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关于锗硅工艺的建模,设计和应用分析和介绍

弘模半导体 来源:djl 2019-09-06 17:26 次阅读

今年MOS-AK 器件模型国际会议将于2019年6月21-22日在成都电子科大举办,在会议的前一天6月20日,我们特别安排了一天的培训,主要内容是基于SiGe HBT工艺的器件建模,电路设计以及终端应用,主讲者是来自Infineon 和 Silicon Radar 参与锗硅欧盟项目的专家,通过他们的讲述,让大家更多理解模型的核心价值以及落地的大规模产品应用,属于比较完美的turnkey solution。

其中上午,来自Infineon的Dr. Andreas Pawlak给我们带来模型部分培训,他是下面出版的“Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for mm-Wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications”模型章节的主要作者。他的演讲内容主要是回顾欧盟项目Dotfive, Dotseven, RF2THz 等在开发新工艺,建立新模型当中碰到的各种问题,比如substrate coupling, scaling, model parameter extraction等等,当然在器件fmax=700GHz ,demo电路240GHz的情况下,许多测试方案,建模方案也是在验证,测试,错误,更新,并且和工艺,设计人员的密切配合,不断轮回中才获得比较理想结果的,通过案例分享,让国内将来如果引进SiGe HBT工艺也可以少走弯路。

下午,主要由来自Silicon Radar的设计主管Dr. Wojciech Debski 带来基于SiGe HBT 工艺的电路和应用,他本人也参与很多欧盟项目,这些已经落地产品和上面的模型成功开发密不可分。 培训分二部分,第一部分将介绍24GHz、60GHz和122GHz ISM波段的雷达收发器设计。此外,还将现场演示两个宽带收发器:一个工作在120GHz,带宽为20GHz,另一个工作在300GHz,带宽为40GHz。第二部分将重点介绍需要角分辨率的应用芯片,介绍集成的24GHz收发器(具有两个发射通道和四个接收通道),60GHz可扩展收发器(具有四个接收通道和四个发射通道), 79GHz可扩展收发器(具有四个接收通道和四个发射通道),120GHz收发器(带两个接收和一个发送通道)。

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