关于TMR晶圆制造工艺的介绍和应用

晶圆，始于薄的圆柱型晶硅，直径一般分150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）、300毫米（12英寸），通过在晶圆上镀上各种材料成为多层膜和几何图形，最终产生出成千上万很小的电子器件。多维科技生产的TMR磁传感器芯片，最小尺寸可达到0.5mm×0.5 mm，与20年前单个器件占据的面积相比，这个尺寸小很多。

晶圆的制造过程可划分为前道（Front-end）和后道（Back-end），前道包括晶圆处理工序（WaferFabrication）和晶圆针测工序（WaferProbe），后道包括封装工序（Packaging）和测试工序（InitialTestandFinalTest）。晶圆的整个制造过程中会涉及到很多物理、化学过程。

一、前道（Front-end）

1、晶圆处理工序WaferFabrication

本工序的主要工作是在晶圆上制作磁路和电路，其处理程序的基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化和物理/化学气相沉积，然后进行镀膜、光刻、刻蚀、回火等反复步骤，最终在晶圆上完成磁性传感器芯片的加工与制作。

2、晶圆针测工序WaferProbe

经过晶圆处理工序后，晶圆上即形成许多小格，称之为晶方或晶粒（Die）。在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会逐一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，不合格的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序称为晶圆针测工序（WaferProbe）。然后晶圆将依晶粒为单位被切割成一粒粒独立的晶粒。

二、后道（Back-end）

1、封装工序Packaging

将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（IntegratedCircuit；简称IC）。

2、测试工序InitialTestandFinalTest

芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂，而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定为降级品或废品。