东芝存储公司6日宣布推出一种新的存储器（SCM）XL-FLASH，并开始提供样品。该产品使用1位/单元SLC技术，使用96层堆叠工艺实现3D闪存BiCSFLASH的高速读写。128Gbit芯片的样品
2019-08-07 18:11:29
4996 Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会
2019-12-13 10:46:0711441 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161205 包括三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）与东芝（Toshiba）为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15775 被东芝（Toshiba）视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND型快闪存储器（Flash Memory）”事业分拆出来。
2015-12-22 08:17:04669 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0640846 
受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:128497 
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:231529 借由此案进入3D NAND代工，更说服东芝在台湾设厂生产，此举目的是击破三星电子长期来以存储器利润补贴逻辑亏损的策略，一报大客户高通（Qualcomm）被抢之仇。
2017-03-02 07:51:24632 市调机构集邦科技预期，今年储存型快闪存储器（NAND Flash）整年都将维持供应吃紧的情况，NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。
2017-03-08 10:11:39580 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息：他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355198 日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式；东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑，表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。
2018-09-20 09:25:425007 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:292569 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 
NOR Flash。 全球 NOR Flash 厂商主要有美光科技、飞索半导体(Spansion）、旺宏、华邦等 IDM 企业。全球 NAND Flash 厂商主要有三星电子、东芝、SK 海力士、美光科技四家 IDM 企业。
2023-11-23 09:36:17917 
我们将会介绍SSD市场的一些最新发展，如日益普及的3D NAND和存储器单元的堆叠技术。3D NAND紧跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND闪存。 利用这种技术，使存储单元被垂直堆叠
2017-11-17 14:30:57
，既有超强的性能，同时兼顾了低功耗的设计，外加强大的3D性能及视频处理能力，将成为三星高端市场的主力处理器。S5P6818 核心板尺寸为标配了1GB DDR3内存、8GB EMMC存储并配备有三星电源
2017-06-29 09:30:45
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
产品，如今正在量产中，19nm生产96层256Mb的3D NAND Flash，将在明年实现。疫情带来的影响还在持续，远程服务的诸多应用持续带动数据中心需求，而消费类电子产品的平板、笔记本电脑等也因远程
2020-11-19 09:09:58
Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构Nand flash的内部组织结构，此处还是用图来解释，比较容易理解：图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
据国外媒体报道，三星周二表示，将停止在欧洲市场继续销售基于谷歌系统的Chromebook和基于微软Windows的笔记本电脑。欧洲PC业务将关闭，但此举不会波及其他地区。“我们只是对市场需求的及时
2014-09-25 10:32:11
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。 国际电子
2015-12-14 13:45:01
三星电子宣布开发出720万像素的CMOS图像传感器(CIS)，据称这是世界上第一款720万像素的袖珍相机CIS。在此前的6月份，三星推出了500万像素CIS。 三星这款720万像素的CIS
2018-11-19 17:12:09
韩国《每日经济新闻》3月15日消息，三星电子已在日本建立一个新的半导体研发中心，将现有的两个研发机构合二为一，旨在推进其芯片技术并雇佣更多优秀研发人员。据报道，三星电子于去年年底重组在日本横滨和大阪
2023-03-15 14:04:55
三星电子近日宣布成功开发出高质量的CMOS图像传感器（CIS）芯片和照相机模组。该照相机模组有1/3英寸SXGA（130万像素）、1/5.8英寸VGA（33万像素）两种规格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
222MHz32-MbitSGRAM。 2001年，三星电子移动电话生产量超过5千万台，并开发出世界最大的40英寸TFT-LCD显示器。 2001年，三星电子销售额达到247亿美元，创利润22亿美元。在存储器芯片
2019-04-24 17:17:53
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
（Frame sequential）功能的3D显示器应该只有三星一家。 说到这里，笔者最近正在测试三星的23吋SA950系列3D显示器，并且亲自体验了一把接蓝光播放机的原生3D效果，可以说非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
2011年5月5日，笔者在商家“上海谱康科技手机网”http : // www . sharp-sh . com/处了解到，三星旗下旗舰级产品三星I9000 最新报价为2430元，配置为原装一电一充
2011-05-04 18:51:39
MOPIC的无需佩戴眼镜或设备就能实现VR的3d智能手机壳。三星note8手机壳为什么能做3d显示屏？其实，原理是将凸透镜制作成薄膜,贴在手机壳上。与之前的技术不一样的是，在观看虚拟现实（VR）时是不需要
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功举办，来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖，与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星：看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
对DRAM价格带来不利的影响。三星打什么算盘颇堪玩味，而更多人担心，存储器产业也许在未来几年会有一个大的翻转，已经主导需求超过30年的DRAM、Flash组成存储器产业，会不会在MRAM等新技术出现后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
目前市场需求并不在电动车方面。此外，据路之遥电子网获悉，三星公司也在研发自家品牌汽车，有望是采用自动驾驶技术的纯电动车。长期看来，三星公司生产制造此电动车电池也是合情合理，既能满足自家汽车需求，也能出售给其它汽车制造商，实现创收双赢。
2016-01-15 16:34:30
ofweek电子工程网讯 10月31日，三星电子宣布了两件“喜事”，其一，三星电子宣布了最新高管理层人员名单；其二，三星电子今年第三季度营收再创新高。三星这次“内部大换血”更加印证了此前其公司内部
2017-11-01 15:56:56
根据三星技术部门确认并宣布，三星将会把所有的Windows Phone 7.5机型的系统版本推送至7.8，原文如下：“We can confirm that our products
2012-12-23 11:03:51
还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。其中EEPROM历史最为悠久，容量在几KB到1MB左右，非常非常小，但其使用发读写/擦除命令
2016-08-16 16:30:57
！ 那么今年China Joy MM们最关注的是什么呢？当然是核心话题“3D”啦，本次展会最大的显示器赞助商三星提供了800多台显示器在整个展会，其中3D显示器体验区是最吸引China Joy MM们的地区，下面就来看一下三星3D显示器与China Joy MM们的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
DRAM产能再大，也难以满足全球庞大的市场需求。因此，应该是技术层面的原因。技术才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前技术在96层，但是技术路标的能见度已至512层－3D Flash做为
2018-10-12 14:46:09
3D NAND提高市场竞争力，控制芯片选择了Silicon Motion SM2262EN。原厂早在2018下半年开始量产96或92层3D NAND，并陆续推出了新制程的SSD，比如：三星970
2022-02-06 15:39:12
，西部数据的存储器类型还没完全从2D NAND转换成3D NAND，现在3D NAND只占总产量的65%，换言之西部数据生产的所有存储器还有三分之一是2D NAND。另外，在本月12号，西部数据宣布
2022-02-03 11:41:35
64层3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，这使得总GB当量的NAND Flash供应增加。在需求方面，虽然三星、苹果、华为等高端旗舰机容量向512GB升级，但是全球智能型手机出货放缓，尤其是
2022-02-01 23:19:53
沟道和电流。而Flash的MOS管在控制栅极下面还有一个浮置栅极涌来存储电子。浮置栅极的上下都有一层绝缘体。当我们要写入0的时候，将控制栅极接一个正向电压，基底接地，这时候沟道导通。同时再加大电压，电子
2022-07-01 10:28:37
电子作为国内最先推出3D电视的厂家，早在一个月前就展开了声势浩大的营销攻势。4月初，三星电子在北京召开了“中国三星论坛”，宣布三星3D电视正式上市。同时，在销售终端的推广上，三星与苏宁、国美等渠道商也
2010-05-06 14:24:28
专业收购三星ddr帝欧电子高价回收三星ddr，长期求购三星ddr，带板的也收，大量收购！！！帝欧赵生***QQ1816233102/879821252邮箱dealic@163.com。求购三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
的成本降低的原因。” 在BeSang，Sang-YunLee和前三星工程师Junil Park,一起完善了首个3-D IC工艺制程。Park,是第一个高k电解质原子层沉积工具的发明者。因为这个
2008-08-18 16:37:37
，SSD，U盘等产品上。有客户会把这款EMMC芯片称之为MOVI NAND和INAND。 A、可直接插SD卡读卡器连接电脑，支持热拔插; B、同时兼容：东芝(TOSHIBA)、三星(SAMSUNG
2013-05-27 22:01:53
原装海力士三星存储芯片，香港出货，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59
利润率。资料图三星电子股价在周五开盘后不久旋即触及274万韩元的新高，因寄望内存芯片需求日益增加，2017年获利可望创纪录。“内存芯片已经进入一个美丽新世界。供应增加的速度已大大放慢，同时需求超出预期
2017-10-13 16:56:04
是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素
2023-05-19 15:59:37
Flash。三星停产K9F1G08U0E，东芝减产小容量NAND Flash，海力士也准备停产掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion也同样如此。 停产导致价格持续上涨，给企业带来了巨大
2019-07-16 15:26:03
欧电子长期全国回收品原装存储芯片：三星samsung，海力士SK hynix，现代hyniy，展讯SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，闪迪SANDISK芯片,东芝 TOSHIBA芯片,南亚
2021-08-20 19:11:25
回收东芝手机字库 181-2470 同上1558 同步同号回收三星手机字库 stm8s207cbt6.，_回收意法半导体：从系统存储器导入，从sram导入。boot导入程序位于系统存储器，用于通过
2021-07-28 11:29:11
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
镁光贴片IC回收SRAM、DDR、GDDR,GDDR2,GDDR3,SDRAM、Memory、内存条等存储器，回收三星、现代、镁光、东芝、ST品牌FLASH闪存。欢迎您24小时随时来电，我们报价快
2021-09-28 10:49:22
优势，或许，未来将有更多的玩家参与其中。存储产品的3D时代 伴随着三星、美光、东芝、英特尔纷纷开始投入到3D NAND的生产和研发中来，存储产品也开始走向了3D时代。在这些厂商发展3D闪存的过程当中，也
2020-03-19 14:04:57
(Multi-Level Cell；MLC)即多层式储存。主要由东芝、三星生产销售。MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功，其作用是将两个单位的信息存入1个Floating Gate(Flash
2018-06-21 14:57:19
基于NAND Flash的存储系统的设计首先要解决坏块问题。由于NAND Flash自身存在固有坏块并在擦除和编程中又随机产生坏块，因此为了提高设备的可靠性应该将这两种操作分散在闪存不同的块
2011-04-25 11:10:101330 
虽然2012年第叁季初期NAND Flash市场需求受全球经济復甦缓慢的影响而呈现疲弱不振，但东芝7月中宣布减产及9月中苹果发布新的iPhone 5也为市场带来了正面的激励因素
2012-11-05 09:30:312154 
东京—东芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，该公司在闪存峰会（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND闪存和存储产品。
2014-09-03 11:40:13849 如何存储MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:45
0 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209 NAND Flash(储存型快闪存储器)随着2D转3D制程良率改善，量产能力大为提升，尽管价格已经松动，但包括存储器、控制IC、封测等供应体系业者纷纷看好有助于量能提升。存储器控制IC大厂群联电子
2018-07-09 09:52:00513 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109972 器是新产品，普及还要一段时间，目前 3D TLC 快闪存储器如何发展，依然是关键。24 日，东芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固态硬盘，是旗下 96 层堆栈 3D TLC 快闪存储器首发，读取
2018-07-26 18:01:002026 随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161227 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002185 作为NAND行业的新晋者，长江存储今天公开发布其突破性技术——XtackingTM。据知情人士透露，这之前存储一直都是三星的强项。
2018-08-13 16:08:273366 Cell )NAND将迈入百家争鸣时代，带动消费性固态硬盘(SSD)容量快速升级至TB等级，加上长江存储发布新一代3D NAND架构Xtacking，试图超车追赶国际大厂，全球NAND Flash产量持续增加，战火愈益激烈，2019年NAND Flash市场恐将大幅震荡。
2018-08-29 17:46:266586 3D NAND Flash 作为新一代的存储产品，受到了业内的高度关注！但目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron
2018-10-08 15:52:39395 NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后，正式转进3D NAND Flash时代，目前三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:571684 记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:47991 长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后，进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash战局，对比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）进入90层3D NAND芯片生产，长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。
2019-05-17 14:13:281277 东芝存储器公司于四日市厂区于6月15日遭遇长约13分钟的跳电状况。研调机构集邦TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)评估，此事件将使得Wafer短期报价面临涨价压力，第三季2D NAND Flash产品价格可能上涨，3D NAND Flash产品价格跌幅则可能微幅收敛。
2019-07-11 11:07:042855 近日，据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC
2019-08-07 10:56:32665 据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 长江存储打破全球3D NAND技术垄断，作为国家重点打造的存储器大项目，经历多年的研发，终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:052849 至于原因，东芝认为3D XPoint成本太高，在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术，现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现，可以在容量上轻松碾压3D XPoint。
2020-01-02 09:27:342655 存储公司 Kioxia(原东芝存储)近日宣布，将在今年 Q1 送样 112 层 TLC Flash 芯片，这是第五代 BiCS Flash 3D 存储芯片。
2020-02-03 15:44:222232 据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片，这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术，意味着中国的存储芯片技术已达到国际领先水平。
2020-04-14 08:55:4512821 长江存储科技有限责任公司宣布，128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:224866 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快
2020-11-03 16:12:083855 
大咖来答疑栏目给出了相关技术答复，让大家更加的了解致钛品牌固态。 背景介绍： 长江存储于2014年，开始3D NAND flash的研发，技术团队从最初开始研发相关技术到现在已经有六年的时间，并在，2016年注册公司，短短的时间内就做到了从闪存颗粒，到X
2020-11-24 09:56:483572 和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:36577 NAND Flash。2007年，东芝推出3D NAND，三星也在2012年发布其第一代3D NAND。NAND Flash 技术几十年发展保留了相同的概念、堆叠（stack）和架构，存储密度随时间呈指数
2022-11-25 14:57:351637 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:31328 摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:06490 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 Flash ROM NAND Flash ROM 应该是目前最热门的存储芯片了。因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。比如你买手机，肯定会考虑64GB，还是256GB？
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