是怎样
2021-08-20 07:29:53
主流CAN收发器性能对比分析哪个最好?
2021-05-20 06:14:37
,LPDDR,GDDR.品牌:Micron,Samsung,SK Hynix,Nanya,Winbond.2. 闪存IC : Nand Flash,Nor Flash,Emmc,UFS,MCP.品牌
2019-09-27 17:34:40
。 2、硬盘存储器 信息可以长期保存,可以读写,容量大,但是不方便携带。 3、移动存储器 主要包括闪存盘(优盘)、移动硬盘、固态硬盘(SSD)。 4、闪存盘(优盘) 采用Flash存储器(闪存
2019-06-05 23:54:02
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码,用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static
2023-05-19 15:59:37
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中,外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash,都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址,页(Page),块(Block)。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
常见单片机对比分析哪个好?
2021-10-29 07:39:21
干簧管传感器与霍尔效应传感器的比较对比分析哪个好?
2021-06-08 07:03:59
开关电源PWM与PFM对比分析开关电源控制技术的特点是什么
2021-03-11 07:37:37
异步通信与同步通信对比分析哪个好?
2021-12-16 07:35:06
步进电机与伺服电机对比分析采用闭环技术的步进电机
2021-02-05 06:05:47
步进电机和伺服电机对比分析哪个好?
2021-10-13 08:15:46
、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性静态存储器)等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势:存储器
2019-07-23 06:15:10
系统设计存在设计基于闪存的可靠的嵌入式和存储系统时仍然面对重大挑战。随着每代新产品的出现,目前存储器技术要求尺寸越来越小,但耑要较大系统级变化来维持系统级讨靠性和性能。NOR和NAND闪存的存储器架构
2018-05-17 09:45:35
单片机中数据存储器片内的地址是00--7FH,程序存储器的片内地址是0000H--0FFFH,请问这两部分是不是有重叠?请具体详解!~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
视频标准核心技术对比分析哪个好
2021-06-07 06:12:34
铅酸电池和锂电池对比分析哪个好?
2021-06-10 06:59:19
伺服电机具有哪些缺陷?闭环步进电机与伺服电机对比分析哪个好?
2021-09-27 08:13:44
铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:504172 Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
南韩Hynix公司本周二宣布,继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品,并于去年8月份开始量产这种闪存芯片
2010-02-11 09:11:081045 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型,其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 小型PLC对比分析.
2012-04-27 15:43:3471 全球第二大存储器制造商SK hynix Inc. 25日公布第2季(4-6月)财报:拜DRAM价格持续上扬、产品组合改善之赐,净利达9,460亿韩元(1.59亿美元),远优于去年同期的净损533
2013-07-26 10:55:02653 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产,韩联社26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111032 苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层,256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍,单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存,这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%
2017-04-11 08:30:054095 据报道,苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层,256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠,这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元,单个
2017-04-12 01:07:11991 Hynix NAND flash型号指南
2017-10-24 14:09:2925 SK海力士预计第四季度D-RAM和NAND闪存需求不断增长。公司计划第四季度批量生产10纳米级D-RAM和72层NAND闪存,明年业绩仍将向好。
2017-10-27 09:15:15595 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口,导致价格继续维持高位的情况下,包括国际大厂三星、SK海力士、东芝,以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际,7日美商存储器大厂美光(Micron)也宣布扩产,以补足市场供不应求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要应用于代码存储介质中,而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109972 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器(NAND Flash)报捷,已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利,预计明年完成生产线建置、2020年量产,震撼业界。
2018-08-13 09:45:002185 今年的闪存技术峰会,美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案,SK海力士称之为“4D NAND”,长江存储称之为Xtacking,美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写
2018-08-12 09:19:286688 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元,是利用管线式(pipe)闸极链接每一个NAND
2018-08-29 11:10:008278 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先,NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长,而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:004779 6月15日,三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND,与48层256Gb V-NAND相比,生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。
2018-12-11 09:28:466140 由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义,在相同
2019-04-17 16:32:345462 今年10月份SK Hynix才刚刚建成最新的M15晶圆厂,这是2015年全球最大的存储芯片工厂M14落成时SK Hynix宣布的46万亿韩元投资计划中的一部分,M15工厂位于韩国
2018-12-22 11:09:233925 国产存储芯片再下一城,日前有产业链方面的消息称,中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片,这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:121582 SK Hynix的QLC闪存整体性能令人印象深刻。
2019-05-16 15:01:083092 长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后,进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash战局,对比今年三星、SK海力士(SK Hynix )进入90层3D NAND芯片生产,长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。
2019-05-17 14:13:281277 长江存储科技(YMTC)本周早些时候表示,已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:161661 据悉,长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的,于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:002612 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 存储行业近两年的变化非常大,在内存行业来看,包括SK Hynix在内的多家内存大厂,已经开始了首批DDR5存储器新品的研发试验。
2020-01-15 14:34:573056 4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111,是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商,其产品组合中包括 DRAM,NAND 闪存和控制器,以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:193527 各种存储器比较(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD),看出忆阻器在集成密度,数据的读写时间有着比较明显的优势。
2020-08-27 17:18:316034 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口,导致价格继续维持高位的情况下,包括国际大厂三星、SK海力士、东芝,以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际,7日美商存储器大厂美光(Micron)也宣布扩产,以补足市场供不应求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 SK海力士作为全球半导体领头企业之一,旨在强化其NAND闪存解决方案相关竞争力,发展存储器生态系统,进而给客户、合作伙伴、公司员工和股东带来更多利益。
2020-10-20 09:53:011833 韩国存储芯片制造商SK海力士(SK Hynix)已宣布与英特尔达成NAND闪存单元协议。根据协议,SK海力士将向英特尔支付90亿美元。该协议的范围包括在中国大连的NAND SSD部门,NAND部件
2020-10-21 14:30:372096 据国外媒体报道,SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务! SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息,SK海力士在官网上表示,两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152133 近日闪存芯片行业又现巨震,英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 据英文媒体报道,上月 20 日,SK 海力士在官网宣布,他们同英特尔达成了最终协议,将斥资 90 亿美元收购英特尔的 NAND 闪存及存储业务。 但消息人士日前表示,NAND 闪存目前的市场行情并不
2020-11-03 15:08:331576 根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 日本芯片制造商Kioxia开发了大约170层的NAND闪存,加入了与美国同行Micron Technology和韩国的SK Hynix的竞赛。
2021-02-20 11:10:002580 近日,SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂,该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分,将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:533107 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 (Flash Memory) 与只读存储器 (Read-Only Memory)。其中,快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:1515
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