9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 ，只有一层的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情况下增加容量。然而，在像高层建筑物中那样允许单元（NAND的最小单位）沿3D方向存储的3D NAND中，容量可以随着
2019-10-04 01:41:004991 三星最近打破了目前市场上最高64GB的束缚，本周正式宣布128GB的NAND存储芯片。
2012-09-21 10:14:521059 西数公司日前表示今年会试产512Gb核心容量的64层堆栈3D NAND闪存，单颗核心容量就达到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盘更容易了。
2017-02-07 14:21:31750 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:128497 
据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
2017-02-27 09:21:371380 
提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND闪存。慧荣科技身为SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551390 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
128GB容量。并且带来的成本优势开始减弱，16nm制程后，继续采用2D 微缩工艺的难度和成本已超过3D技术，因此3D NAND开始成为主流。比如旺宏也计划跟进在2020年下半年实现48层128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
。s3c2410_nand_inithw //去初始化硬件相关的部分，主要是关于时钟频率的计算，以及启用nand flash控制器，使得硬件初始化好了，后面才能正常工作。3. 需要多解释一下的，是这部分代码：for (setno = 0
2018-07-17 15:00:00
闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。此外，铠侠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片，同样是基于东芝BiCS 3D存储技术打造，设计容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
上，对CPU的接口要求低；有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。但不同容量的NorFlash的地址线需求不一样，Nor Flash芯片容量升级不便。 （3）Nand Flash和Nor
2023-02-17 14:06:29
，主要有两种存储芯片：NOR Flash和NAND Flash。对于大容量需求，通常会选择NAND Flash。然而，使用NAND Flash会引发一些问题：
NAND Flash存在坏块，需要坏块
2024-01-24 18:30:00
。请帮我确认一下。3、我们的PCB为了节省空间，只想用两片16bit的内存，也就是只连接DDRC0控制器，总容量为1GB，另外一个DDRC1不连接，请问将来跑linux系统和DSP算法同时运行，这样设计能否满足要求？希望大家给予帮助，谢谢大家了。
2018-05-28 13:30:39
DTDUO3C/32GB/64GB闪存硬盘DTDUO3C/128GB全球记忆体模块龙头金士顿 (Kingston)亚太区Flash Memory业务总监苏治源表示，该公司NAND Flash产品去年
2022-02-10 12:26:44
在台投资的公司包括封测厂力成、华泰，控制芯片业者群联、鑫创、擎泰等，在内存产业的上下游布局相当完整。KF318LS11IB/4KF318LS11IB/8KF318LS11IBK2/16EMMC04G-M627EMMC04G-MK27EMMC04G-M657EMMC08G-ML36EMMC16G-TB29EMMC32G-TX29EMMC64G-TX29EMMC128-TX29EMMC04G-W627EMMC16G-IB29EMMC32G-IX29EMMC64G-IX29EMMC128-IX2904EMCP04-NL3DM62708EMCP04-NL3DT22708EMCP08-NL3DT22716EMCP08-NL3DTB2816EMCP16-EL3GTB2916EMCP16-ML4ATB2932EMCP16-EL3GTB2932EMCP16-ML4ATB2932EMCP24-EL3JTB2932EMCP32-ML4BTB2964EMCP24-EL3JTA2964EMCP32-EL3HTA2964EMCP32-ML4BTA2904EPOP08-NL3DM62704EPOP04-NL3DM62708EPOP04-NL3DT22708EPOP08-NL3DT227D1216ECMDXGJDD2568ECMDPGJDD2516ECMDXGJDD5128ECMDPGJDD2516ECMDXGMEB5116ECMDXGJDD1216ECMDXGJDID2568ECMDPGJDID2516ECMDXGJDID5128ECMDPGJDIB5116ECMDXGJDI
2022-02-08 11:05:15
NAND制程的M10Pe和M9V SSD。除原厂之外，下游的SSD品牌厂已陆续进入了新的制程阶段，相较于64层3D NAND，96层3D NAND使单颗Die容量向1Tb普及，不仅将推动SSD容量
2022-02-06 15:39:12
-2P/256GB-2PDTKN/32GB/64GBDTKN/128GB/256GBDT80/32GB/64GBDT80/128GB/256GBDT100G3/32GB/64GBDT100G3/128GB/256GB
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？
2023-03-22 07:06:21
行业资本支出的增加，以及美光176层3D NAND产能正在提升，因此对行业保持谨慎乐观的态度，但同时也看到了NAND行业需求正在改善，需要继续关注NAND行业的资本支出和供应增长情况。另外，对于主控
2021-12-27 16:04:03
采用BiCS4技术的96层3D NAND已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到西部数据的BiCS 4 NAND不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
64层3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，这使得总GB当量的NAND Flash供应增加。在需求方面，虽然三星、苹果、华为等高端旗舰机容量向512GB升级，但是全球智能型手机出货放缓，尤其是
2022-02-01 23:19:53
，西部数据早2017年宣布成功研发出96层3D 和QLC NAND，单Die容量最高可达1.33Tb。随着新一代96层3D NAND技术的成熟，西部数据正在积极导入嵌入式产品中应用，满足移动设备不断
2022-02-02 08:45:13
S34MS16G202BHI000闪存芯片S34ML08G101TFB003 西部数据宣布成功开发了4-Bits-Per-Cell(X4）架构的64层3D NAND（BiCS3）。在以前的2D
2022-02-04 10:27:01
` CS品牌创世SD NAND内置的控制器可以支持3D TLC的管理，功能非常强大，读写速度最高支持到10MB/S，满足物联网和可穿戴设备的需求，并且兼容市面主流主控。 支持SDIO接口访问
2019-09-29 16:45:07
-2P1ASDCS2/128GB-2P1ASDCS2/256GB-2P1ASDCS2/512GB-2P1ASDCS2/32GB-3P1ASDCS2/64GB-3P1ASDCS2/128GB-3
2022-02-08 11:17:32
)，MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell), QLC (Quad-Level Cell) 和3D NAND Flash。他们的区别在于每个cell
2022-07-01 10:28:37
这是我的nand flash测试的结果，第五个是0xbc位值如下bit3/2是11表示plane number是8，bit6/5/4是011表示plane size是512Mb。那么这款芯片的容量
2019-03-07 07:45:07
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
数以百万计的柱形晶体管来控制每个存储单元。最后连接每个独立的存储单元，把3D晶圆连到金属层。 Sze预测：“BeSang 3D芯片的成本可非常低，因为可以在一个工艺中将所有逻辑电路加到晶圆底部，而在另一个
2008-08-18 16:37:37
4个插槽，我们可以容纳128GB内存，但CPU只支持64GB内存。DELL 7730也是如此非常感谢以上来自于谷歌翻译以下为原文Hi everyone,I wonder how can Lenovo
2018-10-26 14:58:40
的指令效率以及代码密度比传统的8位单片机高。内置的集成模拟运放和模拟比较器，还有可编程的运放反馈回路使得单颗EFM32芯片即可实现了完整的信号链，只要EFM32 + 3D眼镜专业芯片共2个芯片即可完成
2012-12-12 17:43:37
最新的e.MMCTM标准，适用于各种广泛的数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动，8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。新产品在单一封装内整合了
2018-09-13 14:36:33
的96层3D闪存使用的是新一代BiCS4技术，QLC类型的核心容量高达1．33Tb，比业界标准水平提升了33％，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2．66TB。 国内崛起撬动全球
2021-07-13 06:38:27
创始人J.Wong在魅族论坛中回应网友质疑时，也确认了这就是Flyme 3.0系统。 另外，据消息人士透露，魅族MX3将会推出128GB版本，届时MX3将可能出现16GB、32GB、64GB
2013-08-27 17:01:40
适应NAND FLASH阵列应用，并且可以适应各种各样的NAND FLASH芯片型号。8x8(8行8列:8个片选,64位数据总线) NAND FLASH阵列的存储速度可达380MB/S。FPGA内部
2014-03-01 18:49:08
复杂（很多就是2层板），SD NAND的这种封装可以产品的PCB板继续简单且小巧。 CS品牌SD NAND容量是128MB、512MB，后期会推出1GB和4GB容量的SD NAND.客户可以根据自己
2019-10-10 16:55:02
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆，自带坏块管理，10W次擦写寿命，1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
英特尔SSD 800P，900P，905P系列的存储介质都是相变存储器，我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
我使用TMS320C6657芯片，NAND Flash容量需要做到16GB(128Gb)，需要外接两个8GB的NAND Flash芯片，我想使用EMIF16接口的EMIFCE0/1
2018-07-25 07:55:57
笔者有个笔记本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字库，想升级一下，请问可以更换那些字库？可以更换128GB的哪些型号？N3150 Braswell平台
2020-06-09 06:36:04
三星推出64GB moviNAND闪存芯片
三星近日公布了两款采用新制程技术的闪存产品。其中moviNAND闪存芯片产品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，单片封装的最大容量可达64GB
2010-01-14 17:00:04713 2010年NAND Flash价格发展持续两极化
NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有
2010-01-27 09:47:59483 Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND闪存技术新基准 flash technology – 世界第一款20纳米、128Gb的多层单元(MLC)器件。
2011-12-07 10:02:541875 SanDisk NAND闪存部门今天宣布公司将开始生产128Gb，也就是16GB容量的闪存芯片，该芯片将采用19纳米制程，每单元三层结构，尺寸为0.26平方英寸，比一个一便士硬币还要小，而传输速率可
2012-02-23 10:44:06847 
云端的存储解决方案并不是适用于所有的移动平台用户。最近，三星打破了目前市场上最高64GB的束缚，本周正式宣布128GB的NAND存储芯片。
2012-09-21 10:11:25879 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片，64层堆叠封装，单颗容量可以做到768Gb(32GB)，可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。
2017-07-04 14:43:502633 iPhone7/7Plus刚上市时，最受追捧的亮黑色不仅没有64GB版本，连32GB都没有。现在最受关注的苹果10周年纪念版iPhoneX只有64G和256G，没有中间最合适的128GB，那么苹果砍掉128GB是为什么？
2017-09-27 16:35:1837929 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00667 随着上游NAND Flash原厂的64层3D NAND产能持续开出，且被大量应用在SSD产品线，今年以来高容量SSD价格持续下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD现货价已降至40～43美元
2018-06-26 15:39:493933 
随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161227 7月20日，东芝/西部数据宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），单Die容量最高可达1.33Tb，预计将在2018下半年开始批量出货，并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。
2018-08-08 15:10:01724 
原厂全面转向3D NAND供应出货，QLC（4bit）新架构的助攻下，2018年NAND Flash Bit市场供应量增幅将超过40%。
2018-08-11 09:35:002864 
紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002185 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462115 随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die，以及提高新工厂的产出量，2018年三星将全面向3D NAND普及，美光预计2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607 随着64层/72层3D NAND产出的增加，以及原厂QLC和96层3D技术快速发展，NAND Flash在经历2年涨价后，2018年市场行情从缺货转向供应过剩，再加上成本下滑，以及供需双方博弈刺激下，预计2018年全球SSD出货量将超过1.9亿台，甚至有望冲刺2亿台。
2018-08-31 16:15:002324 Cell )NAND将迈入百家争鸣时代，带动消费性固态硬盘(SSD)容量快速升级至TB等级，加上长江存储发布新一代3D NAND架构Xtacking，试图超车追赶国际大厂，全球NAND Flash产量持续增加，战火愈益激烈，2019年NAND Flash市场恐将大幅震荡。
2018-08-29 17:46:266586 ，也意味着成本更低。 东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb
2018-10-08 15:52:39395 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三种容量选择。
2019-02-18 15:33:373673 今日援引自产业链消息透露，苹果将要发布的新iPhone手机，起售价格或超1万元。原因在于新iPhone将取消64GB存储版本，直接128GB起跳。
2019-07-22 09:39:422501 5G超级SIM卡有SIM卡有完整通讯功能的同时，它也是一张超大容量的存储卡。目前有32GB、64GB和128GB三个版本，未来还将推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 在近日于韩国首尔举行的存储开放日活动中，Intel推出了使用QLC闪存的新款固态硬盘665P，继续使用了660P所采用的慧荣SM2263主控，但闪存颗粒升级为96层3D QLC，但单Die依旧维持1024Gb容量（128GB）。
2019-09-27 15:22:293276 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481156 日前，@Redmi红米手机 正式官宣，Redmi K30 5G的6GB+64GB/128GB版将于明天上午10点正式开售，售价分别为1999元和2298元，不过这两个内存版本只有“深海微光”一种颜色可选。
2020-01-13 11:45:25940 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存储设备包含一个128Gb的48针TSOP封装。所有可能的配置可能不可用。有关当前零件号的列表，请参见第0页的“市场营销零件
2020-07-01 08:00:00
6 两年前，美光发布了全球首款采用3D QLC NAND闪存颗粒的SSD，型号为5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已经得到全面升级，可以作为机械硬盘的完美替代品。
2020-04-10 09:14:412476 今日（4月13日），长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商场SSD等终端产品上通过验证。
2020-04-13 09:23:09805 首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557 2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:522653 4月13日，紫光集团旗下的长江存储科技有限责任公司（长江存储）宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。
2020-04-13 17:14:491128 长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功，型号为X2-6070，并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:062793 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:002648 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091032 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-12 09:54:014145 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 ，已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片，是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片，是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成为闪存市场的主要供应厂商之一，并在今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片，是目前行业内首款单颗Die容量1.33Tb的NAND 闪存。慧荣科技身为SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快
2020-11-03 16:12:083855 
特斯拉在中国官网上架128GB U盘。
2020-11-27 09:35:204103 指出，在 2020 年 Q3，华为大量备货，对消费性、低容量的 MLC eMMC 以及元件端的 NAND wafer 也有影响，推升了 Q3 NAND Flash 的位元出货量。 IT之家了解到，根据
2020-12-01 10:30:271575 了解到，670p 是继 660p 和 665p 之后的一款全新的 3D QLC NAND SSD，采用了新的主控，支持 PCIe Gen3。容量可选 512GB 到 2TB，具体的读写速度还没公布。另外
2020-12-17 09:30:222364 Flash ROM NAND Flash ROM 应该是目前最热门的存储芯片了。因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。比如你买手机，肯定会考虑64GB，还是256GB？
2024-03-01 17:08:45160 
在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
电子发烧友App
工商网监
评论