据DigiTimes的消息人士报道，NAND闪存的整体价格将在2020年急剧上升。该报告来自存储器芯片制造商的多个消息来源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。随着价格的上涨
2020-01-06 11:15:33
3821 最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。
2013-08-29 10:46:512064 
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 由于在今年的购物假期中消费者购买全新固态硬盘的需求不断攀升，在接下来的数周甚至数月时间内NAND闪存的价格可能将持续拉升。根据DRAMeXchange公布的最新报告，2016年第3季度NAND闪存全球总营收同比增长19.6%，究其原因是因为在该季度使用闪存的产品尤其是智能手机呈现了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10659 
据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
2017-02-27 09:21:371380 
国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 2018年DRAM，NAND Flash价格则呈现两涨情，出现一涨一跌的局面，其中的关键则是供给端的部分，特别是国际大厂是否突破制程瓶颈，将攸关整体市场的供需结构。
2018-06-26 09:00:235573 本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211446 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑
NAND闪存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。
2021-01-15 07:51:55
，今年E4工厂总产能将达到52K／M。此外，2018年LGD还将为E4生产线再增加第三阶段产能，仍然为26K／M。LGD的确正在不断扩大OLED TV面板产能。除了上述OLED面板产能，还有消息透露
2018-11-13 16:29:01
？我可以将 NAND 闪存分成两个分区吗：应用程序代码的第一个分区第二个分区将被格式化为 FAT32 文件系统
2023-03-29 07:06:44
根据数据表，斯巴达6家族有广泛的第三方SPI（高达x4）和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是，如果它支持NAND闪存，我不太清楚吗？我想构建和FPGA + ARM平台，我当时
2019-05-21 06:43:17
亲爱的大家，任何人都可以让我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND闪存。我的客户正在设计他的7020定制板，并有兴趣知道所支持的并行NAND闪存的最大密度。问候钱德拉以上来自于谷歌翻译以下
2019-02-27 14:22:07
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和与 fmc 连接的 nand 闪存。我搜索以查看如何为 nand 创建自己的外部加载器（我找不到任何用于 nand 闪存的外部加载器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件适应 nand 闪存 hal 函数和一个链接器来构建 .stldr？我走对路了吗？
2022-12-20 07:17:39
或SD的SPI接口。我们将推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一个核心，但它们在AXI总线上。只是想知道是否有人找到了将ONFI闪存
2020-06-17 09:54:32
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量
2010-06-10 16:25:03
26
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年
2010-08-30 15:48:01183 传东芝将投入89.4亿美元扩大NAND闪存产能
消息人士周三透露，东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元，在日本三重县(Mie Prefecture)修建一座闪存芯片
2010-02-11 09:06:321434 尔必达计划收购Spansion NAND闪存业务
据国外媒体报道，日本尔必达公司表态计划收购美国Spansion（飞索半导体）旗下的NAND闪存业务资产。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR闪存/NAND闪存是什么意思
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
2010-03-24 16:34:358226 华邦提高90纳米串行闪存产能
华邦电子股份有限公司宣布，该公司已售出超过十亿枚SpiFlash串行闪存器件，达到了一个重大的业界里程碑。此外，华邦电子宣布其设在台中
2010-04-13 09:42:28654 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nil])制程技术的NAND闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通
2010-05-30 11:08:09632 东芝(微博)公司计划将NAND闪存芯片的产量削减30%，为2009年以来首次减产。
2012-07-24 09:08:06793 017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。
2016-12-23 09:38:18653 需求回温、产能扩增有限，供需失衡下，DRAM价格在2016年下半逆势翻转，而原本看俏的NAND Flash在厂商间转进3D NAND良率还未提升下，同样面临缺货。先前调研机构集邦科技、IHS都预估
2016-12-23 16:22:381010 
三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片复位后进入操作系统之前执行的一段代码，完成由硬件启动到操作系统启动的过渡，为运行操作系统提供基本的运行环境，如初始化CPU、堆栈、初始化存储器系统等，其功能类似于PC机的BIOS. NAND闪存
2017-10-29 11:29:272 今年Q1季度到Q2季度以来，NAND闪存价格一直在下滑，市场供需情况已经变了，本来预计Q3季度会有苹果新机拉货导致的需求提升，藉此提振下NAND价格，不过现在来看这些厂商想的太乐观了，Q3季度NAND闪存价格还会继续下滑，这种情况持续下去，不排除2020年NAND市场大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 层3D闪存的产能良率（四季度超80％）爬升，市场会处在一种供需平衡的局面，从而自然延续NAND Flash合同价的下降趋势。
2018-06-28 10:19:00895 DVEVM可以启动或（默认），与非门，或通用异步接收机/发射机（UART）。NOR 闪存提供了一个字节随机的优点访问和执行就地技术。NAND闪存不是那么容易用它需要闪存转换层（FTL）软件让它访问；然而，由于它的价格低，速度快，寿命长，许多客户想设计NAND闪存代替或NOR闪存。
2018-04-18 15:06:579 对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具
2018-06-06 12:27:009847 
用于扩充产能的资本支出超出市场实际需求，毫无疑问，将导致NAND闪存价格下滑。实际上，自2018年开始，NAND闪存价格已现疲弱。而且，价格走软有望从2018年下半年一直持续到2019年。
2018-07-13 11:45:378876 
据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 美光、三星释放信号仅是个开端，SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能，为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见，3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865 
今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。
2018-09-16 10:38:14509 从NAND闪存中启动U-BOOT的设计 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是
2018-09-21 20:06:01485 CCLA统计数据来看，在我国国内企业（包括在中国大陆投建的外资企业）的各类覆铜板总产能，以及半固化片商品的产能，从2018年到2020年将有很大增加。预测到2020年我国各类覆铜板总产能将达到约10亿㎡/年。
2018-11-18 11:07:426105 
从Q1季度之后，NAND闪存价格就止不住下滑了，主要原因是厂商的64/72层堆栈3D NAND闪存产能大增，而需求却降下来了，智能手机市场已经连续多个季度下滑，苹果新机不如预期，英特尔CPU缺货
2018-11-20 10:14:14623 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。顾名思义，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型：单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)。顾名思义，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
8 寸晶圆需求持续成长，国际半导体产业协会（SEMI）预期，全球 8 寸晶圆厂产能也将不断增加，未来 4 年 8 寸晶圆厂产能将增加 70 万片，增幅约 14%。
2019-02-13 16:40:238203 IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。 据IDC数据显示，2019年上半年闪存
2019-03-20 15:09:01282 IDC调整了其对NAND闪存的供需预测，称2019年和2020年的比特量（bit volume）将同比增长39％和38％。并预计闪存价格的降低趋势可能会放缓。
2019-03-24 10:05:26582 
据业内人士预测，NAND闪存价格的大幅下滑将加速SSD存储的采用，到今年底前PCIe/NVMe SSD可能将占据市场一半的份额。
2019-04-02 10:34:432724 2019年全球半导体市场从牛市进入了熊市，领跌的就是DRAM内存及NAND闪存两大存储芯片，其中NAND闪存芯片从2018年初就开始跌价，迄今已经连跌了6个季度。
2019-05-12 09:37:222630 目前NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻NAND闪存，小批量量产了32层堆栈的3D闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3D闪存，产能将会积极扩张。
2019-05-16 10:18:143302 台积电近日举办技术论坛，今年台积电(TSM.US)总产能将以7纳米成长最多，第二代加入EUV的7纳米预计第3季量产，今年7纳米总产能将增加1.5倍，达到100万片约当12吋晶圆。而5纳米一期也已开始装机，预计明年第1季量产。
2019-05-25 11:40:074818 ，但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。虽然先进的工艺带来了更大的容量，但是其可靠性和性能却在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就需要采取额外手段弥补这一问题，这必然会提高成本，以至于在达到某个最高点之后完全抵消掉制造工艺带来的优势。
2019-11-14 15:52:18765 从去年初以来，全球NAND Flash闪存市场价格已经连跌了6个季度，导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑，多家厂商还削减了产能，其中美光削减的NAND产能从之前的5％增加到了10
2019-11-14 15:58:53502 根据韩国媒体报导，半导体硅晶圆厂环球晶圆（GlobalWafers）的韩国子公司MKC，22日举行第2座工厂的竣工典礼。据了解，未来在第2工厂的加入之后，其月产能将可达到17.6万片晶圆。
2019-11-25 11:19:233378 据韩媒BusinessKorea报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND闪存需求将增加，5G通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球DRAM和NAND闪存市场的增长。
2019-12-20 15:18:463156 任何了解SD卡，USB闪存驱动器和其他基于NAND闪存的解决方案基础知识的人都知道，控制这些最小化故障率的关键组件是NAND闪存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
在抢先推出7nm及7nm EUV工艺之后，台积电今年又要抢先量产5nm工艺了，上半年的产能将达到1万片晶圆/月，不过出货的高峰期是Q3季度，产能将提升到7-8万片晶圆/月，主要为苹果、海思包揽。
2020-01-15 09:18:052735 杨道虹表示，目前及今后的一段时间内，长江存储核心任务是推动产能爬坡提升，将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片并按期建成30万片/月产能，提升国家存储器基地的规模效应，带动全省集成电路产业发展。
2020-01-15 09:31:292520 根据国科微官方的消息，国科微搭载长江存储3D NAND闪存的固态硬盘产品已完成批量测试。
2020-01-17 15:17:495053 在NAND闪存市场，三星、东芝、西数、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的产能，留给其他厂商的空间并不多。国内公司中，兆易创新表示能做38nm的SLC闪存，还在推进24nm闪存研发。
2020-04-02 08:54:342726 近日，三星电子宣布了在韩国平泽厂区的扩产计划，除扩建采用极紫外光（EUV）的晶圆代工生产线及DRAM产能之外，还将扩大3DNAND闪存方面的产能规模。业界预估三星电子仅用于3DNAND闪存方面
2020-06-16 10:07:173162 无论消费者还是企业机构，大多数人在谈到闪存时，首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲，NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度，使其成为磁盘的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情况下，固态硬盘（SSD）的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此对您的数据存储产生不同的影响，在这篇文章中，我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 
DIGITIMES报道，供应链传出，今年进入第四季后，苹果Apple Silicon自研芯片所使用的台积电5nm产能将提升，预计月产能达5000-6000片，后续单季有望达20000片。
2020-09-09 16:37:361733 我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。
2020-09-18 14:34:527052 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571857 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 下半年将产能翻倍，达到10万晶圆/月，产能占到全球份额的7%，力求缩短与国际公司的差距。 在这方面，三星是全球最大的闪存生产商，月产能达到48万片晶圆，美光每月的产能也有18万晶圆。 除了产能增长，技术水平上也在追赶，知情人士称长江存储最快在2021年中旬试产
2021-01-12 14:37:426603 昨天日经新闻亚洲版报道称，长江存储2021年的产能将翻倍，达到10万片晶圆/月，年中还有192层闪存的试产，不过长江存储今天否认相关内容。
2021-01-14 09:53:583573 昨天日经新闻亚洲版报道称，长江存储2021年的产能将翻倍，达到10万片晶圆/月，年中还有192层闪存的试产，不过长江存储今天否认相关内容。
2021-01-14 10:21:382074 NAND闪存是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门（NOT-AND），用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
写入问题确实是NAND闪存的在企业级应用中的一个限制么？
2021-04-01 17:50:562894 该NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100 
NAND闪存芯片供应商现在面临四到五个月的库存。今年下半年，芯片价格将迅速下降，季度价格降幅达到近20%。
2022-09-27 10:11:58647 在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常，当人们讨论存储时，他们只谈论NAND闪存，而忽略了单独的，但同样重要的组件，即控制器。但是为什么需要控制器呢？简单地说，没有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND闪存的应用中，编程/擦除周期存在限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
本规范定义了标准化NAND闪存设备接口，该接口提供了设计的系统支持一系列NAND闪存设备，无需直接设计预关联。该解决方案还为系统提供了无缝利用在系统设计时可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 一、NAND闪存市场分析 据欧洲知名半导体分析机构Yole发布的报告显示，2020年起，NAND闪存市场发展趋势保持稳定增长，2021年，NAND闪存市场份额达到了近670亿美元（见图1），同年
2022-12-26 18:13:09991 
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001983 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:21865 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 潘建成表示，群联当前正面临供应短缺问题，若NAND闪存制造商以合理价格提供稳定的供应，将有助于缓解群联的困境。他认为，原厂扩大产能，有利于维护NAND市场秩序，使价格合理回归，否则过高的涨势会打压下游厂商需求。
2024-03-05 14:05:0481 据最新报道，全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略，并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
2024-03-07 10:48:35264 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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