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电子发烧友网>存储技术>首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产,填补我国主流存储器领域空白

首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产,填补我国主流存储器领域空白

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国家存储器基地成功研制出了全球首款128层QLC三维闪存芯片

近日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工,据悉,国家存储器基地的项目是由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,这项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。
2020-09-18 14:54:182533

长江存储将提高NAND闪存芯片的出货量

据国外媒体报道,专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储,将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:492025

一年亏4亿 美光宣布出售芯片工厂!

3D Xpoint技术是美光与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术,比NAND闪存拥有更高的性能和耐用性,旨在填补DRAM和NAND闪存之间的存储空白
2021-03-19 14:25:251207

暖芯迦填补我国相关生物芯片领域空白

资料显示,暖芯迦对生物小信号以及神经信号的采集、编解码、分析算法、大数据模型、高精度控制等领域有深刻的研究,产品研发主要集中在神经接口和生物传感两个领域填补我国相关生物芯片领域空白
2022-11-08 14:56:10813

详解三维NAND集成工艺(3D-NAND Integration Technology)

在20nm 工艺节点之后,传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为了实现更高的存储容量,NAND集成工艺开始向三维堆叠方向发展。在三维NAND
2023-02-03 09:16:578266

NAND芯片是用于哪些领域 NAND和SSD的区别

闪存存储设备:NAND芯片作为主要的闪存存储媒介,被广泛用于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器、内存卡(如SD卡、MicroSD卡)和闪存盘等。
2023-06-28 16:25:495232

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

NAND存储种类和优势

非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 (Flash Memory) 与只读存储器 (Read-Only Memory)。其中,快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储
2024-03-22 10:54:1515

首次亮相!长江存储128 层3D NAND 现身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集团带来了大量产品,其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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