9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 的堆叠NAND闪存 V-NAND实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠,并通过TLC实现了512 Gb(千兆位)容量。它计划于2020年投放市场,并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈
2019-11-25 09:52:315472 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436006 明年苹果iPhone将迎来十周年,届时将发布的iPhone 8将进行大幅升级,除采用了OLED曲面屏全新设计外,配置方面自然也会提升不少。考虑到今年iPhone 7和7 Plus都将存储提升至256GB,如果苹果再提升,明年512GB版iPhone就有望跟我们见面。
2016-11-21 10:39:181007 西数公司日前表示今年会试产512Gb核心容量的64层堆栈3D NAND闪存,单颗核心容量就达到了64GB,比目前主流水平翻倍,制造超大容量SSD硬盘更容易了。
2017-02-07 14:21:31750 据外媒报道,东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存,采用64层堆叠,单晶粒容量512Gb(64GB,TLC),相对于上一代48层256Gb,容量密度提升了65%,这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 电子发烧友早八点讯:三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 1、三星宣布512GB eUFS3.1闪存已大规模生产,写入速度提升3倍 据ZDnet报道,三星电子宣布,已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1。这款新的闪存
2020-03-18 11:33:374512 闪存。 容量方面,该系列产品能够提供内存容量由6GB到12GB、闪存容量由128GB到512GB。 性能方面,LPDDR5能够支持25GB/s的读写速度,相较之前的LPDDR4X快1.5
2021-06-17 07:08:003267 全新的256GB、512GB和1TB闪存设备允许智能手机和移动应用程序充分利用5G网络的高速率 为了继续推动通用闪存(1)(UFS)技术的发展,全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社近日宣布,具有
2023-06-06 14:30:191529 我们将会介绍SSD市场的一些最新发展,如日益普及的3D NAND和存储器单元的堆叠技术。3D NAND紧跟三星之后,慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND闪存。 利用这种技术,使存储单元被垂直堆叠
2017-11-17 14:30:57
,既有超强的性能,同时兼顾了低功耗的设计,外加强大的3D性能及视频处理能力,将成为三星高端市场的主力处理器。S5P6818 核心板尺寸为标配了1GB DDR3内存、8GB EMMC存储并配备有三星电源
2017-06-29 09:30:45
SSD 512GB MLC MSATA
2024-03-14 21:39:58
SSD 512GB SATAIII
2024-03-14 20:38:08
`1.三星嵌入式方案思科德技术是从事三星嵌入式方案开发的专业团队,专注于以三星ARM处理器为核心的嵌入式平台开发。 思科德技术经历多年的研发和服务客户,开发出的产品方案包括平板电脑、手持设备、广告机
2013-11-19 17:26:07
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示,三星不断进行技术创新,新一代的QLC产品成本可以降低60%,同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术,速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面,三星推出
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布,位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术,生产用于服务器等的NAND闪存(V-NAND)。三星电子希望在IT(信息技术)设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
DTDUO3C/32GB/64GB闪存硬盘DTDUO3C/128GB全球记忆体模块龙头金士顿 (Kingston)亚太区Flash Memory业务总监苏治源表示,该公司NAND Flash产品去年
2022-02-10 12:26:44
固态硬盘(SSD) FLASH - NAND(TLC) 512GB mSATA
2024-03-14 22:58:08
3D NAND提高市场竞争力,控制芯片选择了Silicon Motion SM2262EN。原厂早在2018下半年开始量产96或92层3D NAND,并陆续推出了新制程的SSD,比如:三星970
2022-02-06 15:39:12
USB2.0接口,并且在2.0接口时也能够有足够的传输速度。目前将推出512GB的版本,1TB版本将在第一季稍后上市。DTVP30/4GB/8GB/16GBDTVP30/32GB/64GB
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片没任何区别,均包含256Gb和512Gb两种规格,但是采用BiCS 4技术的QLC的存储芯片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。同时西部数据在他们的PPT中表示从
2022-02-03 11:41:35
64层3D TLC NAND的512Gb,容量翻倍,这使得总GB当量的NAND Flash供应增加。在需求方面,虽然三星、苹果、华为等高端旗舰机容量向512GB升级,但是全球智能型手机出货放缓,尤其是
2022-02-01 23:19:53
S29GL512S10FAI020闪存芯片S29GL512S11DHI010西部数据发布首款采用3D TLC NAND的汽车嵌入式UFS存储产品,以满足高级驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶汽车等
2022-02-02 08:17:42
应用。2018年智能型手机对大容量需求强劲,尤其是苹果、三星、华为等新机容量向512GB升级,正推动高端旗舰机容量需求翻倍增加。西部数据iNAND MC EU321 UFS2.1产品采用了96层3D NAND技术
2022-02-02 08:45:13
*timer){return HRTIMER_NORESTART;//不重复触发,HRTIMER_RESTART;//是重复触发返回值}测试精度达到1.5us. S5P 6818三星嵌入式开发板高精度定时器
2017-12-04 11:27:25
SDCS2/256GB-3P1A闪存硬盘SDCS2/512GB-3P1A预期未来将是平板计算机和轻薄笔电的时代,为满足现今消费者对行动装置轻巧便利的产品需求,Kingston Digital
2022-02-08 11:17:32
SSD 512GB MLC M.2 SATAIII
2024-03-14 20:16:33
东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块,这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品,包括手机和数码相机,样品将于2008年9月出厂,从第四季度开始量产
2008-08-14 11:31:20
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品,可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
的3D闪存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND闪存(3DNAND闪存中的一种),率先支持ToggleDDR4.0接口,传输速度达到了1.4Gbps,相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
大家好,我有一个有趣的困境,我无法在网上找到任何地方。我有一个三星970 pro 512gb用于启动驱动器,WD Black 4TB Hdd用于存储,而intel optane 800p 58gb
2018-12-03 15:33:05
闪存(charge trap flash,简称CTF)路线,相比传统的FG(Floating Gate,浮栅极)技术难度要小一些。最终,三星量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存,目前已经发展了六
2020-03-19 14:04:57
处理器,1GB DDR3 1600内存及8GB eMMC,配合专用的电源管理芯片,支持锂电池管理,将性能与功耗完美平衡,能满足大多数用户的需求。对于要求苛刻的场合,飞凌嵌入式还可提供工业级和汽车级
2015-05-20 14:47:23
产品系列,满足市场对不同性能的需求。 飞凌嵌入式i.MX6开发平台采用核心板+底板结构,默认配置为:4核i.MX6Quad处理器,1GB DDR3 1600内存及8GB eMMC,配合专用的电源管理
2015-05-20 17:58:22
三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片,单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:04713 金士顿发布512GB新品固态硬盘
金士顿今天发布了新款SSDNow V+系列固态硬盘,容量达到512GB。虽然原本印象中SSDNow V系列以低价面向固态
2010-01-27 09:22:02552 11月21日消息,目前苹果iPhone手机最高存储容量为256GB。现在有微博网友爆料,苹果将在明年将iPhone8高配版存储容量升级为512GB。
2016-11-21 17:54:062531 迷你的BG系列M.2 SSD,尺寸进一步下降到了20*16mm,远小于现有的2242规格,最大可以做到512GB容量。
2017-01-10 02:59:115142 如今,不少手机都不能拓展内存,用户在使用时,可能会遇到过存储空间不足的情况,只能不断删文件清出空间。为了解决这一问题,台湾某厂商就推出了一款UFS 2.1主控制器,最高可搭配512GB闪存。
2017-03-13 14:38:52805 在三星S8卖得最火热的时候,S9也慢慢被曝光了。据悉,三星S9身上有诸多光环——骁龙845顶级处理器、8GB运存 、512GB存储空间、5.7英寸4K AMOLED屏幕等。
2017-05-16 11:07:511793 2018年是3D NAND产能快速增长的一年,主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重,而且相较于2D NAND技术,64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用,使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00667 三星512GB UFS闪存开始量产,它具有860MB/s读取速度和255MB/s写入速度,它的存在必将灭亡手机存储卡。
2017-12-05 14:21:281450 三星表示,这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发,其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比,虽然容量翻一倍,但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441038 苹果之前向外宣布明年的新iPhone将会进行扩容到512GB储存容量,不久后就有网友爆出中国厂商已经率先为iPhone加512GB存储,抢先苹果官方一步,还表明升级512GB 容量并不太复杂。
2017-12-10 09:59:519164 在Intel第三代3D闪存固态盘我们可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技术,Intel的单Die升级到了512Gb,不需要整合DRAM做缓冲池。具体的信息将会CES 2018上才知晓。
2017-12-25 15:18:453039 据报道最大容量512GB的microSD存储卡终于开始发售,该卡支持Video Speed Class 10即V10标准,满足10MB/s写入速度,可用于一般的电子移动设备。
2018-01-23 16:06:441378 三星在今年必然会发的手机中,还有一款备受期待,就是三星Galaxy Note 9,在外观上可能会继续保留Note 8的设计,但会在内部性能上有明显的提升。根据知情人士爆料,Galaxy Note 9很有何能带来8GB内存+512GB存储的配置。
2018-06-11 16:37:00717 日前,英国一家名为Integral Memory的公司,推出了全球首款512GB TF存储卡。
2018-06-01 15:10:004760 据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况,三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒,堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167 随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die,以及提高新工厂的产出量,2018年三星将全面向3D NAND普及,美光预计2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607 三星在德国官方网站上架了512GB的存储卡,它的价格高到吓人,将近2300元,再加个两百元,都快买部小米8的旗舰机了。
2018-11-02 14:42:433324 联想小新潮7000 14锐龙版搭载了512GB的NVMe PCIe SSD,读写性能不仅大幅领先于普通SATA SSD,即使与同系列256GB相比,连续写入速度也有较大提升。同时采用8GB DDR4
2018-11-08 17:29:055838 今年8月初,NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64层3D堆叠,单芯片容量1Tb(128GB)。
2018-11-23 08:36:52935 6月15日,三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND,与48层256Gb V-NAND相比,生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 价格方面,11英寸无线局域网+蜂窝网络机型售价分别为7699元(64GB)、8899元(256GB)、10499元(512GB)和13699元(1TB)。12.9寸无线局域网+蜂窝网络机型售价分别为9299元(64GB)、10499元(256GB)、12099元(512GB)和15299元(1TB)。
2018-12-30 10:00:003149 1TB固态硬盘单价已经有节奏的下跌50%,存储芯片价格崩盘再次给高容量的固态硬盘普及推波助澜。很快,传说中的512GB和1TB产品将会成为主流。
2019-02-18 15:19:051146 随着3D闪存的问世,固态硬盘的容量一直在提升,同时SSD主控技术也在进步。早在850 PRO和850 EVO这一行业首个使用V-NAND技术的消费者固态硬盘,当时用的还是MHX主控,闪存则是从32层堆栈升级到了48层堆栈。
2019-05-09 11:25:2623082 现在,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 的存储空间将从64GB提高到128GB,iPhone XI系列会保留256GB/512GB的高配版本,但iPhone XR 2019是否会提供512GB存储版本还未能确定。
2019-06-08 18:08:005443 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端产品。该机配备6.4英寸显示屏,后置三颗摄像头,包括一个主摄像头、一个景深镜头和一个广角镜头;配备4000mAh电池,辅以64GB存储,支持512GB最大扩容。
2019-06-12 16:44:442727 数据的高速膨胀加大了用户对大容量SSD的需求,上个月,影驰正式推出了主打大容量的全新擎系列SSD,目前拥有512GB和1TB两种型号,未来还会根据用户的需求推出更多、更大的容量。
2019-07-12 09:27:022823 据外媒报道称,三星欧洲等官网上都已经出现了Note 10的细节,不过虽然不多,但是还是能看出一些端倪,比如Note 10+将会运行安卓10.0系统,并且顶配是512GB版本,当然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:477818 Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清触控屏,采用8GB LPDDR4X内存,最高512GB机身存储,最多支持1TB的micro SD卡。这款笔记本电脑的电池42Wh,三星称视频播放时间长达23小时,这表明充满电就能用一整天。该笔记本电脑还支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551150 三星发布全新企业级固态硬盘PM1733,该产品采用了三星自家研发的主控,搭配自家的第五代V-NAND闪存,单Die容量512Gb(64GB),提供两种不同规格,一个是2.5英寸双U.2接口,另一个是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:492564 5G超级SIM卡有SIM卡有完整通讯功能的同时,它也是一张超大容量的存储卡。目前有32GB、64GB和128GB三个版本,未来还将推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 三星推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个活动层。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04624 三星推出了第六代V-NAND内存,为了进一步提高容量和密度,它拥有100多个活动层。从性能的角度来看,要使V-NAND具有超过100层的可行性,三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251151 跟据先前曝光的信息显示,三星W20 5G基本款的内部存储空间将上调到512GB,而去年基本型号的W系设备则只有128GB存储空间和256GB选项。同时预计还将支持UFS 3.0存储。
2019-09-17 10:31:521942 9月19日晚上20点,Redmi最强旗舰K20 Pro尊享版将正式发布,官方最新预热海报显示,新机将搭载512GB超大存储空间。
2019-09-18 11:48:314971 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 据悉,三星W20 5G采用4235mAh双芯电池,搭配12GB+512GB大内存,采用Dynamic AMOLED材质的可折叠柔性屏幕,6摄像头组合。
2019-11-20 10:16:341041 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64层3D堆叠,单芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156 为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB?
2019-12-17 09:55:3515894 为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB?
2019-12-17 09:59:535930 今日,三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存,可用于手机、平板等。
2020-03-17 11:45:262147 三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片,其连续写入速度超过1.2GB/s,是其前代产品写入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143065 3月18日消息,据国外媒体报道,三星电子日前公告称,该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片,适用于旗舰智能手机。
2020-03-18 17:01:052534 智能手机的运算能力越来越高,下载速度也越来越快,储存芯片的读写速度亦需要配合,才能发挥每个环节的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片,它的特点就是其读写速度较上一代更快。
2020-03-21 10:06:272417 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,TLC颗粒,容量达512Gb(64GB)。 据,SK海力士透露,该闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321072 加而成,第一批为TLC颗粒,单个Die的容量为512Gb(64GB),当然后期很可能会加入QLC。 更重要的是,美光不只是宣布了新技术,而且176层闪存已经量产并出货了,已经用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD,明年还会发布更多新产品。 在176层闪存技术上,美光
2020-11-14 10:01:201797 、512GB,那么这两种情况下SSD有什么区别,厂商为什么要隐瞒部分SSD容量呢? 针对这个现象,长江存储旗下的致钛科技今天继续科普SSD硬盘,这次就谈到了SSD足容的问题。 首先,闪存颗粒在设计的时候都是以2的幂次方来设计的,比方说256GB、512GB等,所以依托于闪存颗粒进行
2020-12-01 16:24:369782 继美光后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb(64GB),TLC。 SK海力士透露,闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:271552 继美光后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb(64GB),TLC。
2020-12-07 13:44:091666 12月7日,韩国半导体公司SK海力士表示,近期已成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。
2020-12-08 11:01:411697 (约合人民币8400元); Galaxy S21 Ultra起售价1349欧元(约合人民币10700元)。 值得注意的是,Galaxy S21 Ultra提供了128GB、256GB和512GB三种存储选择,其中512GB顶配版本售
2020-12-23 10:18:333010 据供应链消息,今年 iPhone Pro 系列的最高存储容量将从 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521 根据官方介绍,除子18GB运存,红魔6 Pro氘锋透明版还配备512GB大存储空间,售价6599元,比256版本的iPhone12便宜1000元。
2021-03-08 17:03:138240 今日,作为先进内存技术的厂商,三星宣布开发出三星首款512GB内存扩展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商业化迈出了重要一步,CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。
2022-05-10 10:16:081370 的整体使用体验。 本次升级的目的是找一块价格实惠且拥有不错性能的固态硬盘,于是致钛的 SC001 Active系列 512GB 版本就成为了我的选择,对于没有多余 M.2 接口的用户来说,2.5 吋 SATA 盘的拓展性时至如今仍旧非常优秀。并且 SC001 搭载的长江存储原厂颗粒品质
2022-06-16 15:03:4211465 搭载 MediaTek 天玑 8100 5G 移动平台,兼具澎湃性能与冰封能效;LPDDR5 + 512GB 超大存储组合,处理速度大幅提升;144Hz 高配 LCD 屏幕,畅享高配护眼视觉
2022-10-27 09:57:184258 和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND,
2022-11-08 13:37:36577 2Gb以下容量的 NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。
2023-06-10 17:21:001983 三星电子计划从今年第四季度开始生产128gb和256gb产品,并生产512gb产品。256gb产品的连续读取速度为2000兆/秒,连续写入速度为700兆/秒。
2023-07-14 11:33:52452 据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282
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