引言：串行Nor Flash是一类使用比较多的存储器件，在特殊应用场景中具有不可替代的地位，本节是数字存储器件系列第一节，介绍串行Nor Flash的结构和参数特性。
2023-09-05 10:09:34
1669 
NAND Flash 和NOR Flash 的差别在哪儿呢？从字面意思上看， NAND = not AND(与非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同为非挥发
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
据集邦咨询2020第一季NOR Flash厂商市占数据，NOR Flash营收市占第一是旺宏，其制程在业界相对领先，目前采用55nm制程生产，月产能约在20K左右。由于该公司NOR Flash产品线
2020-11-08 09:26:2524454 使用的FLASH是SST39VF3201按照芯片手册编写了写编程程序和擦除程序，发现擦除或写编程10多次才偶尔有一次擦除成功，哪位高手知道是什么原因吗？程序代码为：assign Flash
2014-05-22 08:49:56
Flash型存储器SST39SF020的资料下载内容主要介绍了：SST39SF020性能特点SST39SF020读写操作和特定指令代码SST39SF020应用子程序
2021-04-15 06:33:46
NOR FLASH的原理是什么？NOR FLASH的命令是怎样去操作的？
2021-10-29 07:29:26
NOR FLASH_MX29LV160DBTINOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash是只读存储器，可以轻易的读，却不能
2021-07-29 08:46:24
)闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写
2014-04-23 18:24:52
闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要
2013-04-02 23:02:03
嗨，所有的，我有一个定制板基于以下配置：-PIC32 MZ2048 EFM - SST26VF064 B连接到[SqICS1] --[RD5] [SqILK] --- [RG13] [SqID1
2019-04-08 06:24:31
嗨，我在我的应用程序中使用SST26VF0闪存。我有来自微芯片站点的驱动程序，运行良好。我有应用程序，就像我在使用GPRS模块一样，并且向服务器发送分组。如果没有GPRS连接，系统将把分组存储到
2020-03-31 07:06:27
`SST39VF160系列芯片资料（英文版）[hide][/hide]`
2017-03-04 13:26:59
SST39VF040系列芯片资料（英文版）[hide][/hide]
2017-03-04 18:12:49
SST39VF400A - Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash - Microchip Technology
2022-11-04 17:22:44
我试图使用SST26VF驱动程序，但是没有太多麻烦。调用在drv_sst26.c atDRV_SST26_READ_FLASH_ID中的2023行失败，而drv_sqi.c中的124行失败，因为
2020-03-13 08:16:17
”。 Nor Flash市场应用 嵌入式存储是Nor Flash的主要应用领域，基于其读写速度快、可靠性高、成本高、可芯片内执行程序的特点，多用来存储少量代码、程序、操作系统等重要信息。 近几年
2023-02-17 14:06:29
我试图使用DRV_SST25VF064C和谐函数（v 1.09）。我不是如何使用DRV_SST25VF064C_BlockEventHandlerSet函数。示例说
2019-05-27 11:47:56
(); BlockErase(0); Write(FLASH[0x0000], 0x6666); FlashReset();}Busy = false;}下图是在SST39VF800A上实现的"FLASH二次
2012-02-27 07:50:00
在网上找了一下SST25VF032驱动资料很少。不过幸运，参考别人的思路移植好了。
这里分享出来。
sst25vf032b -datasheet.pdf (735.75 KB )
SST25VF016B-cn中文数据手册(1).pdf (4.17 MB )
FLASH.rar (2.51 KB )
2020-07-23 06:43:17
[tr=transparent]ULN2003 步进电机扩展板资料.zip 步进电机资料[/tr]Ex020-串行Flash(SST25VF016B)例程_2011-09-01.rar
2018-06-28 06:34:40
大家好，我用SST26VF064B通过SPI与TMS320F28075微控制器连接。虽然我正在执行写启用，但我不能执行写操作。而且，读状态寄存器和配置寄存器总是返回0。当我试图检查JEDEC-ID
2019-10-17 10:30:53
handle in Impact a Vitrex 5 with a 39VF1602 Flash as configuration device ?Impact does not recognize
2019-03-11 13:26:25
我有困难擦除SST26VF032 B我正在使用的芯片擦除命令。（SST25是EOL）我在4MHzI使用SPI模式重置写保护（设置所有10到0x00）发送写命令（0x06）发送ERASE命令（0xC7
2020-05-12 10:14:47
/ww./en/SST26VF032B。还有SQI数据表中的初始化代码。看来我的设备不与Flash BeaAUS通信，我不会读和写。我试图读JEDECID，但结果是0x058DE380，如果我发出错误的命令。我该怎么办？我花了2个星期才解决它。（我不知道，我的COD或PIN连接有什么问题？）
2020-04-28 11:19:59
概述：SST39VF1601A采用48脚封装，具备快速读写（70～90ns），快速擦除的功能（70ms）。供电为3.3V，＃37脚为3.3V供电引脚。
2021-04-12 06:01:26
pic32mx795F512L的flash Memoirs SST25VF064C，并且我想寻找最佳的使用方式（连接图，…）起动器套件的这个内存，但它是不可访问的，会有痕迹吗？
2019-10-10 06:23:52
ＤＳＰ与ＦＬＡＳＨ构成的最小系统是什么？Ｃ５４０２的并行１６位引导装载方法是什么？怎样采用C5402外挂FLASH存储器SST39VF400A去实现一种在系统编程？
2021-06-26 07:23:31
我用mega128的spi和sst25vf032flash通信，为什么存的数不对？
2011-07-22 12:00:44
FLASH芯片是SST25VF032B的。是不是FLash芯片在写的时候起始地址只能为偶数地址。现在我用的就是SST25VF032B的FLASH芯片，写的时候就遇到这样的问题，AAI编程的时候起始
2014-06-13 15:01:03
最近调程序很不顺啊！自编写的烧写sst39vf1601代码，烧写数据有规律性的错误，烧写完不断电用ccs->memory看，数据完全正确，可是掉电后，用ccs->memory看发现
2018-07-31 06:30:01
NOR Flash的三种基本操作
2020-11-10 07:55:09
写入到FLASH。主要是一个问题：HEX文件写入FLASH是逐位WORD对齐依次写入的吗？我的FLASH是SST39VF800A，是16位的，转换为HEX是采用CCS自己生成的HEX方式。非常感谢！
2018-08-23 18:50:59
简要比较NOR 和NAND 两种Flash 技术，分析嵌入式Linux 系统MTD 子系统的结构；详细介绍在编译Linux 内核时， 如何在MTD 子系统内对使用的NOR Flash 芯片进行配置和定制。
2009-04-15 11:05:04
30 深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。SST39VF6401B-70-4I-EKE 由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后成交价
2022-11-07 16:48:46
SST39LF/VF160是一个1M16的CMOS多功能Flash(MPF)器件,由SST特有的高性SuperFlash技术制造而成.SuperFlash技术的分裂闸(split-gate)单元结构和厚氧化物制程的采用可提供可靠性更强、工艺更完善的解
2009-07-24 14:03:0375 本文介绍了LPC2220外部扩展存储器的设计方法，以FLASH存储器（SST39VF160）和SRAM 存储器(IS61LV25616AL)为实例，给出具体应用电路，以及EMC 内部寄存器的配置和初始化程序源代码。
2009-08-06 10:34:1875 本文介绍了一种基于先进的ARM 微处理器的温室自动监测控制器系统的实现过程，系统硬件选用S3C44B0X 嵌入式芯片构建硬件平台，存储系统包括一片4M×16bit 的Flash（SST39VF160）和一片4M
2009-08-17 08:40:4626 本文介绍了嵌入式实时操作系统VxWorks 的flash 文件系统TFFS 的结构，分析了其算法，描述了其在SST39VF160 型号flash 上的构建步骤。最后以TFFS 作为VxWorks 映像的加载途径，这种加载方
2009-08-24 08:10:0913 并行NOR Flash每次传输多个bit位的数据，而串行NOR Flash每次传输一个bit位的数据。并行NOR Flash比串行NOR Flash具有更快的传输速度。
2010-03-09 16:06:5049 串行NOR Flash介绍，串行NOR Flash分类、串行NOR Flash选型以及串行NOR Flash命名规则
2010-03-10 14:52:1830 pin-count packageoccupying less board space and ultimately lowering totalsystem costs. SST25VF020/040 SPI serial flash memories
2010-08-31 16:17:2543 摘要：目前的嵌入式系统多使用FLASH作为主存，因此，如何有效管理FLASH上的数据非常重要。文章以SST39VF160芯片为例，讨论了在Nor Flash上建立ｕClinux的JFFS2文件系统的
2006-03-11 12:38:301270 
nand nor flash区别
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR
2008-06-30 16:29:231163 本文介绍了TMS320C6713浮点DSP芯片和SST公司提供的SST39VF400A FLASH存储器的基本特点，给出了使用该FLASH存储器设计和实现完整的TMS320C6713 DSP引导装载系统的具体方法。
2011-09-20 12:08:241633 
显示FLASH(SST25VF016B)内容 3.2寸(ILI9325)屏 ucos ucgui 应用例程
2015-11-24 11:39:2010 SST89E516仿真芯片的仿真操作步骤.SST89E516仿真芯片的仿真操作步骤-
2015-12-28 14:25:340 全为公司开发设计用的IC资料，39VF3201数据手册
2016-12-13 23:14:586 NOR FLASH编程指南,可以下来看看。
2016-12-11 21:31:5531 SST25VF016B数据手册下来看看。
2016-12-16 22:45:0454 SST39VF160系列芯片资料（英文版）
2017-01-04 11:44:420 SST25VF010数据手册
2016-12-29 11:33:090 SST25VF020数据手册
2016-12-29 11:33:090 VDRF256M16是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的NOR FLASH，可利用其对大容量数据进行高速缓存。文中介绍了该芯片的结构和原理，并同时给出了一个系统中大容量、高速数据传输要求
2017-10-15 12:20:5423 该文档是SST25VF010A（串行闪存）中文资料用户手册，SST25VF010A的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路。还包括SST25VF010A应用电路图和引脚配置图，是最全的SST25VF010A中文资料，欢迎大家免费下载。
2017-10-30 15:01:5019 该文档是SST25VF040B（串行闪存）中文资料用户手册，SST25VF040B的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路。还包括SST25VF040B应用电路图和引脚配置图，是最全的SST25VF040B中文资料，欢迎大家免费下载。
2017-10-30 15:04:5346 该文档是SST25VF080B（串行闪存）中文资料用户手册，SST25VF080B的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路。还包括SST25VF080B应用电路图和引脚配置图，是最全的SST25VF080B中文资料，欢迎大家免费下载。
2017-10-30 15:07:1631 该文档是SST25VF512（串行闪存）中文资料用户手册，SST25VF512的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路。还包括SST25VF512应用电路图和引脚配置图，是最全的SST25VF512中文资料，欢迎大家免费下载。
2017-10-30 16:22:0717 该文档是SST26VF016/SST26VF032（串行闪存）中文资料用户手册，SST26VF016/SST26VF032的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路。还包括SST26VF
2017-10-30 16:34:11132 该文档是SST26VF064B/SST26VF064BA（串行闪存）中文资料用户手册SST26VF064B/SST26VF064BA的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路。还包括
2017-10-30 16:37:2168 该文档是SST38VF6401/6402/6403/6404（串行闪存）中文资料用户手册SST38VF6401/6402/6403/6404的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路。还包括
2017-10-30 16:43:4819 该文档是SST39LF010/020/040/SST39VF010/020/040（高性能CMOS的SuperFlash技术）中文资料用户手册SST39LF010/020/040
2017-10-30 16:47:0121 该文档是SST39LF200A/400A/800A/SST39VF200A/400A/800A（高性能CMOS的SuperFlash技术）中文资料用户手册SST39LF200A/400A/800A
2017-10-30 16:50:1614 该文档是SST39VF401C/402C/SST39LF401C/402C（高性能CMOS的SuperFlash技术）中文资料用户手册SST39VF401C/402C/SST39
2017-10-30 16:54:2927 该文档是SST39VF801C/802C/SST39LF801C/802C（高性能CMOS的SuperFlash技术）中文资料用户手册SST39VF801C/802C/SST39
2017-10-30 16:58:2822 该文档是SST39VF1601/1602/SST39VF3201/3202（CMOS的SuperFlash技术）中文资料用户手册SST39VF1601/1602/SST39VF3201/3202
2017-10-30 17:05:3130 该文档是SST39VF1681/SST39VF1682（CMOS的SuperFlash技术）中文资料用户手册SST39VF1681/SST39VF1682的应用特征、功率参数、应用范围和基本电路
2017-10-30 17:10:1716 他方法相比，分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器
可实现更高的可靠性和可制造性。 SST39VF3201C/3202C 使用 2.7-3.6V 电源进行写操作 （编程或擦
除）。这些器件遵从 x16 存储器的 JEDEC 标准引脚分配。
2018-06-30 11:23:0018 SST39VF1601C/1602C 器件具有高性能的字编程能力，其典型字编程时间为 7 µs。这些器件使用翻转
位、数据 # 查询或 RY/BY# 引脚来指示编程操作是否完成。为了防止意外写操作
2018-06-29 15:23:0018 25 系列串行闪存采用四线、兼容 SPI 的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并最终降
低总系统成本。SST25VF020B 器件是增强型器件，提高了工作频率并降低了功耗
2018-06-29 15:23:0010 层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制
造性。SST39WF400B 使用 1.65-1.95V 电源进行写操作（编程或擦除）。该器件遵从 x16 存储器的
JEDEC 标准引脚分配。
2018-06-29 15:23:003 SST39WF800B 是采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash® 技术制造的 512K x16 CMOS 多用途闪存
（Multi-Purpose Flash，MPF）器件
2018-06-29 15:23:006 本文档列出了从SST25VF016B和SST25VF032B移植 到SST26VF016B或SST26VF032B/032BA所需的所有 固件和硬件更改。
2018-06-28 07:25:00100 本文主要介绍了64Mb（x16）高级多用途闪存+SST38VF6401B/SST38VF6402B/SST38VF6403B/SST38VF6404B资料。
2018-06-28 08:25:0010 Flash存储器又称闪速存储器，是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写，又能够在掉电后保持数据不丢失。NOR Flash是Flash存储器中最早出现的一个品种，与其他种类的Flash存储器相比具有以下优势。
2018-09-17 08:01:009268 
NOR的特点是芯片内执行（XIP， eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
2018-09-18 10:59:4352662 Nor Flash的接口和RAM完全相同，可以随机访问任意地址的数据，在其上进行读操作的效率非常高，但是擦除和写操作的效率很低，另外，Nor Flash的容量一般比较小，通常，Nor Flash用于存储程序。
2018-10-07 15:39:0010675 本文所用蓝牙模块采用英国CSR公司的BC417芯片，并与SST公司的8M的FLASH芯片39VF800A构成了模块。
2019-09-28 17:53:0017647 
Flash（快闪或闪存）由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 1.1接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问，可以很容...
2020-12-14 22:48:021624 NOR Flash主要用来存储代码及少量数据，近几年因5G、IoT、TWS耳机、AMOLED屏幕、TDDI等市场快速发展而备受重视。 NOR Flash和Nand Flash是目前两种主要的非易失闪
2021-03-03 16:17:18703 关于S29GL256S系列并行nor flash的读写擦除操作实验(做嵌入式开发用什么电脑好点)-fpga verilog实现 S29GL256S 系列 并行 nor flash 的读写擦除操作功能
2021-08-04 11:42:13107 1、NOR flashNOR flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。2、NAND flashNAND flash数据线和地址
2021-12-02 12:21:0630 使用FlashMemory作为存储介质。 根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND FLASH两类。主要的差异如下所示： NAND FLASH读取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
1.1接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问，可以很容...
2022-01-26 17:12:5213 在嵌入式系统领域，作为存储设备的NOR Flash和NAND Flash，大家应该不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把数据线，地址线并排设置在IC的管脚中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:174893 非易失性存储元件有很多种，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前两者已经基本被淘汰了，因此我仅关注后两者
2023-06-29 09:06:051888 
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。
2023-08-07 09:47:03764 
为什么Nor Flash可以实现XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存储器是一种常用的非易失性存储器，广泛应用于各种电子设备中。它们的价值在于它们可以快速读取和写入数据，同时因为没有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
2023-11-30 13:53:20735 
闪存编程也不涉及将数据写入存储单元，为确保准确编程，Nor Flash 支持字节级编程，允许写入或修改单个字节，而无需擦除整个块。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash 中的编程和擦除操作涉及写入数据和擦除存储单元的特定步骤。
2023-12-05 15:19:06321
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