关于MOS-AK Peking 器件模型国际会议的分析和介绍

一年一度的MOS-AK器件模型国际会议在主办方的积极筹备下， 将于今年的 6月15~16日两天在北京举办。和2016年第一次举办MOS-AK会议的宗旨一样， 希望MOS-AK WORKSHOP 作为设计公司和半导体厂桥梁，能够让更多设计工作者，半导体厂工作者参与进来，通过充分沟通交流，让器件模型产业真正为国内的半导体产业服务，为国内设计公司的产品获得更好的核心价值和更高的附加价值。

此次活动由清华大学主办，中国仿真学会集成微系统建模与仿真专委会，XMOD Technologies 作为协办方配合工作。这次的邀请报告方面也是根据目前的市场热点进行了选择。在III-V族微波方面，邀请到了德国Fraunhofer IAF 有几十年工作经验的专家，为大家讲述 mHEMT 方面的器件模型，工艺，模块和尖端应用，特别是国内关心的MPW公开，也会带来最新的信息。 来自国内EDA龙头企业华大九天，会给大家共享公司在TFT方面模型和设计的整个流程的案例，因为TFT模型的复杂性和其在应用中的验证一直是比较棘手的问题。来自香港科技大学的教授会对Memeory 器件模型的难点重点刨析并提出解决方案，使之在大规模集成电路中的应用验证成为可能。Qorvo的专家会对于TCAD simulation, modeling 和实际流片结果为什么有不匹配，做原理方面的解析，也提出了TCAD方面的局限性和需要注意的关键要点。 另外，我们为大家准备了一天的培训，主题是Succesful and Verified RF measurements for device modeling, 这个主题由IC-CAP modeling handbook的作者Dr. Franz Sischka 来主讲，具体内容，我们会在后期的MOS-AK Peking 活动更新中具体介绍。当然，我们也期待来自各行各业更多高质量的投稿，使会议能够覆盖CMOS先进工艺节点、III-V、SOI、FINFET，SiGe HBT和目前比较热门的硅光电工艺等，也能够关联更上一层面的TCAD工具、电路设计，让参会者深刻理解模型的桥梁作用。

如果您是设计公司，通过参加这个活动，就能了解到为什么自己的产品和其他公司没有在一个起跑线上。如果您是半导体厂，通过参加这个活动，就能了解到设计公司的心声，更好地为设计公司服务。因此，无论您处于半导体行业的哪个环节，这个活动都将是适合您的一道菜。

具体内容请点击下面的图片放大后观看，或者点击阅读原文可以到网站了解更多信息并且报名参会。为了让更多半导体产业界的朋友们了解器件模型产业的活动，也烦请大家转发给身边的朋友，共同为争取更深层次的中国半导体产业核心价值而努力。关心MOS-AK PEKING活动的朋友，也请关注我们的公众号，留意最新信息发布。