回顾MOS-AK成都器件模型国际会议的内容介绍

2019年6月20-22日，第四届MOS-AK器件模型国际会议（成都）顺利闭幕。本次会议由电子科技大学主办，XMOD 作为协办方配合工作。MOS-AK（成都）也得到了Cogenda、华大九天、Maury、华美博科技（北京）有限公司、FOCUS、益丰电子、Platform-Da、KEYSIGHT、成都市集成电路行业协会、极高频复杂系统国防重点学科实验室、集成电路与系统学科创新引智基地（“111基地”）和微波毫米波集成电路与系统实验室（不分先后）的赞助。本次为期两天的会议吸引来自学校、研究院、半导体厂商、设计公司等科研单位人员的参加。本次会议在主办方的积极筹备之下，投稿数量，邀请报告数量均创历年新高。本次接受了近30篇文章，内容涉及IGBT，advanced CMOS，SOI，GaN, GaAs, FinFET，TFT以及最热门的AI在器件模型中的应用等。本次会议共包含8篇邀请报告，14篇演讲报告，4篇POSTER。

本次会议的第一部分培训在6月20日，首先来自Infineon的专家Dr.Andreas Pawlak进行了基于SiGe HBT工艺的器件建模讲解，之后来自Silicon Radar 的欧盟项目专家Dr. Wojciech Debski，为大家介绍了基于SiGe HBT工艺的电路设计以及终端应用（24GHz，60GHz, 120GHz，300GHz) ，很多现场DEMO让人印象深刻（图片可点击放大观看）。

正式会议在6月21日正式开始，来自电子科技大学的康凯教授致开幕词，热烈的欢迎大家的到来，预祝本次活动圆满的成功，大家都能有所收获。来自XMOD&MOS-AK的张珉博士回顾了这几年MOS-AK的会议情况，特别提到MOS-AK成都会议的突破，一个是在成电徐跃杭教授团队的努力下，获得了SCI期刊出版的对接。另一个是企业主动发起的学生Wide Band PA设计竞赛，为工艺，模型，设计提供了很好的链接, 加深模型在电路设计应用中重要性的理解。最值得欣慰的是，MOS-AK 活动的举办，推动了中国器件模型产业成立组织协会的决心，让更多半导体行业伙伴进来成为可能，也真正让更多人理解模型产业的核心价值。

此次报告的质量获得了很多在场专家的一致好评，收获颇多。邀请报告中，UC Berkeley教授对于模型最基础开发时期发生的编程，仿真等问题做了很明了的阐述，并提出了MAPP 平台理念，为模型开发者服务。香港科大教授带来的对随时间变化器件模型和仿真的新颖解决方案，令人印象深刻。华大九天和合作伙伴带来了一个关于TFT生产过程中的工艺波动引起GOA故障的报告，通过Bin 和Corner模型的结合应用，对降低TFT-LCD的生产成本和功耗起到了很好前瞻并获得验证，使模型的二次开发真正带来了附加价值。

成都电子科技大学团队的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了团队在这方面所做的努力和成绩。在先进节点方面，Negative Capacitance FET and Nanowire /Nanosheet FET modeling的主题让人耳目一新，提出了下一代新器件的方向。在 III-V族微波方面，成都电子科技大学团队分享在III-V模型实际应用中获得的点点滴滴，通过QPZD准物理基的大信号模型开发，特别通过和半导体厂合作，使设计公司缩短电路设计开发验证周期成为可能，也充分展示了模型的桥梁作用。加拿大Carleton 大学带来的神经网络理念对III-V族器件模型的开发，展示了模型开发的新趋势。西安电子科大团队带来的主题是针对毫米波频段氮化镓器件，从工艺、制备、TCAD模型仿真设计到MMIC电路设计的一整套关键技术，对器件开发和工艺设计都有很好的指导意义。

邀请报告不分先后：

除了上述的邀请报告外，来自工业界，学术界等的报告都令人印象深刻，并且POSTER的部分也引来了很多同行驻足讨论。总的来说，这次会议，给了模型相关的半导体厂，设计公司，科研院所等非常好的交流平台。

演讲报告不分先后：

最后，会议在MOS-AK 2020的主办方西安电子科技大学的精彩介绍中顺利闭幕，期待与大家2020年西安再会！想了解后续报告解读或者演讲内容下载的，可以留意我们的公众号，后续会给大家带来更多信息。

部分参与人员合影：