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电子发烧友网>存储技术>三星512GB嵌入式通用闪存量产,采用64层512Gb V-NAND电路设计和电源管理技术

三星512GB嵌入式通用闪存量产,采用64层512Gb V-NAND电路设计和电源管理技术

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为什么512GB硬盘实际容量只有480GB

为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB
2019-12-17 09:55:3515894

512GB硬盘到手后容量缩水?原因是这个

为什么买了512GB的硬盘到手只有480GB
2019-12-17 09:59:535930

三星电子宣布开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存 相较上一代写速提升200%

今日,三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存,可用于手机、平板等。
2020-03-17 11:45:262147

三星量产512GB eUFS 3.1芯片,写入速度是SATA硬盘的两倍以上

三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片,其连续写入速度超过1.2GB/s,是其前代产品写入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143065

三星将大规模量产512GB eUFS 3.1芯片

3月18日消息,据国外媒体报道,三星电子日前公告称,该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片,适用于旗舰智能手机。
2020-03-18 17:01:052534

三星宣布大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片 读写速度较上一代更快

智能手机的运算能力越来越高,下载速度也越来越快,储存芯片的读写速度亦需要配合,才能发挥每个环节的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片,它的特点就是其读写速度较上一代更快。
2020-03-21 10:06:272417

长江存储首发128层QLC闪存

长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

SK海力士完成业内首款多堆栈176层容量达512Gb的4D闪存

存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,TLC颗粒,容量达512Gb64GB)。   据,SK海力士透露,该闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321072

被美光抢先推出176层闪存 三星回应技术延误

加而成,第一批为TLC颗粒,单个Die的容量为512Gb64GB),当然后期很可能会加入QLC。 更重要的是,美光不只是宣布了新技术,而且176层闪存已经量产并出货了,已经用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD,明年还会发布更多新产品。 在176层闪存技术上,美光
2020-11-14 10:01:201797

SSD 256GB512GB有什么区别,厂商为什么要隐瞒部分SSD容量呢?

512GB,那么这两种情况下SSD有什么区别,厂商为什么要隐瞒部分SSD容量呢? 针对这个现象,长江存储旗下的致钛科技今天继续科普SSD硬盘,这次就谈到了SSD足容的问题。 首先,闪存颗粒在设计的时候都是以2的幂次方来设计的,比方说256GB512GB等,所以依托于闪存颗粒进行
2020-12-01 16:24:369782

SK海力士完成业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb64GB),TLC

继美光后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb64GB),TLC。 SK海力士透露,闪存单元架构为CTF(电荷捕获),同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:271552

SK海力士发布多堆栈176层4D闪存采用TLC

继美光后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb64GB),TLC。
2020-12-07 13:44:091666

三星电子正在研发第七代V-NAND,预计明年批量生产

12月7日,韩国半导体公司SK海力士表示,近期已成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存
2020-12-08 11:01:411697

三星Galaxy S21系列在欧洲市场的售价曝光:512G顶配售价超一万二

(约合人民币8400元); Galaxy S21 Ultra起售价1349欧元(约合人民币10700元)。 值得注意的是,Galaxy S21 Ultra提供了128GB、256GB512GB三种存储选择,其中512GB顶配版本售
2020-12-23 10:18:333010

供应链消息:iPhone Pro系列的最高存储容量从512GB翻倍到1TB

据供应链消息,今年 iPhone Pro 系列的最高存储容量将从 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521

全球首款18GB手机红魔6 Pro氘锋透明版登场

根据官方介绍,除子18GB运存,红魔6 Pro氘锋透明版还配备512GB大存储空间,售价6599元,比256版本的iPhone12便宜1000元。
2021-03-08 17:03:138240

三星开发出首款512GB内存扩展器

今日,作为先进内存技术的厂商,三星宣布开发出三星首款512GB内存扩展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商业化迈出了重要一步,CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。
2022-05-10 10:16:081370

致钛SC001 Active系列512GB版本SSD的性能测试

的整体使用体验。 本次升级的目的是找一块价格实惠且拥有不错性能的固态硬盘,于是致钛的 SC001 Active系列 512GB 版本就成为了我的选择,对于没有多余 M.2 接口的用户来说,2.5 吋 SATA 盘的拓展性时至如今仍旧非常优秀。并且 SC001 搭载的长江存储原厂颗粒品质
2022-06-16 15:03:4211465

Redmi Note 11T Pro 512GB大存储,性能小金刚

搭载 MediaTek 天玑 8100 5G 移动平台,兼具澎湃性能与冰封能效;LPDDR5 + 512GB 超大存储组合,处理速度大幅提升;144Hz 高配 LCD 屏幕,畅享高配护眼视觉
2022-10-27 09:57:184258

三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb

和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND
2022-11-08 13:37:36577

NAND闪存特点及决定因素

2Gb以下容量的 NAND闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。
2023-06-10 17:21:001983

三星开始量产车载超低功耗UFS 3.1闪存:最大512GB

三星电子计划从今年第四季度开始生产128gb和256gb产品,并生产512gb产品。256gb产品的连续读取速度为2000兆/秒,连续写入速度为700兆/秒。
2023-07-14 11:33:52452

三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%

据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

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