利用TI的600V GaN FET功率级实现高性能功率转换革命

首次公开采样，TI制造的集成高压GaN FET和驱动器解决方案实现了两倍的功率密度和一半的功率损耗

达拉斯， 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于数十年的电源管理创新，德州仪器（TI）（纳斯达克股票代码：TXN）今天宣布推出600 -V氮化镓（GaN）70mΩ场效应晶体管（FET）功率级工程样品，使TI成为第一家也是唯一一家公开提供高压驱动器集成GaN解决方案的半导体制造商。与基于硅FET的解决方案相比，新型12-A LMG3410功率级与TI的模拟和数字电源转换控制器相结合，使设计人员能够创建更小，更高效和更高性能的设计。这些优势在隔离的高压工业，电信，企业计算和可再生能源应用中尤为重要。

“LMG3410可靠性测试超过300万小时，为电源设计人员提供服务TI公司负责高压电源解决方案的副总裁，他表示有信心实现GaN的潜力，并以前所未有的方式重新考虑其电源架构和系统。 “扩展TI在制造能力和广泛系统设计专业知识方面的声誉，新的功率级是GaN市场的重要一步。”

凭借其集成驱动器和零反向恢复电流等功能， LMG3410提供可靠的性能，特别是在硬开关应用中，它可以显着降低开关损耗高达80％。与独立的GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了内置智能，可用于温度，电流和欠压锁定（UVLO）故障保护。

经过验证的制造和封装专业知识
LMG3410是第一款包含TI生产的GaN FET的半导体集成电路（IC）。凭借多年制造和工艺技术方面的专业知识，TI在硅兼容工厂中创建了GaN器件，并通过超越典型联合电子器件工程委员会（JEDEC）标准的实践对其进行了鉴定，以确保GaN的可靠性和稳健性。要求苛刻的用例易于使用的封装将有助于提高GaN功率设计在功率因数控制器（PFC）AC/DC转换器，高压DC总线转换器和光伏（PV）逆变器等应用中的应用。

LMG3410的主要特性和优点

功率密度加倍。与最先进的硅基升压功率因数转换器相比，600V功率级在图腾柱PFC中的功耗降低了50％。减少材料清单（BOM）数量和提高效率可使电源尺寸减少多达50％。

降低封装寄生电感。与分立式GaN解决方案相比，新器件的8毫米×8毫米四方扁平无引线（QFN）封装可降低功率损耗，元件电压应力和电磁干扰（EMI）。

启用新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有利于新的开关拓扑，包括图腾柱PFC和LLC拓扑结构，以提高功率密度和效率。

扩大GaN生态系统
为了支持在电源设计中充分利用GaN技术的设计人员，TI还推出了新产品来扩展其GaN生态系统。 LMG5200POLEVM-10是一款48V至1V负载点（POL）评估模块，将包括新型TPS53632G GaN FET控制器，与80V LMG5200 GaN FET功率级配合使用。该解决方案可在工业，电信和数据通信应用中实现高达92％的效率。

可用性和定价
TI将提供包含半桥的开发套件子卡和四个LMG3410 IC样品。第二个套件包含系统级评估主板。当一起使用时，这两个套件可以立即进行基准测试和设计。这两款开发套件现已在TI商店购买，价格分别为 $ 299.00 和 $ 199.00 。

其他资源：

查看TI的GaN解决方案产品组合。

利用数字电源转换控制器增强您的GaN体验。

下载这些白皮书：

“使用集成驱动程序优化GaN性能。”

“GaN FET-based CCM Totem-Pole Bridgeless PFC。”

阅读博客文章“让GaN一起，可靠地”，并在Power House博客上探索更多的GaN帖子。

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关于德州仪器

德州仪器（TI）是一家全球半导体设计和制造公司，致力于开发模拟集成电路（IC）和嵌入式处理器。通过采用世界上最聪明的人才，TI创造了塑造技术未来的创新。如今，TI正在帮助超过100,000名客户改变未来。