9月2日,长江存储正式对外宣布,其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存(每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位,每个存储单元为三个字位的三维闪存)正式量产,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:151204 7月24日国外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技术路线-- 在同一个区域记录层的堆叠在一个闪存芯片放到另一个提供更多的容量之内。
2013-07-25 10:24:23988 全球首款支持Micron新型16nm TLC NAND的SSD控制器,有助实现高性能、成本最优化的TLC SSD
2015-06-04 11:36:281577 苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层,256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍,单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存,这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍,读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 国产手机势头越来越强劲,把三星和苹果的市场份额抢占不少,但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失,就比如闪存芯片,这基本上被韩国厂商垄断了。近日,高启全接受媒体采访时表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042255 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息:他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面,XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355198 Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:292569 知名数码博主 @Blood旌旗 在微博中爆料,固态硬盘厂商海康威视使用西部数据回收的NAND闪存颗粒。这已经不是海康威视第一次出现这样的问题,在黑猫投诉上发现,有用户投诉海康威视c2000固态就涉嫌虚假宣传,宣传颗粒为东芝颗粒,实际颗粒为镁光颗粒。
2020-03-14 10:30:416613 大家好,我的主板上设计的是1.5V,之前焊接的也是1.5V的DDR颗粒,现在要是不动主板直接把DDR颗粒换成1.35V的,可有什么潜在的问题,这1.35V的DDR我看手册也是支持DDR3L的,都是
2018-06-21 01:27:24
什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿?
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长?如何提升SSD寿命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技术资料:器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
3D SLC NAND FLASH的量产。2021年量产96层256Mb的3D NAND Flash,2022年量产192层3D NAND FLASH。图 3 3D NAND 进程如图3所示,3D
2020-11-19 09:09:58
给PCB添加了3D模型之后,让封装旋转45度,自己填加的3D模型旋转45度后,代表3D模型的机械层不会和PCB重合;而用封装向导画的模型会和PCB重合。请问这个改怎么解决?虽然旋转45度之后,在3D 模式下,3D图也是旋转了45度,但是在2D模式下的机械层看着很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
请教大家一个问题: Altium designer 的3D封装在机械层是有线的,我的板子在机械层也画了线来切掉一部分。那么在PCB的生产加工中,3D封装位于机械层的线是否会影响加工效果。请实际操作过的回答下,非常感谢。如下图:
2016-07-22 14:05:18
采用BiCS4技术的96层3D NAND已经出货给零售商,早在6月底时我们已经了解到西部数据的BiCS 4 NAND不仅会有TLC类型,而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我对内存使用有一些疑问: XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存?如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动,则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
根据数据表,斯巴达6家族有广泛的第三方SPI(高达x4)和NOR闪存支持功能丰富的Xilinx平台闪存和JTAG但是,如果它支持NAND闪存,我不太清楚吗?我想构建和FPGA + ARM平台,我当时
2019-05-21 06:43:17
亲爱的大家,任何人都可以让我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND闪存。我的客户正在设计他的7020定制板,并有兴趣知道所支持的并行NAND闪存的最大密度。问候钱德拉以上来自于谷歌翻译以下
2019-02-27 14:22:07
pcb 3D导step用creo打开为什么丝印层显示不出来 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
娱乐等,未来AI实时应用、分析、移动性,对存储要求低延迟、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。为了满足不断增长的需求,西部数据在2017年发布第四代96层3D NAND,Fab工厂每天可生产
2018-09-20 17:57:05
KeleOkereke宣布,他将采用Ghassaei的方法为定于下周发布的一首新歌3D打印一张唱片。得知Autodesk的创客空间Pier9新进了一套Stratasys公司顶级的3D打印机,据说该打
2013-12-17 16:36:03
的说一下,有任何问题,大家可以随时来评论和交流。 SDIO NAND内置的控制器可以支持3D TLC的管理,功能非常强大,读写速度最高支持到10MB/S,满足物联网和可穿戴设备的需求,并且兼容市面主流
2019-04-03 16:42:14
芯片,收购镁光DDR闪存颗粒,长期高价回收镁光颗粒,专业回收库存电子料,回收flash内存,回收电子ic,收购清仓ic,回收工厂淘汰电子料,高价收购过期原装ic,专业回收各种IC ,手机IC芯片,高
2020-12-29 18:12:29
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2021-07-26 17:14:30
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2021-11-13 16:15:12
)KLM8G2FE3B-B001(8GB) KLM8G1GEAC-B001(8GB)(MLC,4.5)KLM8G1GEND-B031(8GB)(MLC,5.0)KLMAG2GE4A-A001(16GB
2020-12-16 17:31:39
)KLM8G2FE3B-B001(8GB) KLM8G1GEAC-B001(8GB)(MLC,4.5)KLM8G1GEND-B031(8GB)(MLC,5.0)KLMAG2GE4A-A001(16GB
2021-01-11 18:16:12
减少NAND闪存产能投资,以便减少NAND供应,缓解市场对降价的预期。 64层和96层堆栈闪存命运各不同今年将是96层3D闪存爆发的元年。在64层堆栈之后,2018年下半年各大厂商也开始量产96层堆栈
2021-07-13 06:38:27
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆,自带坏块管理,10W次擦写寿命,1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片Xtacking技术将外围电路连接到存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。据悉,长江存储的64层3D NAND闪存产品将在2020年进入
2020-03-19 14:04:57
四运放_TLC27L4_TLC27L9.pdf
2008-03-24 23:41:365 四运放_TLC27L4_TLC27L9.pdf
TLC27L4和TL27L9四运算放大器把宽范围的输入失调电压等级和低失调电压漂移,高输入阻抗,极低的功耗以及高增益组合在一起。
2008-03-24 23:41:37139 The TLC27L1 operational amplifier combines a wide range of input offset-voltage grades with low
2010-09-13 19:51:175
The TLC27M2 and TLC27M7 dual operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage
2010-09-16 00:18:3941 Intel-镁光反击,2xnm制程NAND芯片将试制
在本月22日召开的一次电话会议上,镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品,并对其进行取样测试。尽管
2009-12-26 09:56:491134 镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别,他表示镁光今年年中将开始批
2010-03-04 11:02:511088 3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。在一个新的研究报告中指出,这项技术将会在今年成为闪存领域的卓越性技术。
2017-05-03 01:02:501412 现在,西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存,其使用的是新一代BiCS 4技术(下半年出样,2018年开始量产),除了TLC类型外,其还会支持QLC,这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 东芝日前发布世界首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片。对于闪存技术的未来发展而言,这可谓是相当重大的消息。
2017-07-04 16:30:52740 目前,东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片,即QLC闪存,这也意味着QLC SSD将要来临。那么,它与TLC闪存又有什么区别,能否取代TLC成为SSD主流闪存之选?
2017-08-01 10:21:1393396 的厂商竞争,以及日经贴般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、 那么,到底什么是闪存颗?2D NAND和3D NAND之间又有哪些区别和联系? 闪存颗粒到底是什么? 闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据
2017-10-13 20:33:266 镁光MT29F闪存规格书
2017-10-17 10:16:32133 据外媒报道,英特尔和镁光宣布,它们不再合作开发下一代3D NAND内存。
2018-01-11 09:16:024070 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪存颗粒的量产引发固态涨价,闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争,以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。、
2018-06-06 20:36:003593 如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪存颗粒的量产引发固态涨价,闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争,以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
2018-06-12 12:13:0014755 今年第三季度,NAND闪存依然处于供给吃紧的状态,主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢,低于预期。
2018-06-30 14:34:00362 TLC是一种闪存颗粒的存储单元,它的英文是TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell。在TLC发明之前,固态硬盘大部分采用SLC和MLC,即Single-Level
2018-06-28 09:19:0037554 (Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性,控制器业者群联已备妥对应的解决方案。
2018-06-11 09:16:004450 美光、三星释放信号仅是个开端,SK海力士、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态在几年内将持续扩充闪存产能,为跨入96层、甚至更高层数而加大投入力度。可见,3D NAND闪存已经成为国际存储器厂商间的“主战场”。
2018-07-17 10:34:084865 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况,三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒,堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167 由于NAND闪存价格上涨,SSD普及的道路走的异常艰难,同容量下SSD和HDD的价格始终相差悬殊,但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64层3D TLC NAND闪存,把SSD的价格和性能控制在一个很好的平衡点,具有极高的性价比和极强的市场竞争力,或许可以打破这一困境。
2018-07-24 16:01:364734 128Gb TLC NAND 闪存,有助实现优异的性能和无可比拟的可靠性,成就新一代高性价比的TLC SSD产品。
2018-07-30 09:33:001577 今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司,他们本周一正式收购了华亚科公司,内存业务如虎添翼,而闪存方面,美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存
2018-08-03 16:15:031188 随着原厂3D技术的快速发展,2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈,其中,三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称,东芝存储器(TMC)96层3D NAND将在Q4扩大出货,代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161227 到2016年3月份为止,全球四大NAND豪门都推出了3D NAND闪存及TLC闪存,SSD硬盘的好处就不用多说了,现在不仅容量在提升,价格也不断走低,这导致了性价比更有优势的TLC闪存需求高涨
2018-09-19 16:45:001570 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元,是利用管线式(pipe)闸极链接每一个NAND
2018-08-29 11:10:008278 闪存大厂美光一直在谈论自己的TLC NAND闪存颗粒,但一直没有投入实用,直到今天,旗下消费品牌Crucial(英睿达)终于带来了首款TLC固态硬盘“BX200”。
2018-09-05 15:08:0014738 上周,美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架构相较于TLC(3bits/cell)容量更大,使得单颗Die容量可高达1Tb,备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462115 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043196 今年第三季度,NAND闪存依然处于供给吃紧的状态,主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢,低于预期。
2018-09-16 10:38:14509 至少2年时间,Intel、美光去年才推出3D NAND闪存,Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD,不过主要是面向企业级市场的。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同,堆栈的层数
2018-10-08 15:52:39395 西部数据公司推出了新款3D TLC NAND UFS汽车嵌入式闪存盘(EFD),丰富了其高质量、高耐用性的汽车储存解决方案,
2018-10-18 16:52:411295 的单位面积上,TLC闪存比MLC存储的数据更多,而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元,这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的单位面积上,TLC闪存比MLC存储的数据更多,而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元,这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 2018年一月份,英睿达发布了MX500固态硬盘,该固态硬盘包含250GB、500GB、1TB和2TB四种容量类型,在主控方面,均采用慧荣的SM2258,闪存颗粒为镁光提供的第二代64层3D TLC NAND闪存。
2019-05-09 10:27:2372208 (高级驾驶辅助系统)、先进信息娱乐系统以及自动驾驶的计算机。新款256GB西部数据TM iNANDTM AT EM132 嵌入式闪存盘采用64层3D NAND TLC闪存技术,产品生命周期超越了2D NAND,以满足不断变化的应用需求和不断增长的容量需求。
2019-05-14 13:45:113408 现在,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布,已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32791 两年前,美光发布了全球首款采用3D QLC NAND闪存颗粒的SSD,型号为5210 ION系列。今天,美光宣布5210 ION已经得到全面升级,可以作为机械硬盘的完美替代品。
2020-04-10 09:14:412476 两年前,镁光发布了全球首款采用3D QLC NAND闪存颗粒的固态硬盘,其型号为5210 ION系列。
2020-04-22 11:31:142262 4月28日消息,金士顿刚刚推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固态硬盘新品,采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧荣(SMI)2262EB 主控 + 96 层 3D
2020-04-29 14:27:013759 通常情况下,固态硬盘(SSD)的底层NAND架构会因模型而异。NAND 闪存的每种类型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此对您的数据存储产生不同的影响,在这篇文章中,我们会讨论这些差异。
2020-08-28 11:15:46716 Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND闪存,包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存,为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 据美媒Anandtech报道,美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存,新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出,新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品,此后美光从浮栅( floating-gate)存储单元设计转变为电荷陷阱(charge-trap)单元。
2020-11-10 14:56:592809 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术,达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后,自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571857 存储器厂商美光宣布,其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨头美光11月10日正式宣布,将向客户交付176层TLC NAND闪存。 这使得美光成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。 176层NAND支持的接口速度为 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:132330 长江存储基于Xtacking架构的3D NAND颗粒打造的首款消费级固态品牌致钛存储于日前正式与我们见面,并获得众多用户的支持。而在网上呼声较高的问题就是关于致钛存储的技术,而就在近日,长江存储通过
2020-11-24 09:56:483572 根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着2D NAND容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:373659 3D TLC NAND 代表了存储介质的转折点,提供了更低的每比特成本和更小的占用空间。然而,为了使市场扩展到嵌入式行业,该技术需要提供一套可持续的、可扩展的比特纠错解决方案。
2022-06-10 07:41:001401 通过实施上述 LPDC ECC 序列,在 NAND 控制器上终止强大的 RAID 功能,UDInfo相信,未来基于 3D TLC NAND 的设备可以保证 SSD 质量和数据完整性。
2022-08-17 11:54:142019 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的技术。这种技术垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度,可支持在更小的空间内,容纳更高的存储容量,从而有效节约成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,采用了232层3D TLC NAND闪存;速度提升很大,可以达到最高
2023-07-19 19:02:21865
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